功耗相关设计可以节省双MOSFET的空间

您的功耗相关设计可以节省双MOSFET的空间，因为您经常成对使用这些功能。飞兆半导体（图片）的P沟道FDZ2552P和类似的N沟道FDZ2551N MOSFET用于低阈值电池保护应用（V GS = 2.5V）和低导通电阻。这些双器件采用BGA封装，印刷电路板面积为0.10 cm，约为可比SO-8器件面积的三分之一。

N通道双器件具有R DS（ON） 0.018W，V GS = 4.5V，0.030W，V GS = 2.5V; P沟道器件的可比数字为0.045和0.075W。 BGA封装，安装在印刷电路板上时仅高0.70 mm，具有出色的散热特性和尺寸。例如，N沟道器件支持高达9A的连续漏极电流。这些双MOSFET还提供SuperSOT-8和TSSOP-8封装;价格从85美分（10,000）开始。

如果您需要低压双器件，您可以考虑使用Siliconix/Vishay Intertechnology的P和N通道Si3552DV，双P沟道Si3909DV和Si3905DV，以及双N沟道Si3948DV。这些器件的工作电压低至1.8V，采用TSSOP-6封装，但由于导通电阻比其前代产品低61％，因此可替代更大的SOT-23 MOSFET。根据您选择的器件，您可以获得关键参数的组合，包括R DS（ON） = 0.20W，V GS = - 4.5V（-20V击穿），R DS（ON） = 0.265W，V GS = - 1.8V（-8V击穿）;和R DS（ON） = 0.105W且R DS（ON） = 0.200W ，均为V GS = 10V。您可以以26美分（100,000）的频率访问TSOP-6双MOSFET。

最后，国际整流器公司的IRF7901D1将高端控制FET和低侧同步FET与并联肖特基二极管放在一起。 SO-8封装，用于同步降压DC/DC转换器架构。该IC最大限度地减少了外部印刷电路板走线并减少了杂散电感，从而对效率和性能产生不利影响。使用这款65美分（100,000）IC，您可以在5,3.3和1.8V输出时提供高达5A的峰值输出，效率高达96％。该供应商还提供了一个设计套件，可让您评估应用中的离散对双FET方法。