【TechWeb】3月18日消息,据国外媒体报道,三星电子日前公告称,该公司开始大规模量产512GB eUFS 3.1芯片,适用于旗舰智能手机。
三星电子公告截图
和之前的eUFS 3.0芯片相比,新款芯片的连续读取速度(Sequential Read)虽然还是2100MB/s,但其连续写入(Sequential Write)和随机读取速度(Random Read)分别是原来的3倍(1.2GB/s)和1.6倍(100,000 IOPS)。
eUFS为embedded Universal Flash Storage的简称,即嵌入式通用闪存。
三星表示,8K视频、高清图片将能被快速地保存入手机,无需缓冲。
除了512GB的eUFS 3.1芯片以外,三星表示,还将推出256GB和128GB的版本。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
智能手机
+关注
关注
66文章
18477浏览量
180114 -
三星电子
+关注
关注
34文章
15859浏览量
180986
发布评论请先 登录
相关推荐
三星推出业界首款24Gb(3GB)GDDR7 DRAM内存芯片
三星推出了业内首款24Gb(即3GB)GDDR7 DRAM内存芯片,其超高速度可达42.5Gbps,专为下一代图形处理单元(GPU)打造。据三星
三星将为DeepX量产5nm AI芯片DX-M1
人工智能半导体领域的创新者DeepX宣布,其第一代AI芯片DX-M1即将进入量产阶段。这一里程碑式的进展得益于与三星电子代工设计公司Gaonchips的紧密合作。双方已正式签署量产合同
三星HBM3e芯片量产在即,营收贡献将飙升
三星电子公司近日宣布了一项重要计划,即今年将全面启动其第五代高带宽存储器(HBM)芯片HBM3e的量产工作,并预期这一先进产品将显著提升公司
三星2024年底量产256GB CXL 2.0内存模块
重大决策:三星将于今年年底正式拉开符合CXL 2.0协议标准的256GB CMM-D 2.0内存模块的量产序幕。这一举措不仅标志着三星在高性能计算与数据中心存储解决方案领域的又一重大突
三星电子遭遇大规模罢工,全球芯片供应链或受重创
7月8日,三星电子公司遭遇了其成立55年以来的最大规模罢工事件,数千名电子部门的工人计划展开为期三天的罢工行动,以抗议薪资问题。这一前所未有的罢工行动不仅震撼了韩国科技界,更可能对全球芯片
移远通信GNSS定位模组LG290P即将实现大规模量产
近日,全球物联网领域的佼佼者移远通信传来了振奋人心的消息。该公司的新款工规级RTK高精度GNSS定位模组LG290P即将迈入大规模量产阶段。这款模组以其卓越的性能,成为了行业内的焦点。
广和通Cat.1 bis模组LE370-CN已实现大规模量产
广和通近期成功实现其Cat.1 bis模组LE370-CN的大规模量产。这款模组基于移芯EC716平台,以卓越的功耗、成本和性能均衡特点,完美契合中低速物联网市场的无线通信需求。
三星Galaxy S25 Ultra 内存将升级至16GB
据报道,三星Galaxy S24 Ultra已现身市场,其存储版本分别有256GB、512GB及1TB三款,但内存皆为12GB。然而,最新传
三星Galaxy Z Flip6升级至12GB内存,搭载骁龙8 Gen2处理器
此前,三星国行GalaxyZFlip5手机在存储空间上提供256GB与512GB两个选项,而常规配色(如冰薄荷、冰玫紫等)及三星商城限定色彩(如海浪蓝、山林绿等)以及MaisonMar
英伟达寻求从三星采购HBM芯片
英伟达正在寻求与三星建立合作伙伴关系,计划从后者采购高带宽存储(HBM)芯片。HBM作为人工智能(AI)芯片的核心组件,其重要性不言而喻。与此同时,三星正努力追赶业内领头羊SK海力士,
三星启动二代3纳米制程试制,瞄准60%良率
台积电是全球领先的半导体制造企业,也是三星的主要竞争对手。双方都在积极争取客户,并计划在上半年实现第二代3纳米GAA架构制程的大规模量产。
据报道,三星将推迟泰勒大型工厂的大规模芯片生产至2025年
来源:Austin American-Statesman 据媒体报道,三星位于美国泰勒市的大型制造工厂可能要到2025年才能开始大规模生产半导体芯片,与其预计的投产日期相比,推迟了至少半年。 彭博社
评论