据通用技术集团消息,经过前期科学有序的疫情防控和复工复产准备,日前武汉国家存储器基地施工生产加速推进,现场300余名工人已经投入到各项工作。
据悉,该项目于4月2日获得复工批复,目前正在进行二次施工及部分高层主体结构施工。此外,现场还设置了隔离观察室,实行专人每日测量体温,进行实名登记,建立“一人一档”健康档案,现场实施全封闭管理、做好现场日常全面消杀工作,确保防疫复工两不误。
武汉国家存储器项目位于武汉东湖高新区武汉未来科技城,总投资1600亿元,规划建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND闪存制造厂房。预计2020年,整个项目完成,总产能将达到30万片/月,年产值将超过100亿美元。
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