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新唐科技ML51DB9AE主板简介

新唐科技 来源:新唐科技 作者:新唐科技 2020-02-28 08:42 次阅读

ML51DB9AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器,正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz,并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器,支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度: - 40 ℃ 至 105 ℃。

ML51DB9AE 包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1 K 字节片上辅助 RAM(XRAM), 备有丰富的外设,如 11 个通用 I/O、2 组串口、1 组 ISO-7816 界面、2 组 I²C 与 1 组 SPI,并提供 TSSOP14 封装。

目标应用:

穿戴式装置、智能摇控器、互联网端点设备、智能家居、烟感侦测装置、电池装置等。

关键特性:

CPU
- 全静态 8 位 1T 8051 内核 CMOS 微控制器
- 指令集全兼容 MCS-51
- 4 级优先级中断配置
- 双数据指针 (DPTRs)
工作条件
- 宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V
- 宽工作频率最高至 24 MHz
- 工业级工作温度 - 40 ℃至 + 105 ℃
低功耗特性
- 正常运行模式典型功耗 80 uA/ MHz
- 低功耗运行模式典型功耗 15 uA
- 低功耗空闲模式功耗不超过 13 uA
- 掉电模式典型功耗小于 1 uA
- 掉电模式下唤醒时间为 10 us (HIRC运行)
内存
- 16 K 字节 APROM, 用于使用者代码
- 可配置 4K/3K/2K/1K 字节 LDROM, 用于启动系统程序设计(ISP)代码
- APROM中应用编程(IAP)内存 128 字节每页累加
- Flash 内存 100,000 次擦写寿命
- 代码安全加密
- 256 字节片上 RAM
- 额外 1 K字节片上辅助 RAM (XRAM) ,通过 MOVX 指令访问
时钟
- 24 MHz 高速内部振荡器 (HIRC) ± 1 %精度等级 (25 °C, 3.3 V) 全工作条件范围下精度 ±5 % 精度等级
- 38.4 kHz低速内部振荡器 (LIRC) ± 1 %精度等级 (25 °C, 3.3 V) , 全工作条件范围下精度 ± 10 % 精度等级
- 外置 4 ~ 24 MHz (HXT)晶振输入为精密定时操作
- 外置 32.768 kHz (LXT)晶振输入
- 运行中可通过软件对时钟源切
- 可编程系统时钟分频器从1/2, 1/4, 1/6, 1/8…, 最高到 1/512
外设
- 11 个通用输入输出引脚。所有输出引脚具有独立的2级电平转换速率控制
- 8 通道 GPIO 中断,具备边缘/电平检测,全部 11 个 GPIO 均可配置为输入源之一
- 标准中断引脚 INT0 和 INT1 兼容标准 8051
- 两组 16 位定时/计数器 0 和 1 兼容标准 8051
- 一组 16 位定时器 2 带 3 通道输入捕获模块
- 一组16位自动重载定时器 3
- 一组可程序设计看门狗定时器 (WDT)
- 一组专用的自唤醒定时器 (WKT)
- 两组全双工串口
- 一组智能卡接口支持 ISO7816-3
- 一组SPI端口支持主机和从机模式,当系统时钟为 24 MHz 时传输速率高达 6 Mbps
- 两组 I²C 总线支持主机和从机模式,数据传输率高达 400 kpbs
- 6 * 16 - bit 组,12 通道脉宽调制器(PWM)输出,高达 16 位分辨率
- 一组 12 位 ADC,当 VDD 大于 2.5 V 转换速率高达 500 Ksps
电源监视
- 欠压检测 (BOD) 可用于低功耗模式,7 个级别可选,可配置中断或复位
- 上电复位 (POR)
- 低电压复位 (LVR)
强效ESD及EFT能力
- ESD HBM 通过 8 kV
- EFT > ± 4.4 kV
- 闩锁测试通过 150 mA
开发工具
- Nuvoton Nu-Link 基于 KEILTM 和 IAR 开发环境
- Nuvoton 电路编程 (Nu-Link)
- Nuvoton 在系统编程 (ISP) 通过 UART

规格数据

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