Rambus宣布一套完整的HBM2E控制器＋PHY物理层方案 可帮助企业轻松用上HBM2E
最近，JEDEC固态存储协会正式公布了HBM技术第三版存储标准HBM2E，针脚带宽、总容量继续大幅提升。对于一些大企业，集成这些技术可以说不费吹灰之力，但不是谁都有这个实力。
Rambus今天就宣布了一套完整的HBM2E控制器＋PHY物理层方案，可以帮助企业轻松用上HBM2E。
单个堆栈HBM2E系统架构图(俯视和侧视)
HBM2E标准支持每个堆栈最多12-Hi，针脚数据率最高3.2Gbps，使用1024-bit位宽的时候最大容量可以做到24GB，总带宽则是409.6GB/s。
如果是支持四堆栈的系统，位宽就是4096-bit，总容量将高达96GB，总带宽则是1.64TB/s。
目前，SK海力士、三星都已经完成了HBM2E产品开发，并投入生产，预计NVIDIA、AMD的下一代高端计算卡都会使用。
Rambus的方案完整支持上述标准，其控制器内核兼容DFI 3.1标准，并支持通过AXI、OCP和其他各种专用界面连接逻辑芯片。
HBM2E内存界面子系统示例图
厂商购买了该方案的授权之后，就可以获得将HBM2E内存与其逻辑芯片集成的所有资源，包括控制器的源代码。
如果企业技术实力有限，也可以由Rambus的工程师提供付费支持，但具体授权费用、支持费用均未公开。
责任编辑：wv
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
存储器
+关注
关注
38文章
7444浏览量
163555 -
Rambus
+关注
关注
0文章
59浏览量
18785
发布评论请先 登录
相关推荐
风景独好？12层HBM3E量产，16层HBM3E在研，产业链涌动
海力士宣布公司已开始量产12H HBM3E芯片，实现了现有HBM产品中最大的36GB容量。该产品堆叠12颗3GB DRAM芯片，实现与现有的8层产品相同的厚度，同时容量提升50%。运行
Rambus推出业界首款HBM4控制器IP
Rambus Inc.，业界知名的芯片和半导体IP供应商，近日宣布了一项重大突破：推出业界首款HBM4（High Bandwidth Memory 4，高带宽内存4代）内存
Rambus宣布推出业界首款HBM4控制器IP，加速下一代AI工作负载
产品组合 图1：Rambus HBM4控制器 中国北京，2024年11月13日 —— 作为业界领先的芯片和半导体IP供应商，致力于使数据传输更快更安全，Rambus Inc.（
发表于 11-13 15:36
•255次阅读
HBM上车？HBM2E被用于自动驾驶汽车
电子发烧友网报道（文/黄晶晶）日前，韩媒报道SK海力士副总裁Kang Wook-sung透露，SK海力士HBM2E正用于Waymo自动驾驶汽车，并强调SK海力士是Waymo自动驾驶汽车这项先进内存
SK海力士携手Waymo提供第三代高带宽存储器(HBM2E)技术
据最新消息，SK海力士正携手Waymo，为其标志性的自动驾驶汽车项目“谷歌汽车”提供前沿的第三代高带宽存储器（HBM2E）技术。这一合作预示着随着自动驾驶技术的日益普及，HBM不仅将在
三星电子HBM存储技术进展：12层HBM3E芯片，2TB/s带宽HBM4即将上市
据业内透露，三星在HBM3E芯片研发方面遥遥领先其他公司，有能力在2024年9月实现对英伟达的替代，这意味着它将成为英伟达12层HBM3E的垄断供应商。然而，三星方面不愿透露具体客户信息。
什么是HBM3E内存？Rambus HBM3E/3内存控制器内核
Rambus HBM3E/3 内存控制器内核针对高带宽和低延迟进行了优化，以紧凑的外形和高能效的封装为人工智能训练提供了最大的性能和灵活性。
发表于 03-20 14:12
•2263次阅读
三星发布首款12层堆叠HBM3E DRAM
近日，三星电子宣布，已成功发布其首款12层堆叠的高带宽内存（HBM3E）产品——HBM3E 12H，再次巩固了其在半导体技术领域的领先地位。据了解，
三星电子成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM—HBM3E 12H
2024年2月27日 - 三星电子今日宣布，公司成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H，这是三星目前为止容量最大
AI大模型不断拉高上限，内存控制器IP提早部署，力拱HBM3E的到来
数据量、复杂度在增加，HBM内存被彻底带火。这种高带宽高速的内存十分适合于AI训练场景。最近，内存芯片厂商已经不约而同地切入HBM3E竞争当中。内存控制器IP厂商Rambus也率先发布
Rambus通过9.6 Gbps HBM3内存控制器IP大幅提升AI性能
作为业界领先的芯片和 IP 核供应商，致力于使数据传输更快更安全，Rambus Inc.（纳斯达克股票代码：RMBS）今日宣布 Rambus HBM3 内存
Rambus通过9.6 Gbps HBM3内存控制器IP大幅提升AI性能
中国北京，2023年12月7日—— 作为业界领先的芯片和IP核供应商，致力于使数据传输更快更安全，Rambus Inc.（纳斯达克股票代码：RMBS）今日宣布Rambus HBM
发表于 12-07 11:01
•242次阅读
英伟达将于Q1完成HBM3e验证 2026年HBM4将推出
由于hbm芯片的验证过程复杂，预计需要2个季度左右的时间，因此业界预测，最快将于2023年末得到部分企业对hbm3e的验证结果。但是，验证工作可能会在2024年第
浅谈DRAM的常用封装技术
目前，AI服务器对HBM（高带宽内存）的需求量越来越大，因为HBM大大缩短了走线距离，从而大幅提升了AI处理器运算速度。HBM经历了几代产品
发表于 11-28 09:49
•1486次阅读
预计英伟达将于Q1完成HBM3e验证 2026年HBM4将推出
由于hbm芯片的验证过程复杂，预计需要2个季度左右的时间，因此业界预测，最快将于2023年末得到部分企业对hbm3e的验证结果。但是，验证工作可能会在2024年第
工商网监
评论