量子阱激光器是有源层非常薄,而产生量子尺寸效应的异质结半导体激光器。根据有源区内阱的数目可分为单量子阱和多量子阱激光器。量子阱激光器在阈值电流、温度特性、调制特性、偏振特性等方面都显示出很大的优越性,被誉为理想的半导体激光器,是光电子器件发展的突破口和方向。
在普通的双异质结激光器中,因为有源区的三维尺寸都远大于电子平均自由程,因而电子的态密度函数为抛物线型,当载流子被限制在宽度与其德波罗意波长相当或更小的阱中时,则其态密度函数为类似阶梯形。如图1(a)所示,载流子复合跃迁将发生在各量子能级之间,在一般情况下受选择定则支配。此时注入电子的分布与峰值增益分布如图1(b)(c)所示。如果不考虑其他因素的影响,载流子运动受限越强,其阈值电流应越低。
量子阱激光器有两种类型:量子线激光器和量子点激光器。
1、量子线激光器:量子线激光器是通过其“心脏”部分的一个极小的线状的芯而降电转化为光的,由于它的工作电流将比以前的激光器要小得多,故在未来的信息处理装置中将是非常有用的。量子线激光器所需激活电流极低,能够在电路之间起到微型光通讯系统的作用。
2、量子点激光器:量子点激光器的性能与量子阶激光器或量子线激光器相比,具有更低的阀值电流密度、更高的特征温度和更高的增益等优越特性。
特点:
1. 在量子阱中,态密度呈阶梯状分布,量子阱中首先是Elc和Elv之间电子和空穴参与的复合,所产生的光子能量hv=Elc-Elv》Eg,即光子能量大于材料的禁带宽度。相应地,其发射波长凡小于所对应的波长,即出现波长蓝移。
2. 在量子阱激光器中,辐射复合主要发生在Elc和Elv之间,这是两个能级之间的电子和空穴参与的复合,不同于导带底附近的电子和价带顶附近的空穴参与的辐射复合,因而量子阱激光器光谱的线宽明显地变窄了。
3. 在量子阱激光器中,由于势阱宽度Lx通常小于电子和空穴的扩散长度Le和Ln,电子和空穴还未来得及扩散就被势垒限制在势阱中,产生很高的注入效率,易于实现粒子数反转,其增益大大提高,甚至可高达两个数量级。
4. 量子阱使激光器的温度稳定条件大为改善,AIGalnAs量子阱激光器的特征温度可达150K,甚至更高。因而,这在光纤通信等应用中至关重要。
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