Mattson Technology Inc.表示,它正与欧洲IMEC合作位于比利时鲁汶的微电子研发中心共同开发新的光刻胶和残留物去除工艺。
重点是针对具有0.13微米和更小设计规则的器件的低k和铜处理。具有低k常数(通常小于3.0)的介电材料的出现对于制造具有小于0.15微米的几何形状的芯片是至关重要的。一个重要的挑战是在有机基介电材料上剥离光刻胶。这些抗蚀剂对于使用先进的光刻系统进一步设计缩小也是至关重要和潜在的障碍(参见3月在线杂志的报道)。
Mattson自1998年以来一直与IMEC合作推进用于加工设备的干剥离技术具有0.18至0.13的设计规则。该研究正在Mattson的双室Aspen Strip系统上进行,该系统安装在IMEC位于鲁汶的研究机构。
IMEC干蚀刻开发经理Serge Vanhaelemeersh解释说,使用Aspen Strip的决定是由于该系统独特的电感耦合等离子体(ICP)源技术和IMEC之前使用该系统的经验。 “新的低k和铜材料的挑战需要一种新的,更先进的清洁方法,”Vanhaelemeersh说。
“我们之前使用ICP技术进行抗蚀剂和聚合物去除开发的高剂量注入,多晶硅和带状应用的0.18至0.13微米设计规则使得Aspen Strip成为这一先进条带项目的合理选择。 “
根据Mattson Technology首席执行官Brad Mattson的说法,联合开发项目提供了一个很好的机会来帮助推进半导体行业的技术发展,同时保持公司在抗蚀剂剥离技术领域的领先地位。 “技术收益,甚至增量,都是非常昂贵的。在资格和评估阶段,通常会产生最大的费用,因为它们需要使用制造环境,”Mattson说。 “这个项目将使Mattson与IMEC合作,利用IMEC的晶圆生产线来帮助快速验证新工艺,并将带钢创新更快地推向市场。”
根据最近的Dataquest报告,Mattson Technology是干的根据1999年的系统销售情况,剥离市场的领导者.Mattson的6300万美元带钢收入占市场份额的27.8%,比最接近的供应商高出近5%。
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