深度放电可能会损坏可充电电池 UVP可提供保护

该设计理念电路执行欠压保护（UVP）以防止这种情况，并充当负载开关。几乎没有任何修改，它几乎适用于任何电池类型，电压范围为4.5V - 19V。待机电流低于1μA。

与P沟道器件相比，高端N沟道MOSFET Q2降低了成本。开启和关闭本质上是软的，因此可以避免切换尖峰。

图1该电路设置为12V铅蓄电池，带有凝胶电解质，温度为20°C。另一种类型的累加器可能需要更改元件值。

操作

第一次电池/蓄电池连接到+ Acc，电路关闭。 C3放电，因此可编程参考TL431A（D1）将关闭，漏电流低于1μA。因此，电路的所有其他元件都被禁用，Q2因为其栅极通过R5放电而关闭。

在此状态下，电路正在等待开启时的正向脉冲输入 - 通过按钮或其他控制器。在此脉冲期间，TL431A导通，为TLC555供电，配置为振荡器。通过C2＆amp; D3，振荡器在Q2的栅极电容上产生自举电压，将其打开。

On

信号被移除后，电路保持在有效状态，因为来自分压器R1-R2的电压对C3充电，保持从D1到Q2的回路回到D1。

电路断开负载并在/关闭时自动关闭输入变为低电平或达到欠压跳变点。

跳变点表达式为：

V t =（1 + R1/R2）V ref

（V ref 是TL431 2.5V参考电压）

所以R1/R2 = V t /V ref - 1

使I ref 的影响（最大4μA） 。）可忽略不计，使电流通过分频器至少100次I ref ：

R1 + R2 = 30kO

因此，对于10.8V的跳变点，计算值为：

R2 = 30kO/（V t /V ref ）= 6.94 kO

R1 = 30kO - R2 = 23.06 kO

TL431A的V ref 容差为1％，因此R1的公差为R2应该更好地最小化降低跳变点精度，或者可以添加一个trimpot。

作为一种良好实践，电流I ref 应小于其绝对最大额定值10mA的一半。因此：

R6 = V On /5mA

R6的上限定义为：

V ref =（R1 || R2）V t /（R6 +（R1 || R2））

R6 = （R1 || R2）（V t /V ref - 1）

所以，R6 = 17.8kO

如果选择接近此限制的R6，则可以禁止在累加器耗尽时尝试接通负载。/关闭输入的优先级高于开启。

电池电压监控在开关Q2之后进行，因此低R DS（ on）对于正确操作至关重要。

在高负载电流下，应尽量减少开关时间以降低功耗。为了在导通期间快速充电Q2的栅极电容C g ，振荡器频率应该很高（这里约为900kHz）。为了快速关断，R5不应该太高：时间取决于R5×C g 。

Q1阻止Q2的栅极连接到+ Acc通过D2 ＆amp;电路禁用时D3。可以使用具有中等增益（30-150）的任何PNP晶体管（例如，2N2904）。具有较高增益的晶体管（例如，BC556-BC560）可能需要降低R4以确保Q1在电路关闭状态期间关闭。虽然应该通过555的电流可靠地打开Q1;在其频率上限附近工作并使用低R3值可确保足够的R4下降。

Q2的V GS（max）应规定低功率齐纳二极管D4。

Q2主要参数的选择取决于系统。因为C g 用作滤波电容，所以也应该注意它。适当的值位于2nF - 10nF范围内;更大的电容可能需要增加C2的值。根据经验，C2的范围可以从C g 到2C g 。 C2的值对开启时间有影响。

专注于VR，没有他，这个想法根本就不会出现。