今后的高细密线宽/间距将由0.20mm-O.13mm-0.08mm—0.005mm,才能满足SMT和多芯片封装(Multichip Package,MCP)要求。因此要求采用如下技术。
①采用薄或超薄铜箔(《18um)基材和精细表面处理技术。
②采用较薄干膜和湿法贴膜工艺,薄而质量好的干膜可减少线宽失真和缺陷。湿法贴膜可填满小的气隙,增加界面附着力,提高导线完整性和精度。
③采用电沉积光致抗蚀膜(Electro—deposited Photoresist,ED)。其厚度可控制在5~30/um范围,可生产更完美的精细导线,对于狭小环宽、无环宽和全板电镀尤为适用,目前全球已有十多条ED生产线。http://www.pcbinf.com
④采用平行光曝光技术。由于平行光曝光可克服“点”光源的各向斜射光线带来线宽变幅等的影响,因而可得线宽尺寸精确和边缘光洁的精细导线。但平行曝光设备昂贵,投资高,并要求在高洁净度的环境下工作。
⑤采用自动光学检测技术(Automatic Optic Inspection,AOI)。此技术已成为精细导线生产中检测的必备手段,正得到迅速推广应用和发展。
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