台积电、英特尔和三星为打造体积更小、效能更强的处理器,纷纷导入极紫外光(EUV)技术,相关设备所费不赀,3家大厂资本支出直线攀升,ASML等设备厂则成为受益者。
华尔街日报报导,晶圆代工大厂以最新制程挑战物理极限,需要EUV微影技术当帮手。与常用光源相比,采用EUV的系统能让芯片电路更加微缩,但先进晶圆厂建造成本也跟着水涨船高,台积电两年前宣布的新厂建造费用达200亿美元。
关键在于EUV光刻器具价格高昂。ASML公布,第3季光售出7套EUV系统就进帐7.43亿欧元,等于每套系统要价超过1亿欧元。这还不含半导体制程控管与测试设备成本。
台积电深耕晶圆代工先进制程,10月表示强效版7纳米制程导入EUV技术,今年第2季开始量产,良率已相当接近7纳米制程;6纳米制程预计明年第1季试产,并于明年底前进入量产。
与此同时,晶圆代工龙头厂商资本支出大增成为趋势。
台积电10月宣布今年资本支出达140亿至150亿美元,高于原先设定目标近40%。英特尔(Intel)随后宣布加码3%,今年资本支出目标达160亿美元,创公司成立以来新高,比两年前高出36%。三星(Samsung)上周宣布,今年半导体事业资本支出约200亿美元。
三星公布的金额略少于去年,但业界分析师预期,三星今年大幅减少投资存储器生产,以便将更多资源投入次世代晶圆代工厂。
在EUV技术带动下,半导体设备厂获益良多。ASML第3季接获23套EUV系统订单,创单季订单金额新高;半导体制程控管设备制造商科磊(KLA-Tencor)上周公布,会计年度第1季营收年增率达29%,并表示EUV投资是业绩成长主要动能。
今年以来,ASML与科磊股价涨幅分别达76%、94%。报导指出,明年EUV需求预料更加旺盛,半导体设备厂前景一片光明。
责任编辑:wv
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