(文章来源:电脑据点)
用过U盘的同学应该对U盘不陌生,有时候U盘老是坏,特别是做PE维护工具的同学,U盘应该坏了很多次了,如此先了解一下U盘、固态硬盘的芯片颗粒;闪存芯片分为三类:SLC、MLC、TLC。
我们的U盘、硬盘闪存内的一般都是SLC、MLC、TLC三种芯片颗粒,在买U盘、固态硬盘的时候就要多注意了,尽量在自己经济能力范围内买一个相对较好;
三种芯片颗粒的差别与SLC相比较,MLC生产成本较低,容量大。如果经过改进,MLC的读写性能应该还可以进一步提升。MLC架构有许多缺点,首先是使用寿命较短,SLC架构可以写入10万次,而MLC架构只能承受约1万次的写入。其次就是存取速度慢,在当前技术条件下,MLC芯片理论速度只能达到6MB左右。SLC架构比MLC架构要快速三倍以上。再者,MLC能耗比SLC高,在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗。
SLC = Single-Level Cell ,即1bit/cell,速度快寿命长,价格超贵(约MLC 3倍以上的价格),约10万次擦写寿命;MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,速度一般寿命一般,价格一般,约3000---10000次擦写寿命;TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell,也有Flash厂家叫8LC,速度慢寿命短,价格便宜,约500次擦写寿命,当前还没有厂家能做到1000次。;需要说明的闪存的寿命指的是写入(擦写)的次数,不是读出的次数,因为读取对芯片的寿命影响不大;
SLC、MLC、TLC三代闪存的寿命差异:SLC 利用正、负两种电荷 一个浮动栅存储1个bit的信息,约10万次擦写寿命。MLC 利用不同电位的电荷,一个浮动栅存储2个bit的信息,约一万次擦写寿命,SLC-MLC【容量大了一倍,寿命缩短为1/10】。TLC 利用不同电位的电荷,一个浮动栅存储3个bit的信息,约500-1000次擦写寿命,MLC-TLC【容量大了1/2倍,寿命缩短为1/20】。
(责任编辑:fqj)
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