SK海力士今天正式发布了最新款的企业级SSDPE8000系列,包括PE8010、PE8030、PE8111三款型号,这也是其首款PCIe4.0SSD,无论存储密度、容量还是性能都是世界一流的,甚至是超一流的。
PE8010、PE8030都配备了SK海力士自产的96层堆叠4DTLCNAND闪存颗粒,搭配自研主控,最大容量8TB,兼容U.2、U.3接口,其中PE8010面向读取密集型应用,PE8030则为读写混合应用而优化。
性能方面,持续读写速度最高均可达8.3GB/s、3.7GB/s,随机读写速度最高则可达1100KIOPS、320KIOPS。相比于去年的上代产品,持续读取性能提升103%,随机写入性能提升357%,另外最大功耗为17W。
PE8111则是针对读取密集型负载的超大容量版本,应用了世界第一的128层堆叠4DTLCNAND闪存颗粒,单颗容量1Tb(128GB),相比于上一代的512Gb颗粒只需一半数量的闪存芯片就可以达成同等容量,同样数量闪存芯片则容量轻松翻番。
PE8111现有最大容量为16TB,E1.L接口形态,同时正在开发32TB版本。
它特别针对OCP(开放计算项目)存储平台而优化,持续读写速度最高3.4GB/s、3.0GB/s,随机读写速度最高700KIOPS、100KIOPS。
SK海力士表示,PE8010、PE8030SSD已经向客户出样,PE8111下半年出样。
资料图:SK海力士的NAND、SSD
原厂128层3D NAND出货节点:集中在2020年Q3季度
随着3DNAND技术的快速发展,三星、铠侠、西部数据、美光、SK海力士等均已研发出100层+3DNAND技术。
以下是各家原厂进展:
SK海力士最早在2019年6月公开发布128层4DTLCNAND,相较于96层的生产效率提高40%。之后不到半年的时间,SK海力士在2019年11月份向主要客户交付基于128层1Tb4DNAND的工程样品,包括1TBUFS3.1、2TB客户端cSSD、16TB企业级eSSD,2020下半年都将大规模量产出货。
三星也是在2019年6月就推出了第六代V-NAND(128层256Gb3DTLCNAND),8月份宣布基于该技术已批量生产250GBSATASSD,同年11月实现了第六代128层512GbTLC3DNAND的量产。三星新建的平泽工厂即将投产,按照投产进度,将有望在2020下半年实现投产,量产最先进的128层3DNAND。
铠侠在2020年1月宣布和合作伙伴WesternDigital(西部数据)携手研发出3DBiCSFLASH第5代产品,采用112层3DNAND技术,试产的是512Gb(64GB),采用TLC技术,于2020年第一季出样,还计划推出112层1Tb(128GB)TLC以及1.33TbQLC产品,利用双方共同营运的四日市工厂以及北上新建工厂进行生产。
美光于2019年10月初第一批第四代3DNAND芯片流片出样,在美光2020财年Q2财报中进一步透露,已在第一季度开始批量生产第四代128层3DNAND,将在第三季度开始出货,预计2021年3DNAND将全面进入100层+的时代。
电子发烧友综合报道,参考自TechWeb、闪存市场,转载请注明以上来源和出处。
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