0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

碳化硅元件潜力大 IDM到硅晶圆厂争相扩大布局

汽车玩家 来源:钜亨网 作者:钜亨网 2020-03-23 14:53 次阅读

随着 5G、电动车等新应用兴起,第三代化合物半导体材料逐渐成为市场焦点,看好碳化硅 (SiC) 等功率半导体元件,在相关市场的优势与成长性,许多 IDM、硅晶圆与晶圆代工厂,均争相扩大布局;即便近来市场遭遇新冠肺炎等不确定因素袭击,业者仍积极投入,盼能抢在爆发性商机来临前,先站稳脚步。

目前全球 95% 以上的半导体元件,都是以第一代半导体材料硅作为基础功能材料,主要应用在资讯与微电子产业,不过,随着电动车、5G 等新应用兴起,推升高频率、高功率元件需求成长,硅基半导体受限硅材料的物理性质,在性能上有不易突破的瓶颈,也让厂商开始争相投入化合物半导体领域。

第三代半导体材料包括氮化镓 (GaN)、碳化硅 (SiC) 等宽频化合物半导体材料,其中,碳化硅具备低导通电阻、高切换频率、耐高温与耐高压等优势,可应用于 1200 伏特以上的高压环境。

相较于氮化镓,碳化硅更耐高温、耐高压,较适合应用于严苛的环境,应用层面广泛,如风电、铁路等大型交通工具,及太阳能逆变器、不断电系统、智慧电网、电源供应器等高功率应用领域。

近来随着电动车与混合动力车发展,碳化硅材料快速在新能源车领域崛起,主要应用包括车载充电器、降压转换器与逆变器。且据研究机构 HIS 与 Yole 预测,碳化硅晶圆的全球电力与功率半导体市场产值,将从去年的 13 亿美元,扩增至 2025 年的 52 亿美元。

目前碳化硅晶圆市场由 CREE 独霸,市占率高达 6 成之多,台湾硅晶圆大厂、也是全球第三大硅晶圆供应商环球晶,也积极跨入碳化硅晶圆领域,已有产品小量出货,去年 8 月更宣布与 GTAT 签订碳化硅晶球长约,确保取得长期稳定、且符合市场需求的碳化硅晶球供应,以加速碳化硅晶圆产品发展。

另一家台湾硅晶圆厂合晶也持续关注碳化硅或氮化镓产品,并评估进行策略合作,未来可能与其他厂商结盟。韩国唯一的半导体硅晶圆厂 SK Siltron,也呼应韩国政府近来推动的材料技术自主化政策,今年 2 月底收购美国化学大厂杜邦 (DuPont) 的碳化硅晶圆事业,积极切入次世代半导体晶圆技术。

除硅晶圆厂外,台湾投入碳化硅领域的还包括布局最早的汉磊投控 (3707-TW) ,已在此领域建立完整生产链,旗下磊晶硅晶圆厂嘉晶 (3016-TW) 切入 4 吋与 6 吋 SiC 磊晶硅晶圆代工服务,已获客户认证并量产;同集团的晶圆代工厂汉磊科,则提供 SiC Diode、SiC MOSFET 代工服务。

近来新加入市场的,还有寻求新事业发展的太阳能厂太极。太极上 (2) 月与中科院签署碳化硅专利授权合作开发合约,将着墨在碳化硅长晶与基板,初期切入高压功率元件应用市场,最快第 4 季可量产基板。

而在 IDM 厂方面,除英飞凌 (Infineon)、罗姆 (ROHM) 等 IDM 大厂积极布局外,安森美半导体 (ON Semiconductor) 也在本月与 GTAT 签订 5 年碳化硅材料供给协议。

虽然受限成本与技术门槛较高、产品良率不高等因素,使碳化硅晶圆短期内难普及,但随着既有厂商与新进者相继扩增产能布局,且在电动车、5G 等需求持续驱动下,可望加速碳化硅晶圆产业发展。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 晶圆
    +关注

    关注

    52

    文章

    4838

    浏览量

    127793
  • 碳化硅
    +关注

    关注

    25

    文章

    2691

    浏览量

    48878
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    碳化硅衬底,进化12英寸!

    电子发烧友网报道(文/梁浩斌)碳化硅产业当前主流的晶圆尺寸是6英寸,并正在大规模往8英寸发展,在最上游的晶体、衬底,业界已经具备大量产能,8英寸的碳化硅晶圆产线也开始逐渐落地,进入试产阶段。   让
    的头像 发表于 11-21 00:01 1130次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>衬底,进化<b class='flag-5'>到</b>12英寸!

    碳化硅功率器件的工作原理和应用

    碳化硅(SiC)功率器件近年来在电力电子领域取得了显著的关注和发展。相比传统的(Si)基功率器件,碳化硅具有许多独特的优点,使其在高效能、高频率和高温环境下的应用中具有明显的优势。本文将探讨
    的头像 发表于 09-13 11:00 440次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件的工作原理和应用

    碳化硅功率器件的优点和应用

    碳化硅(SiliconCarbide,简称SiC)功率器件是近年来电力电子领域的一项革命性技术。与传统的基功率器件相比,碳化硅功率器件在性能和效率方面具有显著优势。本文将深入探讨碳化硅
    的头像 发表于 09-11 10:44 412次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件的优点和应用

    碳化硅和晶体谁的熔点高

    1.碳化硅和晶体的熔点比较,碳化硅的熔点更高。 具体来说,碳化硅的熔点大于2700℃,并且其沸点高于3500℃。而晶体的熔点则为1410
    的头像 发表于 08-08 10:15 879次阅读

    碳化硅晶圆和晶圆的区别是什么

    以下是关于碳化硅晶圆和晶圆的区别的分析: 材料特性: 碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料,具有比(Si)更高的热导率、电子迁移率和击穿电场。这使得
    的头像 发表于 08-08 10:13 1095次阅读

    碳化硅功率器件的优势和分类

    碳化硅(SiC)功率器件是利用碳化硅材料制造的半导体器件,主要用于高频、高温、高压和高功率的电子应用。相比传统的(Si)基功率器件,碳化硅功率器件具有更高的禁带宽度、更高的临界击穿电
    的头像 发表于 08-07 16:22 477次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件的优势和分类

    碳化硅MOSFET与MOSFET的应用对比分析

    碳化硅 MOSFET 具有导通电压低、 开关速度极快、 驱动能力要求相对低等特点, 是替代高压MOSFET 的理想器件之一。
    的头像 发表于 04-01 11:23 2055次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET与<b class='flag-5'>硅</b>MOSFET的应用对比分析

    碳化硅压敏电阻 - 氧化锌 MOV

    碳化硅圆盘压敏电阻 |碳化硅棒和管压敏电阻 | MOV / 氧化锌 (ZnO) 压敏电阻 |带引线的碳化硅压敏电阻 | 金属陶瓷复合电阻器 |ZnO 块压敏电阻 关于EAK
    发表于 03-08 08:37

    碳化硅特色工艺模块简介

    材料的生长和加工难度较大,其特色工艺模块的研究和应用成为了当前碳化硅产业发展的关键。 碳化硅特色工艺模块主要包括以下几个方面: 注入掺杂 在碳化硅中,碳键能较高,杂质原子难以在其中扩
    的头像 发表于 01-11 17:33 807次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>特色工艺模块简介

    碳化硅相对传统半导体有什么有缺点

    碳化硅(SiC)和传统半导体(Si)是两种常见的半导体材料,它们在电子器件制造中具有广泛的应用。然而,碳化硅相对于传统半导体具有一定的优缺点。 优点: 更高的热导率:
    的头像 发表于 01-10 14:26 1672次阅读

    碳化硅的特性、应用及动态测试

    SiC是碳化硅的缩写。它是一种由原子和碳原子组成的化合物。碳化硅以其优异的性能著称,是一种用途广泛的材料。
    的头像 发表于 01-09 09:41 919次阅读

    碳化硅功率器件的优势应及发展趋势

    的优势高频率:碳化硅材料的电子迁移率比高,使得碳化硅功率器件能够承受更高的开关频率。这有助于减小无源元件的尺寸,提高系统的整体效率。低损耗:碳化硅
    的头像 发表于 01-06 14:15 714次阅读

    碳化硅功率器件的实用性不及基功率器件吗

    碳化硅功率器件的实用性不及基功率器件吗  碳化硅功率器件相较于传统的基功率器件具有许多优势,主要体现在以下几个方面:材料特性、功率密度、温度特性和开关速度等。尽管
    的头像 发表于 12-21 11:27 584次阅读

    碳化硅的5大优势

    碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一种碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻断电压能力和低比导通电阻。
    的头像 发表于 12-12 09:47 1684次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>的5大优势

    碳化硅是如何制造的?碳化硅的优点和应用

    碳化硅,又称SiC,是一种由纯和纯碳组成的半导体基材。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体,或将其与铍、硼、铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅的品种和纯度很多,但半导体级质量的碳化
    的头像 发表于 12-08 09:49 1654次阅读