0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

SiC器件在电池系统中的应用解析

电子工程师 来源:网络整理 作者:佚名 2020-02-22 10:44 次阅读

电动车 (EV) 的发货量正在迅速增长,预计21世纪20年代还将加速发展。主要汽车制造商都已经推出了电动车或已制定了推出计划,它们还积极与伙伴合作,研究最佳的动力电子学方案,从而尽量延长单次充电行驶里程和降低成本。SiC器件的主要应用如图1所示,预测数据表明,到2030年,SiC的发货量有望达到 100亿美元。电动车最重要的动力元件是电动车牵引逆变器,我们将在之后的文章中讨论。其他重要转换器有车载充电器和直流转换器。它们越来越多地涉及双向功率流,并因快速开关和出色的寄生二极管行为而大大获益。SiC FET 产品现已符合AEC-Q101 要求,可满足这些需求。我们会讨论主要拓扑结构,查看使用 SiC 器件的优势,尤其是在电压较高 (500-800V) 的电池系统中。

SiC器件在电池系统中的应用解析

图1:UnitedSiC 优势

车载充电器拓扑结构

车载充电器(OBC) 位于车内,所以它必须能够使用功率密度和能效都尽可能高的转换器拓扑结构,以便减小自身体积和重量。选择哪种拓扑结构取决于功率范围,可以是6.6KW、11KW,也可以是22KW(电动客车)。在部分情况下,车载充电器可以是双向的,这意味着电路不仅允许电池从电网获得电流,电动车还可以充当分布式电源向电网馈电。在这种模式下,电是反向流动的,但是峰值运行功率可能比电池充电额定值低(一半)。

图2 显示的是专为单向功率流设计的车载充电器的两种配置。电路有两个主要部分,前端整流器级和直流转换器级。整流器级对交流主电源电压进行整流,提供具有统一功率因数的直流轨。之后,直流到直流全桥移相级提供精确控制的输出,以便为电池组充电。在锂离子电池充电过程中,电路首先在控制电流模式下运行,然后在功率恒定模式下运行以实现快速充电,最后在电压恒定模式下运行,直至电池充满。

SiC器件在电池系统中的应用解析

图2:专为单向功率流设计的车载充电器中的两种配置

为了尽可能提高整流器级的能效,无桥拓扑结构越来越受欢迎,因为它可以避免二极管整流器桥的导电损耗。图2 显示的图腾柱(TPPFC) 电路,可以用于功率电平较低的情况。该电路含快速开关相脚,而其他电路则以线路频率开关。快速开关脚可以在连续导电模式(CCM) 和临界导电模式(CRM) 下运行。在连续导电模式下,开关打开存在困难,最佳选项是使用含有出色低 QRR寄生二极管的宽带隙开关。图3 比较了器件参数,包括将 UnitedSiC FET 的 QRR与先进的超结器件进行比较。如果开关频率超过 20kHz,则必须使用宽带隙开关,而UnitedSiC FET 提供的标准栅极驱动将使得插入 UnitedSiC FET 以及从超结器件升级为 UnitedSiC FET 变得十分简单。

SiC器件在电池系统中的应用解析

图3:器件参数比较,包括 UnitedSiC FET 的 QRR 与先进的超级器件的比较

如果使用临界导电模式,则峰值电流会变得更高,为感应器带来额外的约束,并需要导通电阻更低的开关。在没有硬打开的情况下,可以使用硅基超结FET,至少在较低的总线电压下可以。即使在这种情况下,使用SiC FET 也行得通,因为现在有导通电阻非常低的选件,而与采用类似导通电阻的超结FET 相比,SiC FET 的价格也越来越有竞争力。此外,利用 1200V SiC FET,该拓扑结构可以扩展到更高的直流轨电压,从而使用最小的开关次数增加功率输出。

对于 11-22KW 这样较高的功率电平而言,3 相有源前端整流器是出色的选件。总线电压通常为 600-800V,因而需要使用 1200V 器件。此外,图 2 中的双电平 3 相电路需要开关损耗低且 QRR低的开关,从而使得 SiC FET 取代IGBT 成为更好的选择。图4 显示的是35mohm,1200V,TO247-4L (UF3C120040K4S) UnitedSiC FAST FET 的打开特征和关闭特征。鉴于器件的打开和关闭损耗非常低,这些器件并联使用,以实现高能效的有源前端整流器。使用4 脚开尔文封装时,用户可以更快地开关,而且损耗更低,栅极波形也更清晰。

SiC器件在电池系统中的应用解析

图4:35mohm,1200V,TO247-4L (UF3C120040K4S) UnitedSiC FAST FET 的打开特征和关闭特征

前端整流器的替代方案是 Vienna 整流器,如图5 所示,它允许将 650V 硅基超结器件与 SiC 肖特基二极管联用,以降低成本。在这个电路中,开关并不会进行硬开关。不过需要的半导体数量更多,且二极管压降限制了能实现的最佳能效。

SiC器件在电池系统中的应用解析

图5:Vienna 整流器,允许将 650V 硅基超结器件与 SiC 肖特基二极管联用,以降低成本

直流转换器

如图2 所示,电池充电器和提供 12V/24V 电能的主力直流转换器都是移相全桥转换器。在满负荷下时,该电路采用以零压开关(ZVS) 方式打开的 FET,并采用缓冲电容器来尽量降低整个器件的关闭损耗。该电路可以在高频 (100-300kHz) 下运行,且能效高。SiC FET 的导电损耗和关闭损耗低,且其栅极驱动要求简单,是理想的选择。对于可在 0 至12V 下驱动或由输出 -12/0/12V 电压的简单脉冲变压器驱动的 UnitedSiC FET,情况也是如此。在轻负荷条件下,可能会发生硬开关,这会导致超结 FET 出现问题,也更容易发生二极管恢复感应故障,且IGBT 电路容易产生更大的损耗。

图 6 中显示的LLC 拓扑结构是一个非常出色的选择,尤其是在输出电压固定时。这个拓扑结构在输出固定的直流转换器级中最为常见,而移相全桥拓扑结构则更适合处理可变输出电压。在总线电压较低时,LLC 电路中会使用超结 FET 与快速二极管。而在电压较高时,IGBT 功率损耗变得过高,因而更适合选择 SiC FET。

SiC器件在电池系统中的应用解析

图6:在总线电压较低时,LLC 电路中使用超结 FET 与快速二极管。在电压较高时,IGBT 功率损耗会变得过高,因而适合选择 SiC FET

即使在总线电压较低的情况下,UnitedSiC 650V SiC FET 也能实现非常低的栅极电荷,非常短的输出电容充电时间和非常低的寄生二极管导电损耗,可以用于将LLC 运行频率从 100kHz 提高到500kHz。TO247-4L 封装中的导通电阻现在可以低至 7mohm,650V。对于低轮廓空间约束的应用,可以在行业标准 DFN8x8 封装中使用 27mohm,650V 器件。

对于双向直流转换,图 7 显示的是双有源桥 (DAB) 和CLLC 电路,其中输出侧采用有源开关。对于电池充电,因为输出电压变化范围广,所以可以通过变换栅极 PWM 波形从固定的直流总线控制 DAB。如果采用CLLC 拓扑结构,则为了维持直流转直流级的运行近共振,必须通过改变有源整流器级(图腾柱PFC 或3 相有源前端)的控制方案来改变总线电压。在这两种情况下,都必须在副边侧使用 SiC FET 以便在反模式下有效进行硬开关。这些 FET 可以是 650V 至1200V FET(用于电池充电),也可以是100-150V 等级内的较低压硅 FET(可实现 12V/24V 输出)。

SiC器件在电池系统中的应用解析

图7:双有源桥 (DAB) 和CLLC 电路,其中输出侧采用有源开关

轻松过渡

宽带隙 SiC FET 支持使用更完善的拓扑结构和更高的频率来实现大功率密度和能效目标。系统层面的电动车空间增加可以轻易抵消较高的开关成本。UnitedSiC FET 具备与所有类型栅极驱动电压兼容这个重要优势,所以可以插入基于硅的设计和 SiC MOSFET 设计中。在全世界设计师越来越多地采用SiC 器件部署的过程中,这个优势可以让他们轻松完成过渡,有时只需对现有的基于硅的设计进行升级即可。

近期发展

下一阶段很可能要涉及集成驱动器和FET 级,例如图 8 中所示的带驱动器的 SIP 半桥,它使用 35mohm,1200V 堆叠式共源共栅开关。开关波形表明,此类器件支持非常快、非常清晰的开关,可以用作本文中所述的所有电路选项的构建块。

SiC器件在电池系统中的应用解析

图8:集成驱动器和FET 级,例如所示的带驱动器的 SIP 半桥,它使用 35mohm,1200V 堆叠式共源共栅开关

SiC FET 技术迅速发展,正在开发中的2020 版本开关的性能表征能提高2 倍。再加上分立封装改进与基于 SiC 的智能功率模块的推出,这三项进步会随着电动车部署的不断增加进一步提高功率密度。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • sic器件
    +关注

    关注

    1

    文章

    56

    浏览量

    15537
  • 电池系统
    +关注

    关注

    9

    文章

    390

    浏览量

    29950
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    SiC功率器件的封装技术研究

    的最高工作温度局限175℃。SiC器件的高温工作能力降低了对系统热预算的要求。此外,SiC器件
    发表于 09-11 16:12

    新能源汽车SiC MOSFET芯片漏电红外热点定位+FIB解析

    的局部功耗分布,最终会导致局部温度增高。金鉴显微红外热点定位测试系统利用热点锁定技术,可准确而高效地确定这些关注区域的位置。SiC Mos等功率器件分析
    发表于 11-02 16:25

    SiC SBD的器件结构和特征

    二极管(FRD:快速恢复二极管),能够明显减少恢复损耗。有利于电源的高效率化,并且通过高频驱动实现电感等无源器件的小型化,而且可以降噪。 广泛应用于空调、电源、光伏发电系统的功率调节器、电动汽车
    发表于 03-14 06:20

    浅析SiC功率器件SiC SBD

    二极管(FRD:快速恢复二极管),能够明显减少恢复损耗。有利于电源的高效率化,并且通过高频驱动实现电感等无源器件的小型化,而且可以降噪。 广泛应用于空调、电源、光伏发电系统的功率调节器、电动汽车
    发表于 05-07 06:21

    SiC功率器件SiC-MOSFET的特点

    电导率调制,向漂移层内注入作为少数载流子的空穴,因此导通电阻比MOSFET还要小,但是同时由于少数载流子的积聚,Turn-off时会产生尾电流,从而造成极大的开关损耗。SiC器件漂移层的阻抗比Si
    发表于 05-07 06:21

    SiC功率器件概述

    1. SiC材料的物性和特征SiC(碳化硅)是一种由Si(硅)和C(碳)构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍,带隙是Si的3倍,而且器件制作时可以
    发表于 07-23 04:20

    SiC-MOSFET器件结构和特征

    通过电导率调制,向漂移层内注入作为少数载流子的空穴,因此导通电阻比MOSFET还要小,但是同时由于少数载流子的积聚,Turn-off时会产生尾电流,从而造成极大的开关损耗。  SiC器件漂移层的阻抗
    发表于 02-07 16:40

    SiC MOSFET的器件演变与技术优势

    阈值电压的不稳定性; 后来,太多的研究出版物都证明了这一点。SiC研究界的许多人在20世纪80年代末和90年代期间进一步研究了SiC-SiO 2系统各种界面态的性质。  研究
    发表于 02-27 13:48

    SiC器件新能源电力系统的发展分析和展望

    推动电网柔性半导体化进程,SiC器件新型电力系统应用前景广阔。可预见的未来,电力电子
    发表于 02-27 14:22

    【转帖】华润微碳化硅/SiC SBD的优势及其Boost PFC的应用

    EMI 如前文所说,反向恢复电流会流经开关器件,从而增加开关器件开启过程的尖峰电流。系统工作过程,变化的电压信号和电流信号之间相互转换,
    发表于 10-07 10:12

    一文解析SiC功率器件充电桩电源模块的应用

    随着我国新能源汽车市场的不断扩大,充电桩市场发展前景广阔。SiC材料的功率器件可以实现比Si基功率器件更高的开关频繁,可以提供高功率密度、超小的体积,因此SiC功率
    的头像 发表于 03-02 09:35 1.5w次阅读
    一文<b class='flag-5'>解析</b><b class='flag-5'>SiC</b>功率<b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>在</b>充电桩电源模块<b class='flag-5'>中</b>的应用

    SiC器件的优缺点!

    逆变器、电机驱动器和电池充电器等应用,碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、更低的冷却要求和更低的整体
    发表于 02-21 09:29 3512次阅读

    SiC器件电源的应用

    SiC(碳化硅)器件电源的应用日益广泛,其独特的物理和化学特性使得SiC成为提升电源效率、可靠性及高温、高频性能的关键材料。以下将详细探
    的头像 发表于 08-19 18:26 896次阅读

    碳化硅SiC电子器件的应用

    随着科技的不断进步,电子器件的性能要求也日益提高。传统的硅(Si)材料某些应用已经接近其物理极限,尤其是高温、高压和高频领域。碳化硅(SiC
    的头像 发表于 11-25 16:30 790次阅读

    碳化硅SiC光电器件的使用

    。 高热导率 :SiC的热导率是Si的三倍以上,有助于器件的散热。 高电子饱和速度 :SiC的电子饱和速度高于Si,适合于高速电子器件。 化学稳定性 :
    的头像 发表于 11-25 18:10 581次阅读