MOS管的源极和漏极的区别
一、指代不同
1、源极:简称场效应管。T仅是由多数载流子参与导电,与双极型相反,也称为单极型晶体管。
2、漏极:利用外部电路的驱动能力,减少IC内部的驱动, 或驱动比芯片电源电压高的负载。
二、原理不同
1、源极:在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区(用P+表示),就形成两个不对称的P+N结。把两个P+区并联在一起,引出一个电极,称为栅极(g),在N型半导体的两端各引出一个电极。
2、漏极:将两个P区的引出线连在一起作为一个电极,称为栅极,在N型硅片两端各引出一个电极。
三、特点不同
1、源极:属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高(108~109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点
2、漏极:可以将多个开漏输出的Pin,连接到一条线上。通过一只上拉电阻,在不增加任何器件的情况下,形成“与逻辑”关系。这也是I2C,SMBus等总线判断总线占用状态的原理。
漏极(D)源极(S)的判定
结型场效应晶体管的三个引脚一般是呈栅极(G)、漏极(D)、源极(S)排列(商标面向上,引脚正对自己),金属封装的结型场效应晶体管的引脚排列则以管键为定位点,一般按逆时针栅极(G)、漏极(D)、源极(S)排列,如图5-66所示。
实际使用时应以测试为准。由于结型场效应晶体管的源极(s)和漏极(D)在结构上具有对称性,所以一般可以互换使用诵常两个电极不必再进一步区分。在需要区分漏极(D)、源极(s)极的场合下,也可以用万用表测量两个电极之间的电阻值进行判定,具体方法如下:将万用表置于“R×10”挡,用红黑表笔分别接在漏极(D)、源极(s)上,测量漏极(D)、源极(S)间的正、反向电阻值。当测得电阻值较大时,用黑表笔与栅极(G)接触一下,然后再恢复原状。在此过程中,红黑表笔应始终与原引脚相接触,此时万用表的读数会出现两种情况:若读数由大变小,则万用表黑表笔所接的引脚为漏极(D),红表笔所接的引脚为源极(s);若万用表读数没有明显变化,仍为较大值,此时就应保持黑表笔与引脚接触,然后移动红表笔与栅极(G)触碰一下,此时若阻值由大变小,则黑表笔所接触的引脚为源极(s),红表笔所接触的引脚为漏极(D)。
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