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三星西安高新区二期项目第二阶段开工 建成后将新增产能每月13万片

半导体动态 来源:全球半导体观察 作者:全球半导体观察 2020-04-14 15:07 次阅读

据西安新闻网报道,截至3月底,西安43个先进制造业重点项目完成投资144.53亿元,占年计划投资的29.6%。产业项目加速推进,其中,三星二期一阶段项目首批半导体产品已正式下线上市,二阶段全面开工建设。

据悉,三星(中国)半导体有限公司生产的主要产品为3D V-NAND闪存芯片,目前产品通过韩国总部远销欧美、东南亚等地。三星高端存储芯片项目于2012年落户西安高新区。

资料显示,三星电子一期投资108亿美元,建成了三星电子存储芯片项目和封装测试项目。2019年,一期项目和封装测试项目全部实施完毕,并实现满负荷量产,实现产值513亿元人民币。

二期项目总投资150亿美元,主要制造闪存芯片。其中,第一阶段投资约70亿美元,第二阶段投资80亿美元。按照规划,三星西安二期第一季阶段于2020年3月竣工投产,第二阶段将于2021年下半年竣工。

2020年3月10日,三星(中国)半导体有限公司高端存储芯片二期第一阶段项目产品正式下线上市。据中国青年报此前报道,三星电子二期第一季预计今年8月份可实现满产。

三星西安二期项目建成后将新增产能每月13万片,占三星电子全球产量的40%,新增产值300亿元,解决上千人就业,并带动一批配套电子信息企业落户,使西安成为全球水平最高、规模最大的闪存芯片制造基地。
责任编辑:wv

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