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关于无线充电设计的分析和介绍

cROa_英飞凌 来源:djl 2019-09-25 09:38 次阅读

若要盘点近两年的“黑科技”,无线充电技术(Wireless Charging Technology)肯定要算其中之一。无线充电技术,源于无线电能传输技术,小功率无线充电常采用电磁感应式(例如对手机充电的Qi方式),大功率无线充电常采用谐振式(大部分电动汽车充电采用此方式)。由于充电器与用电装置之间以磁场传送能量,两者之间不用电线连接,因此充电器及用电的装置都可以做到无导电接点外露。

目前,无线充电技术发展至今在电子领域已经被深入研究应用,虽然还未曾大范围普及,但在消费电子领域的发展已经取得不错的成绩。手机厂商也纷纷在自家旗舰机上加入这一革新性的先进充电技术。众所周知,革新性的技术诞生离不开器件级的革新,英飞凌最新的逻辑电平MOSFET——OptiMOS 5,包含60V、80V及100V三种电压等级的低压功率MOSFET正在引领这股“革新潮流”。

01无线充电设计秘籍—OptiMOS5的革新

英飞凌最新逻辑电平MOSFETs——OptiMOS 5功率MOSFET正是这种革新性器件,提供了60V、80V以及100V三种电压等级,非常适合应用于无线充电(Wireless Charging)、适配器(Adapter)以及电信(Telecom)等应用。

逻辑电平OptiMOS 5功率MOSFET具有低栅极电荷(Qg)、低导通电阻RDS(on)(相比于上一代产品)的特性,将进一步减小开关损耗。同时,英飞凌对OptiMOS 5功率MOSFET各项性能参数的优化也使得该器件可以轻松“hold住”高开关频率。而且,低栅极阈值电压VGS(th)使得此逻辑电平驱动MOSFET可以在5V工作电压下直接被微控制器驱动。

Key Features

低导通电阻(RDS(on)),使得器件尺寸更小;

更低的栅极电荷Qg;

更低的输出电荷;

逻辑电平兼容性。

关于无线充电设计的分析和介绍

图1.OptiMOS 5(60V、80V及100V)与前代产品的导通电阻RDS(on)性能比较图

——从上图可以看出,80VOptiMOS 5的导通电阻降幅尤为明显,降低71%,比一半还要多。

关于无线充电设计的分析和介绍

图2.OptiMOS 5(60V、100V)与前代产品的反向恢复电荷Qrr性能比较图

——OptiMOS 5具有更低的反向恢复电荷Qrr以及输出电荷Qoss,使得同步整流电路中的过冲电压更低。

Key Benefits

更高的功率密度;

更高的开关频率;

减少外部器件数量,5V电压即可驱动;

直接由微控制器驱动;

系统成本进一步降低。

图3.OptiMOS 5(60V、80V、100V)采用PQFN3.3×3.3封装

关于无线充电设计的分析和介绍

图4:OptiMOS 5(60V、80V、100V)功率MOSFET产品组合“全家福”

现在很多工程师使用低压驱动MOS,因为相对于一般的功率MOS,低压MOS具有低VGS(th)以及低的Qg,这样能让广大工程师省去在电源设计时多加一个升压电路的烦恼,直接用5V以上电源驱动即可。相信看到这里,会有更多工程师愿意前去“阅读原文”,查看OptiMOS 5功率MOSFET的更多详细资料

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