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大功率可控硅触发电路

姚小熊27 来源:xx 2019-10-28 08:52 次阅读

可控硅触发电路

* 以镍铬、铁铬铝、远红外发热元件及硅钼棒、硅碳棒等为加热元件的温度控制。* 盐浴炉、工频感应炉、淬火炉、熔融玻璃的温度加热控制。

* 整流变压器、调功机(纯电感线圈)、电炉变压器一次侧、直流电机控制

* 单相电焊机、电阻焊机、点焊机控制等各种调场合。

* 单相风机水泵调速节能控制

* 电压、电流、功率、灯光等无级平滑调节。用单结晶体管构成的晶闸管触发电路如图第一个图所示,触发电路的有关电压波形如下第二个图所示。与单结晶体管构成弛张振荡电路相比较,电路的振荡部分相同,同步是通过对电源电路的改进实现的。取自主电路的正弦交流电通过同步变压器T 降压,变为较低的交流电压,然后经二极管整流桥变成脉动直流。稳压管VW 和电阻RW的作用是“削波”,脉动电压小于稳压管的稳压值时,VW 不导通,其两端的电压与整流输出电压相等;如果脉动电压大于稳压管的稳压值,将使VW 击穿,其两端电压保持稳压值,整流桥输出电压高出稳压值的部分降在电阻RW上。这样VW 两端的电压波形近似于一个梯形波,用这个电压取代弛张振荡电路中的直流电源,起到同步作用。

大功率可控硅触发电路
大功率可控硅触发电路

由于振荡电路的电源为梯形波,在主电路正弦波每一半波结束和开始的一段时间,振荡电路的电源电压很小,电路不振荡,同时电容电压释放到0。当电源电压接近梯形波的顶部时,振荡电路开始工作,当电容充电使两端的电压达到单结晶体管峰点电压Vp时,单结晶体管导通电容放电,放电电流流过R1与被触发晶闸管的门极的并联电路形成输出,为晶闸管提供触发脉冲,使晶闸管导通。然后电路进入下一振荡周期,但晶闸管一经导通门极就失去控制作用,一个电源电压半周中振荡电路输出的脉冲只是第一个起到触发作用,后面的脉冲是无效的。在主电路电压的半周接近结束时,振荡电路的电源电压进入梯形波的斜边并迅速下降,振荡电路停振,同时电容电压释放到0。因此在主电路的每一个半波中,电容总是从0开始充电,保证了触发脉冲与主电路电压的同步。

大功率可控硅触发电路

大部分的书籍当中,有关大功率的可控硅触发电路的结构都是较为复杂的,并且不容忽略的事实是,这些电路中所需的远见都非常难以购买,总的来说并不具备一定的实用性。 本文将为大家介绍一种拥有较高实用性的大功率可控可控硅触发电路,感兴趣的朋友快来看一看吧。

大功率可控硅触发电路

电路见图。将两只单向可控硅SCRI、SCR2反向并联再将控制板与本触发电路连接,就组成了一个简单实用的大功率无级调速电路。这个电路的独特之处在于可控硅控制极不需外加电源,只要将负载与本电路串联后接通电源,两个控制极与各自的阴极之间便有5V~8V脉动直流电压产生,调节电位器R2即可改变两只可控硅的导通角,增大R2的阻值到一定程度便可使两个主可控硅阻断,因此R2还可起开关的作用。该电路的另一个特点是两只主可控硅交替导通,一个的正向压降就是另一个的反向压降,因此不存在反向击穿问题。但当外加电压瞬时超过阻断电压时,SCR1、SCR2会误导通,导通程度由电位器R2决定。SCR3与周围元件构成普通移相触发电路,其原理这里从略。

SCR1、SCR2笔者选用的是封装好的可控硅模块(110A/1000V) , SCR3选用BTI36 ,即600V的双向可控硅。本电路如用于感性负载,应增加R4 , C3阻容吸收电路及压敏电阻RV作过压保护,防止负载断开和接通瞬间产生很高的感应电压损坏可控硅。

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