新唐DDR总线终端稳压器系列产品提供了双向(吸收/ 提供)电流给高速总线电源终端器应用。此系列提供了DDR、DDR2、DDR3x与DDR4 稳定的终端电源与快速的瞬时响应。使用新唐DDR终端电源稳压器设计,您可以获得高性能和具有成本效益的优势。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
新唐科技
+关注
关注
16文章
1055浏览量
40986 -
嵌入式主板
+关注
关注
7文章
6085浏览量
35218
发布评论请先 登录
相关推荐
上新!米尔-新唐MA35D1核心板512M DDR新配置发布!
℃
MYD-LMA35-256N256D-80-I
MA35D16A887C
芯片内置256MB DDR3L
256MB NAND FLASH
-40℃~+85℃
新唐 MA35D1 系列微处理器NuMicro
发表于 11-08 18:01
CAN总线终端电阻为什么是120Ω,为什么是0.25W
今天说一说CAN总线终端电阻为什么是120Ω,为什么是0.25W?CAN总线终端电阻,一般来说都是120欧姆,实际上在设计的时候,也是两个60欧姆的电阻串起来,而
内置VREF的灌电流/拉电流抗辐射加固型3A DDR终端稳压器TPS7H3301-SP数据表
电子发烧友网站提供《内置VREF的灌电流/拉电流抗辐射加固型3A DDR终端稳压器TPS7H3301-SP数据表.pdf》资料免费下载
发表于 04-03 14:40
•0次下载
灌电流和拉电流 DDR 终端稳压器TPS51200-Q1数据表
电子发烧友网站提供《灌电流和拉电流 DDR 终端稳压器TPS51200-Q1数据表.pdf》资料免费下载
发表于 03-13 14:21
•0次下载
灌电流和拉电流 DDR 终端稳压器TPS51200A-Q1数据表
电子发烧友网站提供《灌电流和拉电流 DDR 终端稳压器TPS51200A-Q1数据表.pdf》资料免费下载
发表于 03-13 14:17
•0次下载
灌电流和拉电流 DDR 终端稳压器TPS51200数据表
电子发烧友网站提供《灌电流和拉电流 DDR 终端稳压器TPS51200数据表.pdf》资料免费下载
发表于 03-13 14:16
•0次下载
适用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF缓冲基准的TPS51206 2A峰值灌电流/拉电流DDR终端稳压器数据表
电子发烧友网站提供《适用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF缓冲基准的TPS51206 2A峰值灌电流/拉电流DDR
发表于 03-13 13:53
•1次下载
TPS7H3302-SP 和 TPS7H3302-SEP 3A DDR 耐辐射终端稳压器数据表
电子发烧友网站提供《TPS7H3302-SP 和 TPS7H3302-SEP 3A DDR 耐辐射终端稳压器数据表.pdf》资料免费下载
发表于 03-01 10:00
•0次下载
内置VREF的灌电流/拉电流抗辐射加固型3A DDR终端稳压器TPS7H3301-SP数据表
电子发烧友网站提供《内置VREF的灌电流/拉电流抗辐射加固型3A DDR终端稳压器TPS7H3301-SP数据表.pdf》资料免费下载
发表于 02-29 11:29
•0次下载
新唐科技推出NUC1263系列微控制器
新唐科技,一家领先的微控制器制造商,近日宣布推出其首款支持DDR5模块的微控制器NUC1263系列。这款新品不仅具备强大的性能,还拥有独特的接口技术,旨在满足电竞市场的需求。
DDR加终端匹配电阻和不加信号质量的区别
介绍DDR加终端匹配电阻和不加信号质量的区别,从而解释为什么它们对于DDR内存的性能至关重要。 首先,我们来了解终端匹配电阻。
DDR终端匹配电阻的长度多少合适?
上次我们对不加端接电阻和加端接电阻之后的仿真结果做了分析之后我们得出在DDR采用菊花链拓扑结构的时候是需要加端接电阻的,这次我们看看DDR末端的端接电阻距离最后一片DDR远一点效果好一些还是近一点效果好一些。
DDR加终端匹配电阻和不加信号质量的区别
DDR采用菊花链拓扑结构时,由于信号传输线较长通常需要在DDR末端加上终端匹配电阻,端接的方式有很多,但是都是为了解决信号的反射问题,通常为了消除信号的反射可以在信号的源端或者终端进行
评论