东芝存储器总部位于美国的子公司Toshiba Memory America,Inc.(TMA)今天宣布推出新的存储器(SCM)解决方案:XL-FLASH 。
XL-FLASH是基于该公司创新的BiCS FLASH 3D闪存技术,每单元1比特SLC,将为数据中心和企业存储带来低延迟和高性能的解决方案。样品将于9月开始出货,预计将于2020年开始量产。
图片来源:东芝官网
介于DRAM和NAND Flash之间,XL-FLASH的速度快,延迟低,并且有更高的存储容量。和传统DRAM相比它的成本也更低。一开始XL-FLASH是被布局在SSD产品上,但之后也会应用在DRAM的产品上,比如未来行业标准的非易失性双列直插式内存模块(NVDIMMs)。
主要特点
128Gb Die(2Die(32GB)、4Die(64GB)、8Die(128GB)封装) ;
4KB Page大小,高效的操作系统的读写 ;
16-plane更高效的并行架构 ;
快速的读取页面和编程时间,XL-Flash提供小于5微秒的低读取延迟,比现有TLC快10倍。
东芝存储器子公司TMA存储业务部高级副总裁兼总经理Scott Nelson表示,“借助XL-FLASH,我们为超大规模制造商和企业服务器/存储供应商提供了一种更具成本效益,更低延迟的存储解决方案,弥补了DRAM与NAND性能之间的差距。”
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原文标题:徐州2019半导体集成电路产业金龙湖峰会召开——中半协副理事长于燮康到会致辞
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