0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

三星电子 目前并无减产DRAM等存储器芯片的打算

YSVu_pedaily201 来源:LONG 2019-08-03 11:55 次阅读

虽然日本限制关键科技原料出口至韩国,对业界投下震撼弹,但三星电子(Samsung Electronics Co.)表明,目前并无减产DRAM等存储器芯片的打算,还说日本出口限制令的冲击难以估算,只能尽量把伤害降到最低。

BusinessKorea、东亚日报报导,三星一名高层7月31日在第二季(4-6月)财报电话会议上表示,日本政府并不是完全禁止半导体材料出口,只是增添了新的执照申请程序,影响了三星的日常营运。日本政府未来究竟会怎么做,还是充满不确定性,难以估算对公司的影响。该名高层并说,“目前不考虑减少晶圆产出,生产线将弹性运作,以因应需求波动。”

在谈到下半年的存储器库存变化时,三星高层透露,“今年下半年库存将会下滑,但难以预测下降的速度有多快,因为外部环境仍有不确定因素。”他说,NAND型快闪存储器库存开始大幅下降,预料将在第三季来到适当的水位。

在被问到近来存储器报价突然跳升的现象时,该名高层说,此一上升趋势是否会影响到长期合约价,还是很难说。

展望明年,三星高层表示,存储器设备的投资方案还在规划中,位于中国西安的厂房可望在今年底前竣工,韩国的平泽厂则会在明年底前完工。

在专业晶圆代工方面,三星高层指出,华城厂的极紫外光(EUV)制程生产线预计明年上半年运作、一如原先规划,该公司还将另外打造一条7纳米EUV制程生产线、一条图像传感器生产线(S4)。该高层指出,三星实验室正在评估一项设备,看看是否能把EUV制程应用到第3代10纳米级(1z-nm)DRAM的生产上面。

在被问到面板生产线是否已部分关闭时,三星高层说,“我们会依据市况及营运策略,弹性运作生产线”。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 芯片
    +关注

    关注

    457

    文章

    51345

    浏览量

    428251
  • DRAM
    +关注

    关注

    40

    文章

    2334

    浏览量

    183979
  • 存储器芯片
    +关注

    关注

    0

    文章

    85

    浏览量

    16735

原文标题:冯鑫为什么会走到这步?

文章出处:【微信号:pedaily2012,微信公众号:投资界】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    三星电子否认1b DRAM重新设计报道

    据报道,三星电子已正式否认了有关其将重新设计第五代10nm级DRAM(即1b DRAM)的传闻。这一否认引发了业界对三星
    的头像 发表于 01-23 15:05 201次阅读

    三星否认重新设计1b DRAM

    据DigiTimes报道,三星电子对重新设计其第五代10nm级DRAM(1b DRAM)的报道予以否认。 此前,ETNews曾有报道称,三星
    的头像 发表于 01-23 10:04 586次阅读

    SK海力士计划减产NAND Flash存储器以应对市场下滑

    产品价格。 继美光和三星宣布减产计划后,全球第二大NAND Flash厂商SK海力士也宣布了减产决定。据悉,SK海力士计划将上半年NAND Flash存储器的产量削减10%。这一决定无
    的头像 发表于 01-20 14:43 277次阅读

    三星电子宣布重大结构调整

    三星电子近日宣布了2025年度的重大组织与高管调整计划。其中,存储器业务将被调整为CEO直辖部门,这一调整意味着存储器业务在三星
    的头像 发表于 12-03 12:50 398次阅读

    三星与铠侠计划减产NAND闪存

    近日,据供应链消息,三星电子与铠侠正考虑在第四季度对NAND闪存进行减产,并预计根据市场状况分阶段实施。
    的头像 发表于 10-30 16:18 348次阅读

    三星或重新设计1a DRAM以提升HBM质量

     三星电子正面临严峻挑战,特别是在其半导体业务领域。除了代工业务停滞的问题,该公司在高带宽存储器(HBM)市场的竞争力也引发了广泛关注。据业内人士透露,为了提升在HBM领域的竞争力,三星
    的头像 发表于 10-22 14:37 459次阅读

    DRAM存储器的特性有哪些

    DRAM(Dynamic Random Access Memory)即动态随机存储器,是一种半导体存储器,用于计算机系统中的随机存取存储。它由许多
    的头像 发表于 10-12 17:06 1344次阅读

    多家初企积极囤积三星电子高带宽存储器芯片

    据多位知情人士透露,面对美国可能加强对华芯片出口的限制,中国科技巨头如百度、多家大型企业及初创企业正积极囤积三星电子生产的高带宽存储器(HBM)芯片
    的头像 发表于 08-06 16:19 510次阅读

    三星电子实现低功耗LPDDR5X DRAM的量产

    三星电子于6日正式宣布,其已成功实现业内领先的12纳米级低功耗双倍数据速率动态随机存储器(LPDDR5X DRAM)的量产,这款存储器以惊人
    的头像 发表于 08-06 15:30 642次阅读

    三星电子与SK海力士加大DRAM与HBM产能,应对AI热潮下的存储需求

    在全球人工智能(AI)技术持续升温的背景下,韩国两大存储芯片巨头——三星电子与SK海力士正积极调整生产策略,以应对日益增长且多样化的存储需求。据韩国媒体最新报道,这两家公司正分别在其位
    的头像 发表于 07-08 12:54 599次阅读

    三星电子大规模改组,聚焦高带宽存储器研发

    在全球人工智能市场蓬勃发展的浪潮下,三星电子再次展现出其在半导体领域的雄心壮志,宣布进行大规模改组,以进一步巩固其在行业内的领先地位。此次改组的核心在于新设一个专注于高带宽存储器(HBM)的研发团队,旨在满足人工智能市场对高性能
    的头像 发表于 07-05 16:25 891次阅读

    三星、SK海力士通用DRAM产线开工率维持80%~90%

    在半导体存储行业,三星电子和SK海力士两大韩国巨头一直以其卓越的技术和产能占据市场的重要地位。然而,近期韩媒援引业内人士的消息称,这两大巨头的通用DRAM(动态随机存取
    的头像 发表于 06-24 11:26 815次阅读

    三星电子与SK海力士预测存储芯片市场需求强烈,HBM产能售罄

    全球知名存储芯片制造巨头三星及SK海力士预判,今年DRAM和高带宽存储器(HBM)价格将持续攀升,受益于市场对于高端芯片,尤其是人工智能相关
    的头像 发表于 05-15 09:23 500次阅读

    三星/SK海力士DRAM大幅扩产,恢复至削减前水平,存储新周期开启

    电子发烧友网报道(文/吴子鹏)根据市场调研机构Omdia的研究报告,随着全球需求复苏,韩国内存芯片制造商三星电子和SK海力士今年第二季度加大DRAM
    的头像 发表于 04-12 00:05 5445次阅读
    <b class='flag-5'>三星</b>/SK海力士<b class='flag-5'>DRAM</b>大幅扩产,恢复至削减前水平,<b class='flag-5'>存储</b>新周期开启

    三星电子发布业界最大容量HBM

    三星电子近日宣布,公司成功研发并发布了其首款12层堆叠HBM3E DRAM,即HBM3E 12H,该产品在带宽和容量上均实现了显著的提升,这也意味着三星已开发出业界迄今为止容量最大的新
    的头像 发表于 03-08 10:10 772次阅读