0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

三星新发布HBM2E存储芯片,其代号Flashbolt

独爱72H 来源:泡泡网 作者:泡泡网 2020-02-05 23:34 次阅读

(文章来源:泡泡网)
三星近日发布了代号为“Flashbolt”的HBM2E存储芯片,HBM2E单颗最大容量为16GB,由8颗16Gb的DRAM颗粒堆迭而成,单个封装可实现16GB容量,最高可提供3.2Gbps的稳定数据传输速度。预计全新的HBM2E存储芯片将在今年上半年开始量产。

三星在2019年3月曾宣布成功研发了业界首款符合HBM2E规范的存储芯片HBM2E是HBM2的升级版标准,HBM2的最大数据传输速度可达2.4Gbps,在此之前使用HBM2存储芯片的显卡包括有AMD Radeon VII及NVIDIA Titan V,其中Radeon VII的显存位宽为4096bit 、频宽最高可达1TB/s,至于Titan V的显存位宽为3072bit、频宽也达到了653GB/s。

至于JEDEC(国际固态技术协会)最新发布的第三版HBM2E标准“JESD235C”,HBM2E存储芯片的电压依旧保持在1.2V,不过其针脚频宽提高到3.2Gbps,较前一代2.4Gbps的最大数据传输速度提升33%。按照JEDEC给出的设计规范,单Die最大可达2GB、单堆迭12Die能达到24GB的容量,将其配备在支持四堆迭的显示核心上,便可为显卡提供1.64TB/s的总频宽。

有意思的是,“JESD235C“标准中仅仅制定了正常工作状态的电压,并未对全新的HBM2E电压的做出任何的限制。因此,三星可以为自家的HBM2E存储芯片加入“超频”的特性,这样可以实现不小的提升空间,为显卡提供更高的频宽。

全新的HBM2E记忆体“Flashbolt”采用三星1ynm制程工艺,单颗最大容量为16GB,由16Gb的单Die通过8层堆迭而成。三星官方介绍说,全新的“Flashbolt”在频宽上面有比较明显的提升,在默认的3.2Gbps下,单颗HBM2E就可以提供高达410GB/s的频宽,1秒内便可传输82部 Full HD (5GB)全高清画质的影片。

至于三星内部测试自家全新的“Flashbolt”存储芯片,在“超频”后可以达到最高4.2Gbps的传输速率,频宽更高达538GB/s,比上代产品高出75%。按照三星官方的说法,全新的HBM2E存储芯片将会在今年上半年开始量产,特别适用于HPC高性能运算系统,并可帮助系统制造商及时改进其超级电脑、AI驱动的数据分析以及最新的图形系统。
(责任编辑:fqj)

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 三星电子
    +关注

    关注

    34

    文章

    15845

    浏览量

    180855
  • 存储芯片
    +关注

    关注

    11

    文章

    881

    浏览量

    43032
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    三星HBM3E内存挑战英伟达订单,SK海力士霸主地位受撼动

    进入八月,市场传言四起,韩国存储芯片巨头三星电子(简称“三星”)的8层HBM3E内存(新一代高带宽内存产品)已顺利通过英伟达严格测试。然而,三星
    的头像 发表于 08-23 15:02 639次阅读

    HBM上车?HBM2E被用于自动驾驶汽车

    技术的独家供应商。   由于汽车对车用芯片更严格的品质要求,SK海力士已单独生产专门用于汽车用途的HBM2E,这也是目前唯一一家将HBM用于汽车的公司。   我们知道HBM
    的头像 发表于 08-23 00:10 6483次阅读

    SK海力士携手Waymo提供第代高带宽存储器(HBM2E)技术

    据最新消息,SK海力士正携手Waymo,为标志性的自动驾驶汽车项目“谷歌汽车”提供前沿的第代高带宽存储器(HBM2E)技术。这一合作预示着随着自动驾驶技术的日益普及,
    的头像 发表于 08-15 14:54 1082次阅读

    三星否认HBM3E芯片通过英伟达测试

    近日,有关三星的8层HBM3E芯片已通过英伟达测试的报道引起了广泛关注。然而,三星电子迅速对此传闻进行了回应,明确表示该报道并不属实。
    的头像 发表于 08-08 10:06 566次阅读

    三星HBM3e芯片量产在即,营收贡献将飙升

    三星电子公司近日宣布了一项重要计划,即今年将全面启动第五代高带宽存储器(HBM芯片HBM3e
    的头像 发表于 08-02 16:32 441次阅读

    今日看点丨苹果 iPhone 16 Pro / Max 被曝支持 Wi-Fi 7;三星HBM3e先进芯片今年量产

    1. 三星HBM3e 先进芯片今年量产,营收贡献将增长至60%   三星电子公司计划今年开始量产第五代高带宽
    发表于 08-01 11:08 691次阅读

    三星电子否认HBM3e芯片通过英伟达测试

    韩国新闻源NewDaily近日发布了一则报道,声称三星电子的HBM3e芯片已成功通过英伟达的产品测试,预示着即将开启大规模生产并向英伟达供货的序幕。然而,
    的头像 发表于 07-05 16:09 545次阅读

    三星HBM芯片遇阻英伟达测试

    近日,三星电子最新的高带宽内存(HBM芯片在英伟达测试中遭遇挫折。据知情人士透露,芯片因发热和功耗问题未能达标,影响到了
    的头像 发表于 05-24 14:10 475次阅读

    三星电子与SK海力士预测存储芯片市场需求强烈,HBM产能售罄

    全球知名存储芯片制造巨头三星及SK海力士预判,今年DRAM和高带宽存储器(HBM)价格将持续攀升,受益于市场对于高端芯片,尤其是人工智能相关
    的头像 发表于 05-15 09:23 380次阅读

    三星电子力推AI存储芯片和算力芯片竞争力提升

    在 AI 存储芯片方面,庆桂显示三星组建了以DRAM产品与技术掌门人Hwang Sang-joon为首的HBM内存产能与质素提升团队,这是今年成立的第二支HBM专业队伍。全力挽救因误判
    的头像 发表于 04-01 10:34 596次阅读

    三星电子HBM存储技术进展:12层HBM3E芯片2TB/s带宽HBM4即将上市

    据业内透露,三星HBM3E芯片研发方面遥遥领先其他公司,有能力在2024年9月实现对英伟达的替代,这意味着它将成为英伟达12层HBM3E的垄断供应商。然而,
    的头像 发表于 03-27 09:30 763次阅读

    英伟达寻求从三星采购HBM芯片

    英伟达正在寻求与三星建立合作伙伴关系,计划从后者采购高带宽存储HBM芯片HBM作为人工智能(AI)
    的头像 发表于 03-25 11:42 674次阅读

    三星电子发布业界最大容量HBM

    三星电子近日宣布,公司成功研发并发布首款12层堆叠HBM3E DRAM,即HBM3E 12H,该产品在带宽和容量上均实现了显著的提升,这
    的头像 发表于 03-08 10:10 616次阅读

    三星发布首款12层堆叠HBM3E DRAM

    近日,三星电子宣布,已成功发布首款12层堆叠的高带宽内存(HBM3E)产品——HBM3E 12H,再次巩固了
    的头像 发表于 02-27 14:28 972次阅读

    三星电子成功发布首款12层堆叠HBM3E DRAM—HBM3E 12H

    2024年2月27日 - 三星电子今日宣布,公司成功发布首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3
    的头像 发表于 02-27 11:07 721次阅读