SK海力士计划明年开始量产HBM2E DRAM

SK海力士开发的HBM2E DRAM产品具有业界最高的带宽。与之前的HBM2相比，新款HBM2E拥有大约50％的带宽和100％的额外容量。

该公司透露，SK Hynix的HBM2E支持超过每秒460GB的带宽，基于每个引脚的3.6Gbps速度性能和1,024个数据I / O. 通过利用TSV（硅通孔）技术，最多可以垂直堆叠8个16千兆位芯片，形成一个16GB数据容量的单个密集封装。

SK海力士表示其HBM2E是第四个工业时代的最佳内存解决方案，支持需要最高内存性能的高端GPU，超级计算机，机器学习和人工智能系统。不同于采取模块封装形式并安装在系统板商品DRAM产品，HBM芯片紧密互连到处理器，例如GPU和逻辑芯片小号，相距只有很少?单位分开，这允许更快的数据传送。

“自2013年全球首个HBM发布以来，SK海力士已确立了其技术领先地位，”HBM业务战略公司负责人Jun-Hyun Chun表示。“SK海力士将于2020年开始量产，预计HBM2E市场将开放，并继续加强其在优质DRAM市场的领导地位。”