东芝推出内存和硬盘合二为一的SCM存储级内存

电脑的运作需要有内存和硬盘两个部件来共同完成数据储存：内存速度快但容量小、断电后记忆会丢失，硬盘速度慢但容量大并且能够长久保存数据。有没有可能让内存和硬盘合二为一呢？

SCM存储级内存兼具二者之长，既能持久存储数据，又具备极高的速度，因而也被成为Persistent Memory持久内存，它是近年来半导体存储的发展新方向。东芝宣布了XL-Flash，它就属于持久内存类型。

为了让NAND闪存的速度能够达到内存级的水平，东芝在BiCS 3D闪存结构之上进行了大幅度的优化调整，首先是用4KB Page取代当前3D NAND闪存普遍采用的16KB Page结构，带来更低的读写延迟和更佳的随机存取效能。

其次是在XL-FLASH中使用16 Plane架构取代目前出现在BiCS3闪存中的2 Plane架构，带来更强的并发读写能力。

在之前公开的计划中东芝未来会在3D TLC闪存中使用4Plane取代2Plane结构，写入性能将获得大幅的提升提升。我们可以由此想象XL-FLASH中16Plane结构的威力。

东芝将在XL-FLASH中采用SLC，即1 bit per cell结构，实现更高速度与更高耐用性。经过以上的优化，东芝XL-FLASH实现了小于5微秒的超低读取延迟，相比当前3D TLC的50微秒降低了10倍，成功填补TLC NAND闪存与DRAM内存之间的性能空位。

按照东芝的规划，XL-FLASH会被首先应用于数据中心以及企业级存储当中，在分层存储以及内存扩展方面提供性能助力。XL-FLASH的成本虽然比普通3D TLC要高，但凭借更接近内存的存取延迟，依然在SCM存储级内存中具备显著成本/性能优势。

当然，XL-FLASH目前还只是刚刚发布的状态，距离实用化、家用化还有很长一段路要走。近期我们可以关注的是东芝消费级的两款NVMe固态硬盘新品：RD500与RC500。

RD500和RC500分别使用8通道和4通道主控设计，支持PCIe 3.0 x4接口与NVMe 1.3协议，搭配东芝第四代BiCS 3D TLC闪存。