源极跟随器的特点_源极跟随器的电路

源极跟随器的特点

特点是输入阻抗特别高、输出阻抗低、电压放大倍数近似为1。

场效应管源极跟随器的特点

与双极型晶体管（三极管）的射极跟随器相比，源极跟随器的输出阻抗非常低，特别适合于电动机、扬声器等重负载（阻抗低的负载）的驱动，同时MOSFET普遍功率比较大，具有很好的抗热击穿性能。

场效应晶体管（缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型（junctionFET—JFET）和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

源极跟随器的电路

所示为一种源极跟随器（缓冲放大器），该电路采用差动输入缓的运算放大器电路，可用于阻抗转换电路。

电路中采用场效应晶体管（VTl）构成源极跟随器，类似于晶体管的射极跟随器，场效应晶体管的输入阻抗非常高，在场效应晶体管的源极接有一个晶体管VT2，该晶体管的基极由分压电阻器确定，构成一个恒流电路。为了使电路的增益尽量接近于1．需要选用跨导的场效应晶体管和较大的负载电阻，采用这种电路结构，+用VT2接在源极电路中，相当于增大了负载电阻器，满足电路的要求。