儒卓力推出了一款具有高功率密度和高效率的MOSFET器件
威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是为提高功率转换拓扑中的功率密度和效率而设计。它们采用3.3x3.3mm紧凑型PowerPAK 1212-8S封装，可提供低于2mΩ级别中的最低输出电容(Coss)。儒卓力在电子商务网站上供应这款MOSFET器件。
SiSS12DN MOSFET在10V下具有1.98mΩ的低导通电阻(RDS(ON))，可以最大限度地降低传导损耗。此外，该器件具有680pF的低输出电容(Coss)和28.7nC的优化栅极电荷(Qg)，减少了与开关相关的功率损耗。
与采用6x5mm封装的相似解决方案相比，TrenchFET Gen IV功率MOSFET占用的印刷电路板(PCB)空间减少了65%，从而实现了更高的功率密度。它们通过了100%的RG和UIS测试，符合RoHS要求且不含卤素。
这款N-Channel MOSFET的应用包括AC/DC电源中的同步整流；面向电信、服务器和医疗设备的DC/ DC转换器中的初级和次级侧开关；用于服务器和电信设备中电压调节的半桥功率级和降压-升压转换器；电信和服务器电源中的OR-ing功能；用于开关电容器或开关柜转换器的功率级；电动工具和工业设备中的电动机驱动控制；以及电池管理模块中的电池保护和充电。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
MOSFET器件
+关注
关注
0文章
18浏览量
9118 -
儒卓力
+关注
关注
0文章
35浏览量
12171
发布评论请先 登录
相关推荐
60V_5A高效同步降压恒流LED驱动芯片，内置高低侧MOSFET功率，具有精准PWM调光功能
概述：PC1253 是一款高效率、同步降压恒流 LED驱动芯片， 可在 7~60V 输入电压范围内工作。芯片集成高侧功率 MOSFET，并配
发表于 07-25 15:12
24V/8A大功率低功耗高效率同步整流升压芯片
一、概述：PC5248芯片是一款具有 600KHz的自动调节频率、高效率、宽输入范围的电流模式升压（BOOST）芯片，且具有
发表于 05-16 17:04
Vishay推出第四代600 V E系列功率MOSFET
Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET产品——SiHR080N60E，它采用了新型的PowerPAK® 8 x 8 LR封装技术，标志着第四代600V E系列
Vishay推出采用PowerPAK 8x8LR封装的第四代600 VE系列功率MOSFET
Vishay 推出首款采用新型 PowerPAK 8 x 8 LR 封装的第四代 600 V E 系列功率MOSFET，为通信、工业和计算应用提供高
基本半导体推出一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半桥模块
BMF240R12E2G3是基本半导体为更好满足工业客户对高效和高功率密度需求而开发的一款1200V 240A大功率碳化硅
英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V， 在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度
™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。CoolSiC™ MOSFET
发表于 03-14 11:07
•704次阅读
如何实现高功率密度三相全桥SiC功率模块设计与开发呢？
为满足快速发展的电动汽车行业对高功率密度 SiC 功率模块的需求，进行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全桥 SiC
大联大推出3.3KW高功率密度双向相移全桥方案
2024年1月4日，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布其旗下品佳推出基于英飞凌（Infineon）XMC4200微控制器和CFD7 CoolMOS MOSFET的3.3KW
具有高可靠性和低成本的高性能GaN功率器件技术
氮化镓（GaN）功率器件具有高击穿场强、高热导率、低导通和开关损耗、射频功率放大器、直流至直流（DC-DC）变换器、薄膜和二维GaN
英飞凌推出全新62 mm封装CoolSiC产品组合，助力实现更高效率和功率密度
模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用成熟的62 mm 器件半桥拓扑设计并基于新推出的增强型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技术。该封装使SiC能够应用于250 kW以上的中等功率
发表于 12-05 17:03
•802次阅读
工商网监
评论