前言
今天总结“STM32F103FSMC读写外部SRAM”,主要使用FSMC来控制外部SRAM,对SRAM进行读写的操作。本文章提供的工程对SRAM读写从操作类似于对FLASH读写操作。
关于STM32的FSMC(灵活的静态存储器控制器)这一部分内容比较实用,在实际应用中也是比较重要的(对于需要实用FSMC来说)。运用FSMC来控制外接器件比运用软件模拟来控制效率要高的多,而且操作简单。
也许对于初学者来说,对FSMC不了解,或不感兴趣。因为FSMC在实际开发中主要用于外扩RAM和ROM,初学者对于RAM和ROM的需求不高,基本上内部资源都够了。对于喜欢使用LCD屏的人应该了解FSMC,因为FSMC控制LCD也是一种很好的方式,市面上很多开发板上的LCD屏都兼容FSMC。
今天提供下载的“软件工程”都是在硬件板子上进行多次测试、并保证没问题才上传至360云盘。
今天的软件工程下载地址(360云盘):
https://yunpan.cn/cSrN5SYtDcyBA访问密码 47fb
STM32F10x的资料可以在我360云盘下载:
https://yunpan.cn/crBUdUGdYKam2访问密码 ca90
内容讲解
工程概要说明: 提供工程是对外部SRAM读写,可以当做缓存(如:一个BUF)来使用,但并不是芯片的RAM(运行内存),只是对SRAM进行读写操作。
程序运行流程:上电写入外部SRAM数据“0 - 262143”(刚好是1M空间,4字节空间一数据),再通读读函数读出其数据,通过串口打印出来。这里每读一次串口打印一次数据,LED变化一次。(请观测现象)
提供的工程以简单为原则,详细中文注释,方便自己方便大家。
关于“STM32F103 片内FLASH编程”我把重要的几点在下面分别讲述:
一、时钟
该函数位于bsp.c文件下面;
开启FSMC和需要使用引脚的时钟。
二、FSMC引脚配置
该函数位于fsmc.c文件下面;
使用了FSMC的引脚都须配置为“GPIO_Mode_AF_PP”,否则不能使用(感兴趣的可以试试)。对于NE3就是:NOR/PSRAM3,我测试的工程是使用FSCM存储块1(下图)的NOR/PSRAM3。所以我测试工程里面的地址是“0x68000000”,其实这个地址有讲究的,请看最后重点。
三、FSMC配置
该函数位于fsmc.c文件下面;
这里的配置和你的SRAM有一点的关联(速度、数据宽度等)。
三、外部SRAM写数据
该函数位于fsmc.c文件下面;
对1M的SRAM写数据(为了测试),方便下面读操作。
四、外部SRAM读数据
该函数位于fsmc.c文件下面;
对1M的SRAM读数据,通过串口打印出来写入的数据,每读一次,打印一次,中间有个延时,所以整个读取的过程时间比较长。
这个地址可以修改,或者选择一段来读取测试也行。希望看到的人都亲自修改程序来测试一下,方便记忆和巩固。
五、今天的重点
A.关于地址的问题,今天提供的工程外部SRAM地址是“0x68000000”(宏定义在fsmc.h里),善于发现问题和动手的人会发现一个问题,我将这个地址改为“0x68100000”或“0x68200000”测试的效果都一样。我告诉你答案,效果确实是一样的,原因就在于外部SRAM容量“SRAM_EXT_SIZE”大小是1M,而“0x00100000”刚好是1M,这里的地址溢出部分刚好抵消了,所以为什么修改地址也是一样的效果。但地址必须在存储块1的NOR/PSRAM3区域。
B.今天是自己通过标准库来配置的FSMC,其实在“system_stm32f10x.c”文件里面有使用寄存器直接配置FSMC的源代码,感兴趣的朋友可以看一下,今天使用标准库配置其实也是希望大家数据各个参数的功能作用。其实,希望大家在熟悉配置之后还是使用“system_stm32f10x.c”里的配置,毕竟这是官方提供的,它这样配置效率也比较高。
说明
今天提供的软件工程基于STM32F103大容量芯片,中等及小容量芯片没有FSMC功能,自然也不能使用,只要修改flash.h文件一个宏(页大小就可以)。其实只要适当修改工程的部分配置,STM32F1有FSCM功能的芯片都适用。
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