3nm相较于7nm FinFET功耗减半性能增加30%

由华人科学家胡正明教授发明的FinFET（鳍式场效应晶体管）预计在5nm节点之后走向终结，三星的方案是GAAFET（环绕栅极场效应晶体管）。

三星日前简要介绍了GAAFET中核心技术MCBFET（多桥沟道场效应晶体管），基于它打造的3nm芯片，相较于7nm FinFET,可以减少50%的能耗，增加30%的性能。

按照三星的说法，他们预计3nm晶体管的硅间距缩减45%之多。

据悉，MCBFET允许晶体管向上堆叠、并且自定义宽度，以适应低功耗或者高性能产品的不同要求。

另外，三星规划3nm量产的时间是2022年，这和上周的报道契合。推迟的原因主要是，EUV光刻机等关键设备在物流上的延迟。

至于台积电的3nm，据说第一代还是FinFET，总投资高达500亿美元，风险试产也推迟到了今年10月。