三星宣布全球首座专门为EUV极紫外光刻工艺打造的代工厂开始量产
三星宣布，位于韩国京畿道华城市的V1工厂已经开始量产7nm 7LPP、6nm 6LPP工艺，这也是全球第一座专门为EUV极紫外光刻工艺打造的代工厂。
据介绍，三星7LPP、6LPP工艺主要生产先进的移动SoC芯片，本季度内陆续出货，具体客户均未披露，不过看起来7LPP会是对外代工主力，6LPP则可能是三星自用，或者仅限特定客户。
按照三星的说法，6LPP相比于7LPP可将晶体管密度增加约10％，并降低功耗，但彼此互相兼容，针对7LPP工艺设计的IP可以直接复用，从而大大降低成本。
在路线图上，三星还规划了5LPE、4LPE、3GAE、3GAP等更先进的工艺，都会使用EUV极紫外光刻，其中5nm、4nm都可以算作7nm工艺的深度升级，3nm则是全新设计。
高通刚刚发布的第三代5G基带骁龙X60就采用三星5nm工艺制造，3nm则会在今年完成开发，放弃使用多年的FinFET晶体管架构。
三星V1工厂2018年2月开工建设，2019年下半年开始试产，未来将迅速扩大产能，到今年底7LPP EUV和更新工艺的总产能将是去年底的三倍，累计投资也将达60亿美元。
责任编辑：wv
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
三星电子
+关注
关注
34文章
15896浏览量
183211 -
EUV
+关注
关注
8文章
615浏览量
88948
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
俄罗斯亮剑：公布EUV光刻机路线图，挑战ASML霸主地位？
电子发烧友网报道（文/吴子鹏） 在全球半导体产业格局中，光刻机被誉为 “半导体工业皇冠上的明珠”，而极紫外（EUV）
【新启航】玻璃晶圆 TTV 厚度在光刻工艺中的反馈控制优化研究
一、引言
玻璃晶圆在半导体制造、微流控芯片等领域应用广泛，光刻工艺作为决定器件图案精度与性能的关键环节，对玻璃晶圆的质量要求极为严苛 。总厚度偏差（TTV）是衡量玻璃晶圆质量的重要指标，其厚度
全球前十大晶圆代工厂营收排名公布 TSMC（台积电）第一
根据集邦咨询最新报告数据显示，在2025年第二季度，全球前十大晶圆代工厂营收增长至417亿美元以上，季增高达14.6%；创下新纪录。在2025年第二季度，前十晶圆代工厂市场份额约达96.8%。其中
PCBA代工厂选择指南：四大核心标准
无论是初创企业还是成熟品牌，选对PCBA代工厂都是项目成功的关键一步。那么，如何从众多代工厂中筛选出最适合的合作伙伴？以下四大核心标准为您指明方向。 一、技术匹配度 首先需确认其是否具备特殊工
三星最新消息：三星将在美国工厂为苹果生产芯片 三星和海力士不会被征收100%关税
给大家带来三星的最新消息： 三星将在美国工厂为苹果生产芯片 据外媒报道，三星电子公司将在美国德克萨斯州奥斯汀的芯片
3D 共聚焦显微镜 | 芯片制造光刻工艺的表征应用
光刻工艺是芯片制造的关键步骤，其精度直接决定集成电路的性能与良率。随着制程迈向3nm及以下，光刻胶图案三维结构和层间对准精度的控制要求达纳米级，传统检测手段难满足需求。光子湾3D共聚焦显微镜凭借非
中芯国际 7 纳米工艺突破：代工龙头的技术跃迁与拓能半导体的封装革命
流转。这家全球第三大晶圆代工厂，正以每月 3 万片的产能推进 7 纳米工艺客户验证，标志着中国大陆在先进制程领域的实质性突破。 技术突围的底层逻辑 中芯国际的 7 纳米
中科院微电子所突破 EUV 光刻技术瓶颈
极紫外光刻（EUVL）技术作为实现先进工艺制程的关键路径，在半导体制造领域占据着举足轻重的地位。当前，LPP-EUV 光源是极
Cadence扩大与三星晶圆代工厂的合作
楷登电子（美国 Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）近日宣布扩大与三星晶圆代工厂的合作，包括签署一项新的多年期 IP 协议，在三星晶圆代工
三星代工大变革：2nm全力冲刺，1.4nm量产延迟至2029年
在全球半导体代工领域的激烈竞争中，三星电子的战略动向一直备受瞩目。近期，有消息传出，三星代工业务在制程技术推进方面做出重大调整，原本计划于2
光刻工艺中的显影技术
一、光刻工艺概述 光刻工艺是半导体制造的核心技术，通过光刻胶在特殊波长光线或者电子束下发生化学变化，再经过曝光、显影、刻蚀等工艺过程，将设计在掩膜上的图形转移到衬底上，是现代半导体、微
今日看点丨美国宣布：征收高达3403%关税！；传三星停产DDR4
改进EUV光刻制造技术。与此同时，三星还获得了High-NA EUV光刻设备技术的优先权。 据外媒报道，ASML现在似乎放弃了与
发表于 04-22 11:06
•1532次阅读
评论