存储芯片或供不应求，将迎来新制程时代

历经一年多的景气循环，记忆体大厂库存去化有成，加上供给端新增产能有限，今年受惠5G 时代来临，供需将趋于平衡，甚至可望供不应求；随着产业将迎来好年，台厂今年也将陆续有新制程技术问世，搭上产业景气步入上升循环的多头行情。

过去一年多以来，DRAM 原厂去化库存有成，除去年第3 季旺季需求顺利启动外，市场新产能也有限，在5G 需求带动下，加上智慧音箱、4K/8K 电视、ADAS(先进驾驶辅助系统)、物联网与人工智能等，也将持续推升DRAM 需求，业者看好，今年DRAM 供需将趋于稳定，下半年甚至可能供不应求。

NAND Flash 除供应商库存持续下降、供给成长也保守，同样受惠5G 需求驱动，加上笔电搭载SSD 比重与容量显著提升，资料中心客户也积极备货，且次世代游戏主机将搭载SSD 规格提升等，均成为刺激NAND Flash 需求增温的动能，今年NAND 价格可望走出去年雪崩惨况、稳健向上，下半年也可能面临供给短缺情况。

就在记忆体产业景气将走出去年谷底之时，台厂新制程技术也将在今年相继问世。旺宏NOR Flash 与NAND Flash 产品线，一路走来均坚持自主研发技术，去年成功量产19 纳米SLC NAND Flash，持续追赶NAND Flash 大厂脚步，第一批产品SLC NAND Flash 4GB 产品已出货美国机上盒大客户。

除SLC NAND 外，旺宏今年下半年将量产48 层3D NAND Flash，届时游戏机大客户也可望采用，旺宏并预计于2021 年量产96 层3D NAND、2022 年量产192 层3D NAND。

华邦电拥有工研院技转背景，早期DRAM制程主要来自由英飞凌分割出来的奇梦达授权，但在奇梦达倒闭后，华邦电买下其46纳米DRAM制程技术，成为其自主研发基础，而后成功自主开发38奈米技术，并于2018年第4季开始小幅量产25纳米DRAM制程技术。

然而，2018 年第3 季起，DRAM 产业受美中贸易影响，加上终端需求趋缓，且供给端集中在下半年开出，DRAM 价格在第4 季终结连9 季上扬态势，而华邦电25 纳米制程量产的时间点，刚好碰上DRAM 市况反转。

受到DRAM 市况不佳影响，华邦电25 纳米新制程转进较为辛苦，客户端验证速度趋缓，价格压力也更大，去年第2 季25 纳米占整体DRAM 营收占比仅约2 %，但第3 季起受惠传统旺季需求顺利启动，到第4 季时占比已成长至6%，惟受到DRAM 价格下滑冲击，加上25 纳米开发成本高，第4 季单季营运因此转亏。

不过，华邦电看好，25 纳米制程良率本季将趋于稳定，新制程转进可望逐步步入轨道；而为下世代20 纳米技术做准备，华邦电也将在中科12 吋厂进行新制程研发，新设备装机导入预计今年第2、3 季可望到位。

南亚科目前主力为20纳米制程技术，来自美光授权，今年初并宣布成功开发出10纳米级DRAM新型记忆胞技术，再度走回自主研发之路，第一代10纳米级前导产品8Gb DDR4、LPDDR4及DDR5，涵盖消费型、低功率与标准型产品，预计今年下半年陆续进入试产。

第二代10 纳米级制程技术已进入研发阶段，预计2022 年前试产，也会开发第三代10 纳米级制程技术，确立下世代10 纳米级DRAM 将采用自主研发技术，不再走授权，摆脱动辄上百亿元的授权金与专利费用。

虽然目前台厂在DRAM 与NAND Flash 市场，市占率仍不高，不过，随着各家记忆体厂自主研发的新制程技术陆续量产，与大厂间的技术差距也逐步缩小，而受惠5G 商机推升产业需求扬升，今年记忆体将迎来好年，新制程技术的转进也可望搭上这波景气上升循环，趁势起飞。