Intel放弃FinFET晶体管转向GAA晶体管 GAA工艺性能提升或更明显
Intel之前已经宣布在2021年推出7nm工艺，首发产品是数据中心使用的Ponte Vecchio加速卡。7nm之后的5nm工艺更加重要了，因为Intel在这个节点会放弃FinFET晶体管转向GAA晶体管。
随着制程工艺的升级，晶体管的制作也面临着困难，Intel最早在22nm节点上首发了FinFET工艺，当时叫做3D晶体管，就是将原本平面的晶体管变成立体的FinFET晶体管，提高了性能，降低了功耗。
FinFET晶体管随后也成为全球主要晶圆厂的选择，一直用到现在的7nm及5nm工艺。
Intel之前已经提到5nm工艺正在研发中，但没有公布详情，最新爆料称他们的5nm工艺会放弃FinFET晶体管，转向GAA环绕栅极晶体管。
GAA晶体管也有多种技术路线，之前三星提到他们的GAA工艺能够提升35%的性能、降低50%的功耗和45%的芯片面积，不过这是跟他们的7nm工艺相比的，而且是初期数据。
考虑到Intel在工艺技术上的实力，他们的GAA工艺性能提升应该会更明显。
如果能在5nm节点跟进GAA工艺，Intel官方承诺的“5nm工艺重新夺回领导地位”就不难理解了，因为GAA工艺上他们也是比较早跟进的。
至于5nm工艺的问世时间，目前还没明确的时间表，但Intel之前提到7nm之后工艺周期会回归以往的2年升级的节奏，那就是说最快2023年就能见到Intel的5nm工艺。
责任编辑：wv
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
intel
+关注
关注
19文章
3482浏览量
185924 -
晶体管
+关注
关注
77文章
9682浏览量
138083 -
FinFET
+关注
关注
12文章
248浏览量
90208
发布评论请先 登录
相关推荐
IBM与Rapidus在多阈值电压GAA晶体管技术的新突破
IBM 与日本芯片制造商 Rapidus 在 2024 IEEE IEDM 国际电子器件会议上，对外展示了双方携手合作所研发的多阈值电压 GAA 晶体管技术成果。该技术上的重大突破预计会被应用于
如何测试晶体管的性能 常见晶体管品牌及其优势比较
如何测试晶体管的性能 晶体管是电子电路中的基本组件，其性能测试对于确保电路的可靠性和稳定性至关重要。以下是测试晶体管
晶体管与场效应管的区别 晶体管的封装类型及其特点
晶体管与场效应管的区别 工作原理 ： 晶体管 ：晶体管（BJT）基于双极型晶体管的原理，即通过控制基极电流来控制集电极和发射极之间的电流。
晶体管的输出特性是什么
晶体管的输出特性是描述晶体管在输出端对外部负载的特性表现，这些特性直接关系到晶体管在各种电路中的应用效果和性能。晶体管的输出特性受到多种因素
CMOS晶体管的尺寸规则
CMOS晶体管尺寸规则是一个复杂且关键的设计领域，它涉及到多个方面的考量，包括晶体管的性能、功耗、面积利用率以及制造工艺等。以下将从CMOS晶体管
NMOS晶体管和PMOS晶体管的区别
NMOS晶体管和PMOS晶体管是两种常见的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）类型，它们在多个方面存在显著的差异。以下将从结构、工作原理、性能特点、应用场景等方面详细阐述NMO
什么是单极型晶体管？它有哪些优势？
单极型晶体管，也被称为单极性晶体管或场效应晶体管（Field-Effect Transistor, FET），是一种在电子学中广泛使用的半导体器件。它的工作原理基于电场对半导体材料导电
GaN晶体管和SiC晶体管有什么不同
GaN（氮化镓）晶体管和SiC（碳化硅）晶体管作为两种先进的功率半导体器件，在电力电子、高频通信及高温高压应用等领域展现出了显著的优势。然而，它们在材料特性、性能表现、应用场景以及制造工艺
GaN晶体管的基本结构和性能优势
GaN（氮化镓）晶体管，特别是GaN HEMT（高电子迁移率晶体管），是近年来在电力电子和高频通信领域受到广泛关注的一种新型功率器件。其结构复杂而精细，融合了多种材料和工艺，以实现高效、高频率和高功率密度的
芯片晶体管的深度和宽度有关系吗
一、引言 有关系。随着集成电路技术的飞速发展，芯片晶体管作为电子设备的核心元件，其性能的优化和制造技术的提升成为了行业关注的焦点。在晶体管的众多设计参数中，深度和宽度是两个至关重要的因
什么是达林顿晶体管？达林顿晶体管的基本电路
达林顿晶体管（Darlington Transistor）也称为达林顿对（Darlington Pair），是由两个或更多个双极性晶体管（或其他类似的集成电路
三星扩大与Arm合作，优化下一代GAA片上系统IP
三星方面确认，此举目的在于提升无晶圆厂商使用尖端GAA工艺的可能性，并缩减新品开发周期及费用。GAA被誉为下一代半导体核心技术，使晶体管
在特殊类型晶体管的时候如何分析？
管子多用于集成放大电路中的电流源电路。
请问对于这种多发射极或多集电极的晶体管时候该如何分析？按照我的理解，在含有多发射极或多集电极的晶体管电路时，如果多发射极
发表于 01-21 13:47
可性能翻倍的新型纳米片晶体管
IBM 的概念纳米片晶体管在氮沸点下表现出近乎两倍的性能提升。这一成就预计将带来多项技术进步，并可能为纳米片晶体管取代 FinFET 铺平道
工商网监
评论