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溢泰半导体国内首个化合物半导体新材料产业园区预计1月底建成

半导体动态 来源:全球半导体观察 作者:全球半导体观察 2020-01-15 15:34 次阅读

据中国化工报报道,由大庆溢泰半导体材料有限公司(以下简称“溢泰半导体”)投资建设的国内首个化合物半导体新材料产业园区一期项目预计1月底全部建成达产。

报道指出,该化合物半导体材料产业园是大庆市重点招商引资项目,其中一期年产240万片4英寸光电用砷化镓晶片项目,目前已进入边安装、边调试、边投入使用阶段。

根据溢泰半导体2019年4月公布的年产240万片4英寸砷化镓抛光片项目公众参与说明显示,年产240万片4英寸砷化镓抛光片项目总投资2.5亿元。

当前,作为半绝缘砷化镓下游产业的砷化镓集成电路业市场平均增长近年都在40%以上,砷化镓射频器件市场具有30%的年增长,加之卫星通讯系统和车载雷达用砷化镓单晶的潜在市场,半绝缘砷化镓的需求前景较好。

溢泰半导体表示,年产240万片4英寸砷化镓抛光片项目产品是砷化镓抛光片,砷化镓高速半导体器件具有优异的物理性能,其在微波集成电路领域、高压和高功率领域得到了广泛应用。本项目的投资建设,顺应了国家集成电路产业政策导向,符合国家对集成电路产业的扶持政策及产业发展的实际需求。

据黑龙江日报此前报道,溢泰化合物半导体新材料产业园计划投资21亿元,规划建设年产240万片4英寸光电用砷化镓晶片、36万片6英寸微电用砷化镓晶片、120万片2英寸磷化铟晶片、6万片6英寸碳化硅晶片、120万片2英寸钽酸锂晶片、化合物半导体新材料研发中心等6个子项目,全部投产年可实现销售收入28亿元。
责任编辑:wv

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