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中芯国际在国内推出首个14nm FinFET工艺风险产品

jf_1689824270.4192 来源:电子发烧友网 作者:jf_1689824270.4192 2019-08-20 09:25 次阅读

国内半导体制造商中芯国际(SMIC)于8月8日宣布,已开始使用FinFET工艺生产半导体芯片,并计划在2019年底前将其市场化。

这是该公司2019年第二季度财务报告中公布的内容,其联合首席执行官赵海军博士和梁孟松博士表示,“FinFET的研发工作继续加速。”该公司的14纳米工艺目前正处于风险生产阶段,预计将在年底前实现盈利。

此外,该公司还开始与12nm工艺的客户合作,提供了第一代FinFET技术的增强版本。并抓住5G / IoT /汽车和其他行业趋势的机会实现突破。

据SMIC称,14nm FinFET制造技术已在内部开发,与平面28nm工艺制造设备相比,预计将显着提高晶体管密度和性能,并降低功耗。

在2019年初,该公司宣布在今年上半年开始生产14nm,预计将略微落后于原始路线图。

该公司在其第一季度收益报告中宣布,为FinFET工艺生产而建造的Southern FinFET Fab已经完成,12nm工艺的开发正处于客户的指导阶段。

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