在当前内存市场需求疲软的环境下,三星、美光和SK海力士相继发布1z nm内存芯片,抢进高端内存市场。并计划下半年开始量产,并于2020年在新一代服务器、高端PC及智能手机等应用发力。
三星1znm 8Gb DDR4生产率提高20%以上,下半年量产
据笔者此前获悉,在今年3月,三星开始大规模量产12GB 低功耗双倍数率的LPDDR4X后,三星又宣布首次开发出第三代10nm级1z nm 8Gb双倍数据速率的DDR4。
这是三星自2017年底批量生产第二代10nm级(1y-nm)8Gb DDR4以来,仅仅16个月就开发出了1z nm 8Gb DDR4,而且不使用极紫外光刻(EUV)设备处理,就突破了DRAM的技术挑战。
三星1z nm是业界最小的存储器工艺,新的1z nm DDR4相较于1ynm生产率可提高20%以上,计划将在下半年开始量产1z nm 8Gb DDR4,并将在2020年推出新一代企业服务器和高端PC应用的DRAM,满足未来市场日益增长的需求。
开发的1z nm DRAM为加速向下一代如DDR5,LPDDR5和GDDR6过渡铺平了道路,这些将为未来创新提供动力。同时,三星开发更具高容量和高性能的1z nm产品将增强其业务竞争力,巩固其在高端DRAM市场中的领导地位,包括服务器、图形和移动设备等领域。
该公司正积极与全球客户合作,在与CPU制造商进行8GB DDR4模块的全面验证后,将提供一系列存储解决方案。同时,三星在其平泽工厂生产先进的DRAM产品,满足市场不断增长的需求。
三星电子DRAM产品与技术执行副总裁李荣培(Jung Bae Lee)表示:“我们致力于突破技术领域的最大挑战,推动实现更大的创新。很高兴能再次为下一代DRAM的稳定生产奠定基础,确保性能和能源效率的最大化。随着我们推出1z nm的DRAM系列产品,三星将继续致力于支持其全球客户部署尖端系统,并满足高端内存市场的增长。”
美光开始量产16Gb 1z nm DDR4内存,功耗降低40%
8月,根据TPU的报道,美光已经开始量产1z nm的16Gb DDR4,密度更高,功耗降低了40%。
据介绍,与前一代1Y工艺相比,1z nm工艺的16Gb DDR4产品具有更高的比特密度,性能略有提高,成本也更低。与前几代8Gb DDR4 RAM解决方案相比,新节点还使功耗降低了40%。
美光还宣布,它已经开始批量出货业界容量最大的单片16Gb低功耗 LPDDR4X DRAM,1z nm LPDDR4X和uMCP4产品主要针对智能手机。
美光在DRAM市场的主要竞争对手三星(Samsung)去年春季宣布,将在今年下半年开始生产1z nm 8Gb DDR4模块,为下一代DDR5、LPDDR5和GDDR6内存产品的推出做准备。
SK海力士宣布开发第三代1Z nm内存芯片 年内完成批量生产
10月21日,SK海力士今天宣布开发适用第三代1z nm DDR4 DRAM,据称,这款芯片实现了单一芯片标准内业界最大容量的16Gb,在一张晶圆中能生产的存储量也是现存的DRAM内最大。
与上一代1Y产品相比,该产品的生产率提高了约27%,由于可以在不适用超高价的EUV(极紫外光刻)曝光工艺的情况下进行生产,其在成本上具有竞争优势。
新款1z nm DRAM支持高达3200 Mbps的数据传输速率,据称是DDR4规格内最高速度。在功耗方面,与基于第二代8Gb产品的相同容量模组相比,功耗降低约40%。
第三代产品适用前一代生产工艺中从来没使用过的新材料,将DRAM操作的关键要素静电容量(Capacitance)最大化。此外,还引进了新的设计技术,提高了动作稳定性。
接下来,SK海力士计划将第三代10nm级微细工程技术扩展到多种应用领域,包括下一代移动DRAM LPDDR5和最高端DRAM HBM3等。
DRAM 1z开发事业TF长李廷燻表示,该芯片计划年内完成批量生产,从明年开始正式供应。
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