长距离电动汽车应用中 SiC 功率器件的有效实现

电动和混合动力电动汽车 (EV/HEV) 的电池颇受关注，然而，工程实际却是整个动力管理子系统 — 包括基本电机驱动、车载和外部充电器、电源使用和再生制动等功能，都与提高 EV 性能同等重要。因此，随着 EV 需求量持续增长，人们越来越重视改良组件的开发和利用，以此优化 EV 电池使用并延长汽车行驶里程。

由作为功率控制器件的标准金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 渡越为基于碳化硅 (SiC) 基底和工艺技术的 FET，标志着向 EV 能效和系统整体特性提升迈出的重要一步。不过，SiC 器件的关键规格和驱动要求都与 MOSFET 有所区别，只有深入了解才能充分发挥其优势。

本文概述了 EV 和 HEV 的动力要求，解释 SiC 基功率器件适合此类应用的原因，并阐明其辅助器件驱动器的功能。本文先简要讨论通过汽车级 AEC-Q101 标准鉴定对分立式器件的意义，然后介绍ROHM Semiconductor推出的两款通过 AEC 标准鉴定的 SiC 功率器件，并重点强调成功设计必须考虑的关键特性。

为 EV 和 HEV 提供动力

内燃机 (IC)、EV 和 HEV 等所有汽车对动力子系统的需求一直呈指数级增长，以支持高级辅助驾驶系统 (ADAS)、电动车窗、车门和后视镜、内部网络及连接、雷达、娱乐系统、GPS 等功能。

IC 车辆的主要电源通常采用 12 V，100 至 200 Ah 的标准铅酸电池。不过，相较于 EV 电池，其电量要求相对较小，因为 EV 电池还必须为“原动机”供电（图 1）。因此，EV 电池组容量范围为 50 至 150 kWh，具体取决于车辆功能、尺寸和供应商，电压典型值为 200 至 300 V。如需进行同环境比较，则使用以下公式将其转换为 Ah：Ah = (kWh × 1,000)/V。

图 1：EV 基于电池的动力子系统为牵引电机及相关功能，以及如今驾驶员所期望的许多标准特性和功能供电。（图片来源：ROHM Semiconductor）

除了使用许多小型 DC/DC 转换器实现内部功能和充电外，许多 EV（但不全是）还通过直流/交流 (DC/AC) 转换器为牵引电机提供变频交流电 (AC)。牵引电机的额定功率范围从约 150 hp（低端车辆）到 500 hp 以上（顶级特斯拉）。按 1 hp 约等于 750 W 计算，电机的耗电量相当大。

动力子系统整体能效的决定因素众多，其中最重要的还属开关稳压器的性能。该器件可将原始电能转换为传动系统和电池充电所需的电压/电流。

原因很简单，电流水平达到数百安培时，基本的阻抗 (IR) 压降就成了关键参数。例如，100 A 时，即便只是 100 mΩ 的导通电阻 (RDS(ON)) 也会在两方面产生不利影响：一是 10 V 的输送电压损耗，二是必须管理 100 W 的耗散功率 (I2R)。除 RDS(ON)损耗外，DC/AC 和 DC/DC 转换器的开关损耗也会降低能效，缩短电池续航时间，并且增加热负荷和耗散功率。

为什么要考虑 SiC？

众所周知，针对这些静态损耗，降低 IR 压降和 I2R 损耗的常用策略有两种：1) 降低导通电阻；2) 提高系统工作电压从而降低所需电流，却可为负载提供等量功率。任何以期降低动态开关损耗的器件改进（通常与器件物理特性、开关频率及其他因素有关）都会产生巨大影响。

过去数十年间，市面上主要的功率开关器件是硅 (Si) 基 MOSFET 和绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)。尽管技术进步显著提高了器件性能，但改进已基本进入平台期。与此同时，EV 应用却需要性能表现更佳的开关器件兼具可行性和吸引力。

所幸过去数十年间，另一种固态 MOSFET 工艺技术已然成熟：这种技术基于由硅和碳通过共价键连接而成的碳化硅 (SiC) 材料，而非全硅材料。尽管 SiC 拥有百余种不同型态（独特结构），但由于生产和加工原因，4H 型和 6H 型最受青睐。

相较于全 Si MOSFET，SiC MOSFET 在许多关键属性上具有绝对优势：

SiC 的临界电场约为 Si 的 8 倍，因此非常适合用作功率半导体器件。高介电强度可使芯片更薄，掺杂层相对较厚，并且损耗更低。

SiC 的导热率约为 Si 的 3 倍，因此产生的全部热量都可以通过传导传递，材料本身的温度自然就低得多。

SiC 的熔点相当高，因此工作温度可达 400℃ 以上（标准 Si 器件最高达 150℃）。较高的工作温度极大简化了冷却要求，使 SiC 器件即使在更高的环境温度下工作，温差仍足以支持热量的传导和对流。

SiC 支持的最大电流密度是硅器件的 2 至 3 倍，因此在给定功率水平下可以降低元器件和系统成本。

如表 1 所示，标准硅、4H SiC 和 6H SiC 本身的临界电气特性规格显然各有不同。SiC 的带隙能量和临界电场值较高，因而工作电压相对较高；电子和空穴迁移率较小，开关损耗较低，因而工作频率较高（所需滤波器和无源元器件也相对较少）。此外，较高的导热率和工作温度也简化了冷却要求。

电气特性 Si SiC (4H) SiC (6H) 金刚石 带隙能量 (eV) 1.12 3.28 2.96 5.5 临界电场 (MV/cm) 0.29 2.5 3.2 20 电子迁移率 (cm²/VS) 1200 800 370 2200 空穴迁移率 (cm²/VS) 490 115 90 1800 导热率 (W/cmK) 1.5 3.8 3.8 20 最高结温 (℃) 150 600 600 1927

表 1：硅、两种型态的 SiC 与金刚石（用以对照）的基本材料级关键电气特性。（表格来源：Semantic Scholar）

SiC 成熟度与 AEC-Q101

不过，SiC 器件从理论推断过渡到具体实现，发展并非一路顺畅快捷。但是在过去十年间，经过数次更新换代，每一次都伴随着工艺的改进和结构的重大变化，SiC 基 MOSFET 终于发展成熟。

例如，ROHM Semiconductor 长期以来提供的第 2代 SiC 器件已广泛应用于汽车领域。第 2代 SiC 器件等标准 SiC MOSFET 大多采用共面结构，随着芯片尺寸减小将逐渐接近 FET 内阻下限（图 2）。相比之下，ROHM 的第 3代产品采用双沟槽结构（栅极沟槽和源极沟槽），从而有效减小沟道尺寸和导通电阻。

图 2：ROHM 的SiC器件由第 2代过渡到第 3代，伴随着工艺的改进和结构的重大变化。（图片来源：ROHM Semiconductor）

ROHM 的第 3代 SiC MOSFET 采用专有沟槽式栅极结构。相较于现有的共面型 SiC MOSFET，这种结构使导通电阻减少 50％，输入电容减少 35％，从而显著降低开关损耗，提高开关速度和能效。此外，相比 600 V 和 900 V 的器件，1200/1800 V 的 SiC MOSFET 芯片面积更小（因此封装尺寸更小），体二极管的恢复损耗也相对较低。

符合 AEC 标准

伴随成熟 SiC 器件及此前数代产品的另一个问题在于，是否能够通过 AEC-Q101 标准鉴定。该标准基于美国汽车电子委员会 (AEC) 颁布的一套规范。该委员会由主要汽车制造商和美国电子元器件制造商组成，负责构建汽车电子可靠性测试体系。主要协议有：

AEC-Q100（IC 器件）

AEC-Q101（MOSFET 等分立元器件）

AEC-Q102（分立光电元件）

AEC-Q104（多芯片模块）

AEC-Q200（无源元器件）

相比工业应用中广泛采用的其他标准，AEC-Q101 标准更为严格。AEC 规范设立了一系列等级，如表 2 所示。SiC 器件可以满足 0 级（-40℃ 至 +150℃），而全硅器件往往达不到该等级。1 级适用于车内应用，确保器件可在 -40℃ 至 +125℃ 的环境温度范围内稳定运行，但传动系统和发动机舱内应用则需要 0 级。

领域 汽车 商业/工业 压力条件 取决于所需温度等级 0 级：-40℃ 至 +150℃ 1 级：-40℃ 至 +125℃ 2 级：-40℃ 至 +105℃ 3 级：-40℃ 至 +85℃ 4 级：0℃ 至 +70℃ 符合 1 级，可能提升 电气测试 室温，以及每个温度等级对应的冷热极端温度 室温 ESD-CDM 边角引脚 = 750 V（最小值），所有其他引脚 = 5000 V（最小值），分别采用不同的测试方法和测试仪 所有引脚 = 250 V（最小值） 物理尺寸 所有尺寸的 Cpk > 1.33 和 Ppk > 1.67 符合规格书规定 汽车级标准鉴定的特殊压力测试 电源温度循环 温度循环后的键合拉力 早期寿命故障率 无 鉴定批次的组成 所有鉴定类型都包括 3 个非连续晶圆批次和 3 个非连续组装批次 晶圆制造厂技术鉴定 = 3 个晶圆批次，封装鉴定 = 3 个组装批次

表 2：相比商业和工业应用中采用的其他标准，AEC 可靠性鉴定标准更具挑战性。（表格来源：Texas Instruments）

请注意，据某些供应商报告称，工业应用开始逐步采用 AEC-Q100 系列规范以确保增强可靠性。从成本角度来看，此举确实可行。由于电子设备和元器件广泛应用于汽车，显著降低了工业应用与汽车应用之间的价格差异。

SiC 器件支持中等至大电流设计

SiC 器件不单单适用于 EV 的大电流应用。除传动系统外，许多低功率功能（例如电动座椅/车窗、座椅和车厢加热器、电池预热器、交流电机、动力转向系统）也可受益于 SiC MOSFET 的特性。

例如，ROHM 的SCT3160KL是一款 N 沟道 SiC 功率 MOSFET，经优化负载高达 17 A（图 3）。该器件采用 TO-247N 封装，尺寸仅为 16 mm（宽）x 21 mm（高）x 5 mm（厚），通过背面的散热接片可轻松连接至散热器（图 4）。由其顶级规格可知，该器件适用于中等电流和功率要求的应用（表 3）。

图 3：ROHM 的 SCT3160KL 是一款基本 N 沟道 SiC 功率 MOSFET，负载高达 17 A。（图片来源：ROHM Semiconductor）

图 4：SCT3160KL 封装尺寸为 16 mm × 21 mm × 5 mm，通过背面的散热接片可提供增强的散热功能。（图片来源：ROHM Semiconductor）

VDSS 1200 V RDS(ON)（典型值） 160 mΩ ID 17 A PD 103 W

表 3：SCT3160KL 的基本规格表明，该器件适合驱动 EV 中许多较小负载或为其他应用供电。（表格来源：ROHM Semiconductor）

如最大安全工作区域 (SOA) 图所示，该 SiC 器件适用于脉冲工作周期，典型代表为高压开关电源和高压稳压器（图 5）。

图 5：SCT3160KL 的 SOA 图显示并规定了漏电流、漏源电压和脉冲功率处理的最大限值。（图片来源：ROHM Semiconductor）

当然，电流越大，SiC 基器件的优势越明显。ROHM 的SCT3022AL也是一款采用 TO-247N 封装的 N 沟道 SiC 功率 MOSFET。由主要规格（表 4）和 SOA（图 6）可知，由于导通电阻较小，额定电流较大，该器件适用于电机驱动功率转换、电池管理以及 EV 电池充电。

VDSS 650 V RDS(ON)（典型值） 22 mΩ ID 93 A PD 339 W

表 4：由于较低的导通电阻及其他属性，ROHM 的 SCT3022AL N 沟道 SiC 功率 MOSFET 适用于大电流设计。（表格来源：ROHM Semiconductor）

图 6：SCT3022AL N 沟道 SiC 功率 MOSFET 的 SOA 图清楚表明，该器件可有效支持电流和功率相对较大的应用。（图片来源：ROHM Semiconductor）

SiC FET 的辅助栅极驱动器

无论是硅 MOSFET、SiC FET 还是 IGBT，功率器件本身只是功率转换/控制设计的一部分。实际上，大功率“信号链”运行需要三大功能：控制器、栅极驱动器和功率半导体。

在驱动特性方面，SiC 器件与 Si 器件（和 IGBT）虽有类似，却仍有较大差异。例如，由于 SiC MOSFET 的跨导较低，从线性（阻性）区域到饱和区域的过渡相对平缓，不似 Si 器件一般明显，因此导通状态下，SiC 器件的栅源电压 (VGS) 大于 20 V，而关断状态下则介于 -2 V 至 -5 V 之间（因为 VGS阈值的噪声容限较低）。

SiC 驱动器需要满足以下条件：

供电电压相对较高（25 至 30 V），通过低传导损耗实现高能效

具有较大驱动电流（典型值 > 5 A）、低阻抗和快速压摆率，瞬态电压变化率 (dV/dt) 较小，使驱动电流流入和流出栅极电容时开关损耗更低

快速短路保护（典型响应值 <400 ns），因为 SiC 器件的开关速度比 Si 器件快

降低传播延迟和器件间偏移（同样可提高能效）

具有超高 dV/dt 抗扰度，可确保在高电压大电流工作环境中稳定运行

SiC 基 FET、Si MOSFET 与 IGBT 的差异一览表如下。

功率开关 Si MOSFET Si IGBT SiC 开关频率 高 (>20 kHz) 低至中等（5 kHz 至 20 kHz） 高 (>50 kHz) 基本保护 无 有 - 去饱和、米勒箝位 有 - 电流检测、米勒箝位 最大 VDD（电源） 20 V 30 V 30 V VDD范围 0 V 至 20 V 10 V 至 20 V -5 V 至 25 V 工作 VDD 10 V 至 12 V 12 V 至 15 V 15 V 至 18 V UVLO 8 V 12V 12 V 至 15 V CMTI 50 V/ns 至 100 V/ns <50 V/ns >100 V/ns 传播延迟 越小越好 (<50 ns) 大（不严重） 越小越好 (<50 ns) 电源轨电源 最高 650 V >650 V >650 V 典型应用 电源 - 服务器、数据通信、电信、工厂自动化、车载和外部充电器、太阳能 U 型逆变器和组串逆变器 (<3 kW)，以及 400 V 至 12 V 的 DC/DC 转换器- 汽车 电机驱动（交流电机）、UPS、太阳能集中和组串逆变器 (<3 kW)，以及汽车牵引逆变器 PFC - 电源、太阳能逆变器、EV/HEV 的 DC/DC 转换器和 EV 牵引逆变器、电机驱动和铁路

表 5：虽然 Si 基 MOSFET 和 IGBT 的驱动要求大致相同，但 SiC 器件的驱动规格却大不相同。（表格来源：Texas Instruments）

由于这些器件与各种其他系统拓扑因素都在高压下运行，因此设计标准中通常包括爬电距离和间隙尺寸相关的监管问题。此外，在控制器和功率器件之间进行电流（阻性）隔离总是必要之举。

电流隔离可以使用独立元器件布置于控制器和驱动器之间，也可以使用多芯片驱动器的内置功能。后者可使整体占用空间更小，但是一些设计人员更倾向于使用独立隔离器，以便选择隔离技术（例如磁、光、电容）以及性能规格。

例如，Texas Instruments 的UCC27531-Q1是一款通过 AEC-Q100 标准鉴定（1 级）的非隔离式单通道高速栅极驱动器，可用于 SiC（及其他）器件（图 7）。VDD为 18 V 时，峰值拉电流高达 2.5 A，灌电流达 5 A。不对称驱动模式下的强大灌入功能，提高了系统免受寄生米勒导通效应干扰的能力。驱动 1800 pF 负载时，传播延迟为 17 ns（典型值），快速上升/下降时间为 15/7 ns，因此该器件适合驱动 SiC 器件。

图 7：Texas Instruments 的 UCC27531-Q1 非隔离式栅极驱动器，满足 SiC 开关器件的技术要求。（图片来源：Texas Instruments）

这款采用 6 引脚 SOT-23 封装的小型驱动器看似功能简单，却能有效满足 SiC 器件的特定驱动需求。

该器件的输出级采用独特的架构，从而在最需要时提供峰值拉电流，即功率开关导通时的米勒平台区域，此时功率开关漏极/集电极电压的 dV/dt 最大（图 8）。实现方法是在输出由低电平转为高电平时，栅极驱动器输出峰值拉电流，N 沟道 MOSFET 则在这一瞬间实现快速导通。

图 8：Texas Instruments 的 UCC27531-Q1 栅极驱动器增加了特殊电路和时序，最大限度地增大拉电流，并在 SiC 功率器件最需要的瞬间提供。（图片来源：Texas Instruments）

Power Integrations的SIC1182K是隔离式 SiC 驱动器解决方案，这款 8 A 单通道 SiC 栅极驱动器具有高达 1200 V 的高级有源钳位和增强隔离。请注意，这款隔离式 SiC 驱动器模块未通过 AEC 标准鉴定，不过 Power Integrations 推出的类似产品 SID11x2KQ MOSFET/IGBT 栅极驱动器系列通过了 AEC-100 标准 1 级鉴定。例如，SID1182KQ-TL是一款 8 A/1200 V 单通道 IGBT/MOSFET 栅极驱动器。

SIC1182K 采用 16 引脚 eSOP-R16B 封装（9 mm x 10 mm x 2.5 mm），具有 9.5 mm 的爬电距离和间隙（符合监管规定），以及亦可作为散热路径的有效初级侧接地连接（图 9）。隔离采用该公司专有的固体绝缘 FluxLink 技术，而该驱动器已获得 VDE 0884-10 认证和 UL 1577 认证（申请中）。

图 9：Power Integrations 的 SIC1182K 隔离式 SiC 栅极驱动器引脚 3、4、5 和 6 的合并连接，可提供导热路径以及有效的初级侧接地连接。（图片来源：Power Integrations）

SIC1182K 可通过同一个检测引脚实现导通阶段的短路保护，以及关断时的过压限制（通过高级有源钳位）。隔离式栅极驱动器必须连接初级/次级侧电源和接地、逻辑控制和驱动输出。如需实现更强大的驱动能力，也提供其他连接（图 10），其中包括：逻辑故障信号（开漏）、输入检测（导通短路检测和关断过压限制）、自举和电荷泵电压源，以及次级侧基准电位。

图 10：SIC1182K 隔离式 SiC 栅极驱动器增加的引脚可以在实际电路中增强驱动能力，多用于解决故障和不良问题。（图片来源：Power Integrations）

总结

可行的 EV 应用必须具备高端电池和高性能电源管理，而两者均可由 SiC MOSFET 等先进的功率开关器件提供。如上所述，第 2代和第 3代器件的多个性能参数在导通电阻、损耗、开关性能和热性能等方面均优于现有 Si 器件。

然而，为了充分发挥这些高性能 SiC 器件的潜力，设计人员还必须选择符合应用需求的栅极驱动器。