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名冠微电子功率芯片项目与赣州经开区签约 项目总投资约200亿元

半导体动态 来源:全球半导体观察 作者:全球半导体观察 2019-12-03 15:59 次阅读

近日,赣州经开区成功举行名冠微电子(赣州)有限公司功率芯片项目签约仪式,与名芯有限公司(香港)、电子科技大学广东电子信息工程研究院正式签订功率芯片项目投资合同。

据赣州经开区微新闻报道,名冠微电子(赣州)有限公司功率芯片项目由名芯有限公司(香港)、赣州经开区管委会、电子科技大学广东电子信息工程研究院共同投资,项目总投资约200亿元,用地550亩。

据了解,该项目共分两期建设:项目一期建设一条8英寸0.09-0.11μm功率晶圆生产线,投资约65亿元(其中进口晶圆制造设备约36亿元、厂房约15亿元),目标产能8万片/月,目标年产值40亿元;项目二期规划建设第三代6/8英寸晶圆制造生产线或12英寸硅基晶圆制造生产线,投资约140亿元,项目整体达产达标后年产值过百亿元。

项目涉及产品类型包括IGBT、功率MOS、功率IC电源管理芯片等,覆盖全球功率器件领域全部类别中80%品种。项目建成后,将填补全省半导体晶圆生产线空白,也是全市首个总投资超200亿元的电子信息产业项目。

赣州市委常委、赣州经开区党工委书记李明生表示,赣州经开区是赣州“赣粤电子信息产业带”的核心区和龙头,规划建设了总面积32.5平方公里的电子信息产业园,推进了一大批项目投产达产,已具备较好的产业发展基础和较完备的产业链条。
责任编辑:wv

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