0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

联电、GF退出FinFET高级工艺跟进,凸显FD-SOI价值

YCqV_FPGA_EETre 来源:YXQ 2019-08-06 16:14 次阅读

近日,台联电和格罗方德相继宣布退出FinFET高级工艺研发,这两家排名全球第二第三的晶圆代工厂退出FinFET高级工艺研发,主要是因为这种高级工艺不仅晶圆厂需要投入巨资升级设备,在IC公司端需要投入巨资研发高级工艺,以目前已经量产的麒麟980为例,据华为透露,7nm工艺研发成本远超过3亿美元,所以未来能跟进高级工艺的IC设计公司一定有限,与其大家打破头花巨资抢仅有的几个客户不如发展自己的特色工艺和服务,因此联电和GF停止FinFET高级工艺研发是明智之举。

IBS的Handel Jones公布了高级工艺节点研发成本,这个估计其实还是比较保守,高级研发工艺设计研发成本远高于这个数字。

抛弃FinFET高级工艺的格罗方德其实在FD-SOI工艺方面收获颇丰,在近日召开的GTC(Global Technology Conference)2018大会上,GF公布了该公司在工艺技术上的路线图及计划,从它公布的数据看,12nm以下的高级工艺在整个代工市场上并不占多数,12nm以上的市场今年依然有560亿美元的空间,2020年还会增长到650亿美元。

在工艺方面,GF除了会坚持现有的14/12nm FinFET工艺,未来的重点则是FD-SOI工艺,GF目前量产的就是22nm FD-SOI工艺,简称22FDX,未来还会有12FDX工艺。

在这次论坛上,GF德累斯顿Fab1执行副总裁兼总经理Thomas Morgenstern给汽车电子业者带来了更振奋的消息,他指出格罗方德的FDX平台目前可支持包括ArmRISC-V处理器IP,《6GHz的无线互联,包括蓝牙、WiFi、ZigBee等以及蜂窝通信在内的多种产品开发,而汽车电子方面,GF更有惊喜大礼包!

Morgenstern透露格罗方德重点打造车用芯片制造能力,德累斯顿的Fab 1在2今年年1季度已经通过了车规级验证,22FDX完全满足AEC Q-100的标准。2018年3季度汽车级产品已经tape out,目前Arbe Robotics已经采用了GF 22FDX开发业界首款L4及L5级别的高分辨率实时成像雷达技术

orgenstern也用数据再次用数据证明了FD-SOI工艺在低功耗和射频上的优势,例如FDX平台逻辑单元电压可降低至0.4V,Memory的待机功耗为1pA/cell,保持电压就可以降低到0.28V。在射频方面,FD-SOI擅长包括RF/LDMOS,毫米波,模拟应用(大于400GHz)的应用!而且FD-SOI独有的体偏置可以实现更好的电源效率。还有,FD-SOI中eMRAM的应用也可以实现极低功耗的嵌入式存储。

这是他公布的一些对比数据,显示22FDX平台和12FDX性能比28体硅工艺以及FinFET工艺都有优势,例如12FDX的性能指标超过了10nm FinFET工艺直逼7nm FinFET工艺! 而且FDX的掩膜数量要比10LPP少40%!这都是节省下来的成本哦!关键FD-SOI工艺良率还很高!这是公布的几个产品的良率!都95%以上!

Morgenstern表示通过调查数据显示两年来,对FD-SOI感兴趣的公司越来越多,尤其在射频相关应用中,客户越来越接受FD-SOI所带来的好处。

GF公司的22FDX工艺已经获得了客户的认可,早前GF就公告称已经获得了超过20亿美元的订单,涉及IoT工业、汽车电子、网络、加密货币、移动、数模等等多个市场。未来随着摩尔定律放慢,单芯片集成会大大增加,尤其和射频的集成,这就是FD-SOI工艺的优势了!所以GF喊出了“Thinking RF? Think GF first!“的口号!

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 联电
    +关注

    关注

    1

    文章

    289

    浏览量

    62419
  • 格罗方德
    +关注

    关注

    1

    文章

    63

    浏览量

    21492

原文标题:“人工智能落地应用与趋势”沙龙报名开启了!!!

文章出处:【微信号:FPGA-EETrend,微信公众号:FPGA开发圈】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    FD-SOI成≥12nm和≤28nm区间更好的选择,三星、格罗方德等公司如何布局?

      电子发烧友网报道(文/吴子鹏)全耗尽型绝缘体上硅(FD-SOI)是一种平面工艺技术,能利用衬底偏压(body bias)提供广泛的性能以及功耗选项,兼具低功耗、近二维平面、高性能、低成本的特点
    的头像 发表于 10-28 06:57 2125次阅读
    <b class='flag-5'>FD-SOI</b>成≥12nm和≤28nm区间更好的选择,三星、格罗方德等公司如何布局?

    解读芯原股份基于FD-SOI的RF IP技术平台:让SoC实现更好的通信

    空间。当然,从AIoT这个应用方向也能够看出,RF IP对于基于FD-SOI工艺打造芯片是至关重要的。   在第九届上海FD-SOI论坛上,芯原股份无线IP平台高级总监曾毅分享了主题为
    发表于 10-23 16:04 226次阅读
    解读芯原股份基于<b class='flag-5'>FD-SOI</b>的RF IP技术平台:让SoC实现更好的通信

    三星电子:18FDS将成为物联网和MCU领域的重要工艺

    电子发烧友网报道(文/吴子鹏)今年上半年,三星在FD-SOI工艺上面再进一步。3月份,意法半导体(STMicroelectronics)宣布与三星联合推出18nm FD-SOI工艺。该
    发表于 10-23 11:53 229次阅读
    三星电子:18FDS将成为物联网和MCU领域的重要<b class='flag-5'>工艺</b>

    设计中标收入已逾20亿美元,格罗方德FDX下一步如何走?

    22FDX工艺,在这个工艺上格罗方德取得了值得肯定的成绩。   在2024年第九届上海FD-SOI论坛上,格罗方德亚洲区总裁兼中国区主席洪启财受邀出席,他在题为《解锁未来:推动 FDX®(FD
    发表于 10-23 10:46 268次阅读
    设计中标收入已逾20亿美元,格罗方德FDX下一步如何走?

    IBS首席执行官再谈FD-SOI对AI的重要性,在≥12nm和≤28nm区间FD-SOI是更好的选择

    电子发烧友网报道(文/吴子鹏)2024年10月23日,第九届上海FD-SOI论坛在浦东香格里拉酒店召开,FD-SOI产业链产业上下游企业再次汇聚一堂,其中包括多位行业重量级嘉宾,比如IBS首席执行官
    发表于 10-23 10:22 327次阅读
    IBS首席执行官再谈<b class='flag-5'>FD-SOI</b>对AI的重要性,在≥12nm和≤28nm区间<b class='flag-5'>FD-SOI</b>是更好的选择

    芯原戴伟民博士回顾FD-SOI发展历程并分享市场前沿技术

    ,以及芯原在FD-SOI提供的解决方案。   全耗尽型绝缘体上硅(FD-SOI)是一种平面工艺技术,从结构上看, FD-SOI晶体管的静电特性优于传统体硅技术。埋氧层可以降低源极和漏极
    发表于 10-23 10:02 463次阅读
    芯原戴伟民博士回顾<b class='flag-5'>FD-SOI</b>发展历程并分享市场前沿技术

    Agile Analog扩展合作版图:携手格芯提供定制模拟IP

    近日,英国剑桥的半导体知识产权(IP)领军企业Agile Analog宣布了一项重要里程碑,成功在格罗方德(GlobalFoundries,简称格芯)的FinFET及FDX FD-SOI先进工艺平台
    的头像 发表于 07-27 14:41 942次阅读

    首次退出咏董事会,但两家公司将深化合作

    针对此事,4月22日澄清说,咏董事席位并非他们所追求,而此次调整主要旨在协助咏完善公司治理结构,增设独立董事一职。鉴于咏乃
    的头像 发表于 04-22 16:39 664次阅读

    意法半导体突破20纳米技术节点,打造极具竞争力的新一代MCU

    意法半导体(简称ST)发布了一项基于18纳米全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)技术并整合嵌入式相变存储器(ePCM)的先进制造工艺,支持下一代嵌入式处理器升级进化。
    的头像 发表于 03-25 18:13 1003次阅读

    意法半导体携手三星推出18nm FD-SOI工艺,支持嵌入式相变存储器

    据悉,FD-SOI 是一种先进的平面半导体技术,能够通过简化制作流程进行精准的漏电流控制,相较于现有的 40nm EPM 技术,新工艺大幅度提高了性能指标:能效提升 50%,数字密度增加三倍有余,并能够承载更大的片上存储和更低的噪音系数。
    的头像 发表于 03-21 14:00 589次阅读

    FD-SOI与PD-SOI他们的区别在哪?

    本文简单介绍了两种常用的SOI晶圆——FD-SOI与PD-SOI
    的头像 发表于 03-17 10:10 1699次阅读
    <b class='flag-5'>FD-SOI</b>与PD-<b class='flag-5'>SOI</b>他们的区别在哪?

    射频前端底层技术的卓越性能,RF-SOI为5G赋能

    FD-SOI,其中RF-SOI作为一种重要的射频芯片材料技术,虽然很少被提及,但在很多设备上都有重要的应用。   射频前端底层技术   射频前端的重要性不言而喻,是任何通信系统核心中的核心,RF-SOI正是用于各种射频器件,目
    的头像 发表于 02-19 00:59 3495次阅读

    有没有谁做过DSP、微型逆变器/微逆变/大型工业逆变器、嵌入式软件的软硬件高级工程师?

    急需 DSP、微型逆变器/微逆变/大型工业逆变器、嵌入式软件等丰富经验的软件高级工程师、硬件高级工程师,深圳,面议面议,自荐/推荐请联系我。欢迎来询zsrfwk@163.com
    发表于 12-14 17:32

    谷歌 Pixel 6 拆解,FD-SOI首次被用于5G毫米波

    谷歌 Pixel 6 拆解,FD-SOI首次被用于5G毫米波
    的头像 发表于 12-07 16:15 435次阅读
    谷歌 Pixel 6 拆解,<b class='flag-5'>FD-SOI</b>首次被用于5G毫米波

    FinFET工艺之self-heating概念介绍

    当做到FinFET工艺时才了解到这个名词,在平面工艺时都没有接触SHE(self-heating effect)这个概念。为什么到FinFET下开始需要注意SHE的影响了呢?下面参考一
    的头像 发表于 12-07 09:25 2099次阅读
    <b class='flag-5'>FinFET</b><b class='flag-5'>工艺</b>之self-heating概念介绍