(文章来源:半导体投资联盟)
JEDEC已经发布了UFS 3.1标准(又名JESD220E),其中增加了一些新特性。这些新功能有望提高设备的性能,减少能耗,降低高容量存储设备的成本,并改善用户体验。
符合UFS 3.1标准的设备继续使用MIPI的M-PHY 4.1物理层和8b/10b线编码,MIPI基于UniPro 1.8协议的互连层(IL),每通道数据速率为HS-G4(11.6 Gbps)。与此同时,新版本的标准支持三个新特性: Write Booster、Deep Sleep和Performance Throttling Notification。此外,JEDEC还发布了主机性能增强技术规范。现代SSD已经支持所有这些特性,因此UFS 3.1标准和HP在功能上使UFS存储设备更接近SSD。
Write Booster旨在通过使用pseudo-SLC缓存来提高写入速度。类似的技术已经在固态硬盘和各种小型NVME存储设备上得到了应用,比如苹果iPhone/iPad上所使用的。另外,SD 6.0标准支持缓存,以达到写入性能目标。
Deep Sleep,使设备进入低功耗状态,降低设备功耗,专为廉价UFS设备设计。Performance Throttling Notification,它允许UFS设备在过热时通知系统限制性能。
Host Performance Booster,它可以将UFS中的LTP地址映射缓存在设备DRAM中,以提高性能。移动设备的APP使用大量的随机读取操作,因此经常访问LTP地址映射,与此同时,由于UFS设备的存储容量在增长,LTP的大小也在增长,这使得将它保存在控制器的内存中变得更困难(也更昂贵)。通过在DRAM中托管LTP并在发送I/O请求时提供LTP寻址,可以提高随机读取性能并降低UFS控制器的成本。
几年前,三星就开发了HPB功能,并声称可以将随机读取性能提高67%。在SSD中,HMB功能用于降低成本,因此HPB将防止UFS设备在容量增加时变得过于昂贵。需要注意的是,HPB目前不是强制的,而是可选的。
总体而言,UFS 3.1将提供高达23.2Gbps的理论最大带宽,随着Write Booster及HPB的实现,新UFS设备在提高速度的同时还能做到,电池寿命延长及成本降低。
(责任编辑:fqj)
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