Intel之前已经宣布在2021年推出7nm工艺,首发产品是数据中心使用的Ponte Vecchio加速卡。7nm之后的5nm工艺更加重要了,因为Intel在这个节点会放弃FinFET晶体管转向GAA晶体管。
随着制程工艺的升级,晶体管的制作也面临着困难,Intel最早在22nm节点上首发了FinFET工艺,当时叫做3D晶体管,就是将原本平面的晶体管变成立体的FinFET晶体管,提高了性能,降低了功耗。
FinFET晶体管随后也成为全球主要晶圆厂的选择,一直用到现在的7nm及5nm工艺。
Intel之前已经提到5nm工艺正在研发中,但没有公布详情,最新爆料称他们的5nm工艺会放弃FinFET晶体管,转向GAA环绕栅极晶体管。
GAA晶体管也有多种技术路线,之前三星提到他们的GAA工艺能够提升35%的性能、降低50%的功耗和45%的芯片面积,不过这是跟他们的7nm工艺相比的,而且是初期数据。
考虑到Intel在工艺技术上的实力,他们的GAA工艺性能提升应该会更明显。
如果能在5nm节点跟进GAA工艺,Intel官方承诺的“5nm工艺重新夺回领导地位”就不难理解了,因为GAA工艺上他们也是比较早跟进的。
至于5nm工艺的问世时间,目前还没明确的时间表,但Intel之前提到7nm之后工艺周期会回归以往的2年升级的节奏,那就是说最快2023年就能见到Intel的5nm工艺。
-
intel
+关注
关注
19文章
3513浏览量
191792 -
晶体管
+关注
关注
78文章
10461浏览量
148877
发布评论请先 登录
英飞凌收购艾迈斯欧司朗非光学模拟/混合信号传感器业务,进一步巩固和增强在传感器领域的领导地位
TOPCon电池SiOₓ钝化接触层:不同CVD制备工艺性能对比
三星发布Exynos 2600,全球首款2nm SoC,NPU性能提升113%
三星公布首批2纳米芯片性能数据
Audio Precision 为 APx 系列分析仪推出全新 Bluetooth® 5 模块
中科微电ZK4030DG:N+P MOS管领域的Trench工艺性能典范
AI如何重塑模拟和数字芯片工艺节点迁移
【「AI芯片:科技探索与AGI愿景」阅读体验】+工艺创新将继续维持着摩尔神话
树莓派5超频指南:安全高效地提升性能!
爱立信位居全球无线接入网供应商榜首
德国congatec持有 JUMPtec GmbH多数股权,强化技术领导地位与计算机模块产品组合
搭载Integrity Guard安全架构的芯片交付量突破100亿,充分彰显英飞凌在安全领域的领导地位
热重分析仪在防火材料性能应用
5nn重夺领导地位 GAA工艺性能提升将会更明显
评论