3月31日讯,在新冠肺炎疫情严峻的形势下,供应链传出消息称,台积电3 nm 试产线安装被迫延后,原定 6 月装机的安排将延迟到 10 月。供应链表示,台积电原定今年底提前试产 3 nm 制程的计划,也将延至明年年初,但应会如该公司原计划般在 2022 年实现量产。
对于该消息,台积电表示,过去并未正式发布 3nm试量产时程,3nm 试产时程延后是外界揣测,不评论外界揣测。台积电指出,5nm制程是目前发展的重点,依进度发展。公司预计上半年率先量产 5nm,维持竞争优势。
据产业链最新消息称,iPhone 12的准备工作依然正在进行,苹果不会轻易推迟它的发布,因为这个新品对它们至关重要。
据悉,台积电仍将于下个月为苹果公司量产A14处理,虽然近日有消息称A14处理器的量产日期将推迟1——2个季度。
在当前环境下,台积电5nm芯片生产线仍排满了订单,将按计划于4月份为苹果量产A14处理器。A系列芯片的生产通常在4月至5月份开始,因此,这意味着台积电此次量产A14处理器是如期进行,并未受到其他因素的影响。
自2016年以来,台积电一直都是苹果“A系列”处理器的独家供应商。其中,A10处理器采用16纳米制造工艺,A11采用10纳米工艺,A12采用7纳米工艺,去年的A13采用7纳米工艺+极紫外光刻工艺。而今年,台积电将使用5纳米技术来生产A14处理器。
之前有消息称,今年只有两款高端iPhone,也就是iPhone 12 Pro 和iPhone 12 Pro Max会采用ToF传感器。ToF传感器会为iPhone带来全新 AR 体验。苹果还会推出专门的AR应用,增强可玩性。
今年苹果将会推出4款5G手机,其都会使用台积电的5nm A14处理器,相比上一代A13来说,更先进的架构下,新的A14表现出的性能也必然更强大。从之前曝光的A14处理器的跑分(苹果A14有可能成为首个正式超过3GHz的ARM手机处理器)看,其频率堆到了3.1GHz,GK5单核1658分,多核4612分。
A14的提升到底有多大?A13的单核、多核是1329、3468分,对比一下的话,A14的单核性能提升了25%,多核提升了33%,很显然今年A14又是默秒全安卓阵营了。
业内人士表示,3 nm 是半导体产业历年来最大手笔的投资,更是龙头争霸的关键战役。据悉,台积电在中国台湾的 3 nm 计划投资总额逾 1.5 万亿元新台币。不过,三星追赶台积电的企图也一直没有停过。三星在 14 nm 制程上大幅落后台积电,之后的 10 nm、7 nm 更被台积电大幅领先,三星因此跳过 5 nm,决定在 3 nm 方面缩小与台积电差距,并规划在 2030 年前投资 1160 亿美元,打造非内存的半导体王国。
面对三星追赶,台积电并不畏战,因为台积电在 5 nm 已取得压倒性胜利,几乎囊括了全年能够参与 5 nm 制程的所有客户,包括苹果、海思、AMD、高通等,这些客户未来也将是少数能参与 3 nm 竞赛的半导体厂。
台积电在 3 nm 方面计划始终低调,仅在多次法说会中揭露量产时间落在 2022 年,但一直未透露技术规范。不过值得一提的是,台积电原定于 4 月 29 日在美国圣塔克拉拉举行北美技术论坛公布 3 nm 制程细节,但受新冠肺炎疫情全球蔓延影响,台积电决定将今年第一场举行的北美技术论坛延后至 8 月 24 日,其他地区的技术研讨会则于 9 月重新安排。
目前,台积电并无调整第 1 季度运营目标的计划,季营收将达约 102 亿至 103 亿美元,预计季减约 1.3%,表现将淡季不淡。不过业内人士也预期,新冠肺炎疫情对台积电运营的影响恐将在第 2 季逐步显现,台积电第 2 季可能面临客户库存调节影响,业绩将较第 1 季滑落。
在半导体公司进入10nm节点之后,全球有能力有机会跟进的只剩下Intel、台积电、三星三家公司了,其中三星的3nm工艺将转向GAA环绕栅极晶体管工艺,台积电的3nm相对保守些,第一代还是FinFET工艺。
台积电原本在4月份举行技术论坛会议,揭秘3nm工艺的计划,不过因为疫情影响,现在已经延期到了8月底。
此外,3nm工艺的试产计划恐怕也要延期了,原计划在6月份风险试产,但是因为最新疫情的蔓延,半导体装备及安装人员都无法按期完成,试产时间将延期到10月份。
相应地,台积电南科18厂的3nm生产线也会顺延一个季度,原本在10月份安装设备,现在也要到2021年初了。
不过对台积电来说,今年最大的风险还是5nm工艺,正常情况应该是在Q2季度末,也就是6月份开始量产苹果的A14处理器,还有华为的麒麟1020处理器,但是因为疫情导致供应链及需求放缓,此前传闻苹果A14处理器要延期3个月量产拉货,这将影响台积电Q3季度运营表现。
3nm制程是半导体产业历年最大手笔投资,更是龙头争霸的关键战役。台积电将投资总额逾1.5兆元的3纳米计划留在台湾,奠定中国台湾半导体产业成为全球半导体产业制造重心,也掀起强大的群聚效应。
不过,三星追赶台积电的企图一直没有停过,三星在14纳米制程大幅落后台积电后,随后的10nm、7nm制程更被台积电大幅领先,三星因而跳过5nm,直接决战3nm制程,计划在2030年前投资1160亿美元,希望超越台积电成为全球第一大晶圆代工厂。
台积电目前在5nm制程已取得压倒性胜利,几乎囊括全年能够参与5nm制程的所有客户,包括苹果、海思、超微、高通,这些客户未来也将是少数能参与3nm竞赛的半导体厂。但台积电在3nm计划始终维持低调,在多次的法说会只揭露2022年量产时程,坚持不对外透露制程技术。
这场半导体双强的3nm争霸,原本在台积电总裁魏哲家宣布台积电将于四月二十九日圣塔克拉拉举行北美技术论坛公布3nm制程,再度引爆战火。但台积电稍早在官网已决定将论坛延至八月二十四日,其他地区的技术研讨会将在九月重新安排。
此外,台积电原订六月于竹科十二B厂装设3nm试产线,也因欧美疫情升高,相关关键设备无法如期交货,装机人员也受到境外人士不能抵台等限制,无法如期装设,台积电供应链透露将延至今年十月装设。
至于南科十八厂原订今年十月也装设一条3nm试产线,预料也将向后延至少1nm,换句话说,台积电原订今年底提前试产3nm制程计划,将延至明年初才会试产,但应会如原先预定在2022年量产。
三星已开发首款3nm GAAFET半导体原型
今年年初,三星电子宣布成功开发了世界上首个3nm超细半导体工艺技术。三星电子在中长期愿景中也启用了“绿色信号”,以在2030年实现系统半导体世界第一的地位,这使超精细工艺技术的竞争对手不胜枚举。
据三星电子在今年1月2日的报道,三星副董事长李在勇访问了华城工厂的半导体研究中心,以接收有关三星电子开发的全球首个3纳米工艺技术的报告,以及负责三星电子,下一代半导体半导体业务的设备解决方案(DS)部门总裁的报告。
据报道,三星在3nm工艺上的工作是基于全能栅极(GAAFET)技术,而不是FinFET。据称,这将使总硅片尺寸减少35%,而功耗却减少了约50%,并且与5nm FinFET工艺相比,功耗保持不变,性能提高了33%。
三星在一年前就宣布在3nm GAAFET工艺上进行工作,当时它说它的目标是在2021年实现批量生产。那在当时被认为是雄心勃勃的,但是如果三星已经成功生产出其首批3nm原型,那么该供应商可能比预期的要近。
GAAFET设计与FinFET设计的不同之处在于,GAAFET设计围绕着在通道的四个侧面周围都有栅极,从而确保了减少的功率泄漏并因此改善了对通道的控制-这是缩小工艺节点时的基本步骤。切换到更高效的晶体管设计,再加上减小的节点尺寸,可以在5nm FinFET工艺上实现每瓦性能的巨大飞跃。
李在报告过程开发的结果时说:“过去的表现并不能保证未来的成功。历史不是等待,而是成功。让我们大胆地放弃错误的做法和事故,开创一个新的未来。”
责任编辑:gt
-
处理器
+关注
关注
68文章
19461浏览量
231421 -
台积电
+关注
关注
44文章
5703浏览量
167108
发布评论请先 登录
相关推荐
评论