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长江存储宣布获得年度技术突破奖 自家闪存产品拥有同代产品中最高的存储密度

半导体动态 来源:快科技 作者:宪瑞 2020-01-03 08:58 次阅读

紫光旗下的长江存储今天宣布,在北京举行的“2020中国IC风云榜”上,长江存储公司获得了备受瞩目的年度技术突破奖,长江存储执行董事,紫光集团联席总裁刁石京代表公司领奖。

作为紫光集团芯片板块核心企业,长江存储通过闪存基础架构和制造工艺的创新,成功打造了世界首款基于Xtacking架构的64层三维闪存。此款产品自2019年9月量产以来,已经通过多项行业认证,并进入主流客户供应链,得到了市场的认可。

根据长江存储之前的消息,2019年9月份该公司量产国内首个64层堆栈的3D闪存,采用了自研Xtacking架构,核心容量256Gb。

长江存储64层3D NAND闪存是全球首款基于Xtacking架构设计并实现量产的闪存产品,拥有同代产品中最高的存储密度。

Xtacking可实现在两片独立的晶圆上分别加工外围电路和存储单元,这样有利于选择更先进的制造工艺。当两片晶圆各自完工后,创新的Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数十亿根垂直互联通道(VIA)将两片晶圆键合。

相比传统3D NAND闪存架构,Xtacking可带来更快的I/O传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。

目前,世界上最快的3D NAND I/O速度的目标值是1.4Gbps,而大多数NAND供应商仅能供应1.0 Gbps或更低的速度。利用Xtacking技术我们有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps,与DRAM DDR4的I/O速度相当。

自2016年成立以来,长江存储作为集3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业,一直着力提供完整的存储器解决方案,为全球合作伙伴供应3D NAND闪存晶圆及颗粒、嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案。

责任编辑:wv

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