本文展望了SiC下一步需要做什么,将在哪里应用以及如何成为功率半导体的主导力量。
1893年,费迪南德·亨利·莫桑博士(Ferdinand Henri Moissan)于亚利桑那州的陨石残留物中发现了这种材料,此后,碳化硅晶体就可以说是“Moissanite”之美。
如今,碳化硅可以形成宝石、钻石,甚至更耐热。碳化硅晶体也在工业上成为了碳化硅(SiC)晶片的基础,碳化硅(SiC)晶片是一种非常成功的新型半导体产品,已经发展到可以与硅竞争的水平。
碳化硅现已进入第三代产品,其性能随着越来越多的应用而增加。同时,随着电动汽车,可再生能源和5G等行业创新步伐的加速,电力工程师越来越多地寻求新的SiC解决方案,以在效率,成本节省和功能方面取得优势,满足消费者和行业的需求。
一、第三代SiC技术
让我们回顾一下SiC技术的现状以及与传统硅解决方案的竞争优势。下图显示了与硅相比的基本材料特性-靠近边缘的值更好。
Si和SiC材料特性的比较
SiC的优点包括:带隙更宽,导致临界击穿电压更高,电子速度更高,开关速度更快。对于给定的额定电压,管芯尺寸可以小得多,从而具有低导通电阻,再加上显着更好的导热性,从而可以降低损耗并降低运行温度。较小的裸片尺寸还减少了器件电容,从而降低了开关损耗,而SiC固有的高温性能反而降低了热应力。
当实现为SiC FET时,采用United SiC将SiC JFET与Si-MOSFET共封装的共源共栅布置,常关器件可实现快速,低损耗的体二极管,高雪崩能量额定值和自限性短路条件下的电流。
SiC FET具有简单的栅极驱动器,可与较早的Si-MOSFET甚至IGBT兼容,因此,通过提供兼容的封装,可以轻松地从较早的器件类型进行升级。
对于高开关频率应用,现在还提供扁平的DFN8x8封装,该封装可最大程度地减小引线电感,因此非常适合诸如LLC和相移全桥转换器之类的硬开关和软开关应用。
使用该技术,United SiC UF3C系列器件突破了障碍,这是首款采用凯尔文4引脚TO-247封装,在1200V类器件中RDS(ON)低于10毫欧的SiCFET。
United SiC中使用的SiC晶圆已发展到六英寸的尺寸,其规模经济性使其可与硅的价格水平保持一致,并用于大众市场应用以及尖端的创新产品。
二、进一步改善SiC FET的驱动力
SiC FET正在接近理想的开关,但是市场仍然要求更多。
EV逆变器需要尽可能高的效率以增加行驶距离;高功率DC-DC以及数据中心/5G应用中的AC-DC转换器必须消耗尽可能少的功率,以最大程度地减少能量损失,占地面积和成本;工业界希望使用更小,更高效的电机驱动器,以更好地利用工厂空间。
同时,SiC的其他新应用也已经开发出来,可以利用SiC的一些优势。例如,固态断路器现在在高电流水平下的损耗非常低,甚至线性电源电路(如电子负载)也比SiC更好。具有扩展的安全操作区域(SOA)的设备。
随着系统工程师认识到在减小尺寸和冷却要求,同时节省能源和硬件成本的机会的同时,他们希望拥有更多相同的器件,以及具有更广泛应用的设备,例如更高的电压和电流额定值以及更多的封装选项。
三、比较SiC设备特性及未来发展方向
在比较当前SiC 设备及其发展趋势时,各个参数并不一定具有启发性,比如低于10毫欧的设备在100V的额定电压下并不算优越,但在1200V的电压下却是最先进的。
同样,如果管芯面积较大,则会导致高电容和随之而来的开关损耗,因此在1200V时低RDS(ON)不太有用。
因此,使用商定的“品质因数”(FOM)是有用的,低值结合了低电阻和开关损耗以及每个晶片的裸片数量的措施,从而降低了成本。
EOSS,为设备输出电容充电所需的能量对于降低开关损耗非常重要,而对于总损耗而言,有用的直接FOM也是RDS(ON)。
碳化硅改良参数:
显然,对于关键的FOM,SiC相对于其他开关类型而言是一个巨大的进步,但更高性能的范围又是什么呢?
还需要考虑其他可能与FOM改进相抵触的参数。下图显示了一些,箭头指示了运动方向,以获得更好的性能。BV是临界击穿电压,COSS是输出电容,Qrr是反向恢复电荷,ESW是开关时的能量损失,Diode Surge是体二极管效应峰值电流额定值,SCWT是短路耐受额定值,UIS是未钳位的电感性开关额定值和RthJ-C是外壳热阻的结点。
SiC FET特性及其发展方向:现在是蓝色,将来是橙色
一些特性会相互增强好处,例如较小的模具尺寸可降低COSS,从而降低ESW;其他则需要权衡取舍,例如,减少芯片体积可能会导致UIS能源评级降低。峰值雪崩电流不会受到影响,这是与低能量杂散电感相关的过冲或雷电测试的典型结果。
但是,在电池和封装设计方面进行改进的有用组合还有很多余地,可以看到RSD(ON)。减半后的骰子明显变小。然后,COSS也将以相同的比例下降,而ESW相应下降。通过对RDS(ON)进行相应的改进,可以使芯片更薄,但United SiC相信这不会以额定电压为代价,而额定电压将随着新的750V标准电压等级而升高至1700V。
挑战不断涌现,例如原材料需要达到零缺陷和完美的平坦度的要求,但是在每片晶片的裸片数量以及“交叉”方面,成品率一直在不断提高。SiC在其发展曲线的开始阶段仍然是一个相对较年轻的技术,并且像以前的MOSFET一样,在成本和性能方面都有很大的未来改进前景。
四、SiC封装的演变
随着SiCFET器件的改进和扩展到不同的应用领域,可以预料封装选项也将扩大。
目前,TO-247零件很受欢迎,因为它们可以作为某些MOSFET和IGBT的直接替代品,并且许多类型是四引线的,包括用于栅极驱动的开尔文连接。这有助于克服源极引线电感的影响,否则会导致漏极-源极di/dt较高而导通。D2PAK-3L和-7L以及TO-220-3L,TO247以及最近从United SiC推出的表面贴装薄型DFN8x8封装均经过优化,以最小的封装电感实现了高频工作。
将来,将提供其他SMD封装,其中大多数采用银烧结模压连接,以实现更好的热性能。模块中的多个SiC裸片也将变得更加广泛,单个裸片的额定电压可能高达1200V,而使用堆叠式“超级级联”排列以实现非常高的功率时,额定功率可能高达6000V或更高。这些将通常用于固态变压器,MV-XFC快速充电器,风力发电系统,牵引力和HVDC。
五、展望未来
电力应用领域的创新是迅速的,无需费吹灰之力就能看到半导体开关需要发展以符合市场期望。然而,采用新的性能基准,SiC可以遵循一条明确的道路来满足需求。United SiC当前正在开发新设备,以应对越来越广泛的应用。
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