3开关频率与开关损耗
对于相同的磁芯尺寸132kHz 的设计相对于66kHz 的设计,其效率相近
工作于较高的工作频率,开关损耗相对于整个MOSFET 的损耗所占比例会有所增加,但仅仅适用于使用相同大小变压器的情况
如果对于132kHz 和66kHz工作都采用相同的变压器尺寸,通常变压器损耗的降低可以弥补开关损耗方面的增加
所有方案都具有过温度、输出过压、过流和短路保护功能!
HFC0100— QR模式的控制方式
主要特性:
准谐振开关控制方式,具有开关损耗小,轻载高效的特点
HFC0500—多功能反激控制器
主要特性:
轻载降频,提高轻载效率
输入欠压保护
定频抖频功能,可获得较好的EMI效果
X电容掉电放电功能
计时管脚可实现丰富的保护
4钳位电路的设计(工作原理及设计步骤)
MOSFET 关断
次级二极管仍处于开路状态
励磁电流给漏极电容进行充电
绕组电压达到 VOR
次级二极管开通;
励磁能量转移至次级;
漏感能量转而对变压器电容进行充电,直到变压器电容的电压等于箝位电容两端的电压。
绕组电压超过 VCLAMP_MIN
阻断二极管开通
箝位电容充电,电压上升
阻断二极管维持导通
能量恢复
箝位能量耗散
阻断二极管关断
箝位电容通过箝位电阻放电
设计步骤
5二极管的设计
电压额定值为峰值反向电压,可依据下式来计算:
VPIV=VMAX x (NS/NP)+VO
电流额定值应高于平均输出电流值至少两倍:
IRATED>=2IO
为达到更好的散热性能及效率,可以考虑2个二极管并联
当输出电流达到3A以上,肖特基或快恢复二极管的损耗超过1.5W,建议使用同步整流方案来处理。
MPS 同步整流方案----MP6905
芯片特点:
1. 30mV Vf判定电压,可获得更高的效率
2. 轻载条件下静态电流为<300uA
3. 支持低端和高端两种电路设计
4. 超快的关断延时20ns
当VDS 达到-30mV时, 这时电流下降到比较低的程度,芯片驱动Mos的门极为低,这样避免了过早关断导致的较大的损耗。
>3A条件下,相对于二极管损耗极小,Mos导通的Rdson <20mohm。
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