美国对日贸易摩擦在电子制造业领域的具体政策

在美国的步步紧逼下，华为面临越来越严格的出口限制， 就连中芯国际都在近日表示：他们未来给某个客户代工可能会受到限制。其实美国对他国进行专利封锁制裁的手段并非首次出现，三十年前美国日本也发生过类似的贸易争端。

在美国的步步紧逼下，华为面临越来越严格的出口限制， 就连中芯国际都在近日表示：他们未来给某个客户代工可能会受到限制。

其实美国对他国进行专利封锁制裁的手段并非首次出现，三十年前美国日本也发生过类似的贸易争端。

战后初期受美国援助，日本电子制造业开始复苏，1950年之后日本政府重点发展以半导体为代表的电子制造业，采用政策与资金双结合的“举国体制”，同时日本厂商大力模仿美国同类产品，直到1985年的30多年时间日本电子制造业产值从1955年的0.02万亿日元增长到1985年的17.7万亿日元，同期出口从近乎为0增长到9.9万亿日元，日本DRAM在全球市占率一度高达80%。

日美电子贸易战从1984年持续到1991年，措施上从限制专利输出到开征反倾销关税再到“最低价格协定”以及“最低市场份额协定”。贸易战后日本电子行业出现两层分化，首先是低端组装业务开始海外迁移，只有集成电路和元器件在全球竞争力持续强势，另一层分化是集成电路行业内只有设备与材料一骑绝尘，DRAM等产品从全球霸主地位不断衰落。

为了从日美电子贸易摩擦中寻求芯片突围经验，民生证券公司发布了题为《日美电子贸易摩擦启示录》的研究报告，从电子及制造业发展的大历史周期角度，分析了日本电子产业的兴衰，为现在中美贸易争端出谋划策。

美日本贸易摩擦

美国对日贸易摩擦的时间跨度大约为 1985～1991 年，从 1975 年～1991 年，美国共向日本发起了 15 次 301 调查。在电子制造业领域美国对日本的贸易摩擦一直持续不断，前有收音机进口数量限制后有彩电反倾销政策，但是美国对日本电子制造业最担忧的也是贸易摩擦中最激烈的领域发生在半导体行业。

1、美国对日贸易摩擦在电子制造业领域具体政策

起因：日本在全球半导体市场份额持续上升 。在全球半导体市场上，美国半导体收入在全球半导体总收入中所占的比重由1978 年的 55%下降到 1984 年的 30%，而同期日本由 28%上升到 46%，1985 年后，日本的企业首次成为世界最大的半导体销售商，到 1986 年，世界半导体销量排行榜前三位均为日本企业。此外，上世纪 80 年代，日本高科技出口已经超过进口，日本电子计算机在美国市场的占有率由 1980 年的 1%增加到 1984 年的 7.2%，电子部件由 3.2%上升到 7.2%。与此同时在机器人、集成电路、光纤通讯、激光、陶瓷材料等技术方面处于世界领先水平。

美国对日半导体贸易摩擦措施：知识产权委员会+最低价格协定+超级 301 条款 。 1984 年成立知识产权委员会，限制本国技术外流。1983 年美国商务部认定， “对美国科技的挑战主要来自日本，目前虽仅限少数的高技术领域，但预计将来这种挑战将涉及更大的范围”，以后，美国就开始在高技术方面对日本采取防范措施，并加大对知识产权的保护力度，1984 年成立知识产权委员会，限制本国技术外流。

1986 年初，日美两国签订了为期 5 年的《日美半导体保证协定》。在美国政府强力施压之下，1986 年初日美两国签订了为期 5 年的《日美半导体保证协定》，该协议的主要内容为：美国暂停对日本 DRAM 倾销诉讼，但作为交换条件，要求日本政府促进日本企业购买美国生产的半导体，加强政府对价格的监督。

《协定》的具体内容包括：1）在市场准入方面：日本扩大外国半导体加入日本市场的机会，要求在日本市场必须有 20%的美国半导体产品占有率；2）在倾销方面，美国暂停对 DRAM 的反倾销调查，并根据日本生产商提供的成本资料确立了外国市场价格。当销售价低于外国市场价水平时，就可以断定该生产商正在以低于平均成本的价格进行倾销（在美国的反倾销法中，允许加上 8%的边际利润）。

加征关税以及“超级 301”条款。1987 年 3 月，美国政府以日本未能遵守协议为由，就微机等日本有关产品采取了征收 100%进口关税的报复性措施。1988 年美国通过“综合贸易与竞争法”，祭出“超级 301”条款，使日本所有出口商品都处于美国贸易制裁风险之中。1989 年美国认定日本在大型计算机、卫星和林业产品方面封闭市场，动用“超级 301”条款进行调查。

新半导体协议。之后，日美两国政府于 1991 年 6 月签定了五年期的新半导体协议，其主要内容为：扩大市场准入条款，削减并修改了反倾销条款。

广场协定：日本 DRAM 成本优势不再的直接原因。尽管美国迫使日本签订广场协定不是只针对半导体产业，但是不得不提广场协定对日本半导体的出口影响是巨大的。1985 年 9 月，日元汇率在 1 美元兑 250 日元上下波动，在“广场协议”生效后不到 3 个月的时间里，快速升值到 1 美元兑 200 日元附近，升幅 20%。1986年底，1 美元兑 152 日元，1987 年最高达到 1 美元兑 120 日元。1985 年后日本电子制造业的贸易顺差开始掉头向下，DRAM 产品的市场占有率也开始急剧下降，时间点与广场协议签订时间高度相关。

2、 贸易摩擦后的日本电子制造业的两层分化

第一层分化：终端产品萎缩，零部件与设备占比提升 。

1985 年后集成电路、零部件出口持续增长，视频、音频、计算机持续萎缩。出口是衡量一个国家某种产品在全球竞争力最有效的方式之一。我们对日本电子行业每种细分品类在 1985 年之后的出口额进行了详细统计，以此来观察在 1985 年贸易摩擦之后日本电子行业哪些产品衰落了，哪些产品竞争力提升了。从下图中可以看出在 1985 年之后出口额能持续增长的只有集成电路产品，零部件产品在 1985 年后2000 年之前仍然保持高速增长，视频产品、音响设备、计算机及相关设备等产品在1985 年之后出口额持续萎缩。

零部件与设备成为出口创汇主力。1985 年之后日本电子制造业中零部件与设备的产值占比持续提升，从 1985 年的 30%提升到 2013 年的 60%，出口创收占比更是从不到 30%提升到接近 80%，同时占电子行业进口额的比重持续下降到 40%，说明日本本土零部件与设备厂商的竞争力不断提升，不光实现了实现进口替代，更是成为了出口创汇的主力产业。

第二层分化：半导体领域 DRAM 开始衰败，设备与材料兴起 。

除了终端电子产品之外，日本半导体领域也同样出现分化趋势。日本 DRAM 行业在 1985 年之后在全球市场份额持续下滑，但是日本半导体行业中核心设备在全球的份额持续提升，80 年代是日本半导体设备及材料崛起的黄金十年。在 1980 年全球前十大半导体设备厂商中，美国占有 9 席，日本仅仅占 1 席；而到 1990 年全球前十大厂商中，日本占有 5 席，美国占有 5 席。

根据 SEMI 的预测，在半导体材料领域，日本企业全球市场占有率约为 52%，其中欧洲与北美占比都为 15%左右。在全球该领域中日本行业占据了绝对优势，此时期日本半导体材料在光刻胶、模压树脂、硅晶圆、键合引线及引线框架等重要材料方面占了非常高的份额，日本半导体材料企业在全球行业中地位举足轻重。像日立化学、京瓷化学、信越、三菱佳友株式会社 SUMCO、佳友电木等日本企业几乎垄断了全球半导体材料。靶材领域，市场占有率超 90%的全球 6 大厂商中前两大就是日本的厂商 Shin-Etsu 和 SUMCO，两家市场占有率合计超过 50%。硅片领域被日本信越化学、三菱住友、中国台湾地区环球晶圆、德国世创和韩国 LG 五大供应商垄断，全球硅片供应占比超 90%。其中日本的信越化学、三菱住友分别占比 27%、26%。

日本集成电路行业整体贸易顺差在 1985 年之后曾经历短暂快速下跌，主要是由于之前顺差贡献的主力 DRAM 出现较大滑坡所致，但是日本集成电路行业并未一蹶不振，从 87 年开始恢复增长一直持续到金融危机前的 2007 年，这其中设备和材料的贡献功不可没。

3、 贸易摩擦加速了日本电子制造业的第一层分化，但并不影响第二层分化

贸易摩擦的确加速了第一层分化 。贸易摩擦后日本电子产业的演进规律是从终端产品向上游核心零部件以及设备的进化，其本质上是从低端低毛利产品到高端高毛利进化的过程，日美贸易摩擦不是这一进化的根本原因，但具有加速作用。1985 年之后日本电子制造业的贸易顺差开始急速下降，日本彩电以及曾经的贸易顺差主力产品 VTR 从 1985 年开始下滑。日本电子制造业从彩电出口为主到液晶面板出口为主，从终端组装产品出口为主到集成电路出口占比持续上升，贸易摩擦后日本电子产业的演进规律是从终端产品向上游核心零部件以及设备的进化，其本质上是从低端低毛利产品到高端高毛利进化的过程。

日美贸易摩擦只是影响了日本部分终端产品的出口，相反，日美贸易摩擦却是日本电子制造业升级转型的催化剂。从一国产业发展规律来看，日本电子制造业的这一升级并不是遭受了贸易摩擦的日本一国独有的专利，从全球来看，虽然美国从来不是被贸易摩擦的国家，但是美国电子制造业的历史其实就是一部低端产品生产不断向日本以及亚洲四小龙再向东南亚国家迁移而美国本土制造业不断升级的历史。只是因为贸易摩擦的影响使得日本电子制造业在 1985 年就开始被迫需要升级。

第二层分化更深层次原因是其没有跟上科技产业创新潮流 。日本 DRAM 行业的溃败最根本原因在于错过了个人 PC 的兴起。DRAM 是日本半导体行业最具代表性的产品，考察日本 DRAM 产品的兴衰可以一窥日本半导体行业的整体兴衰。日美半导体贸易摩擦在 1991 年以签订《新半导体保证协议》结束，新条款当中对日本 DRAM 的最低价格决定者已经从美国变更为日本，由日本厂商参考全球 DRAM 平均价格自行决定最低售价，相比由美国决定最低售价已经宽松很多，但此时日本 DRAM 的全球市占率还有接近 70%，贸易摩擦可以解释日本 DRAM 市占率从 80%下降到 70%，但是无法解释为何后来日本 DRAM 在全球的市占率从 70%下降到 10%以及后续强强联合的尔必达的倒闭。我们认为日本 DRAM 行业失败的根本原因在于日本厂商错过了个人 PC 的兴起。

日本 DRAM 厂商错失个人 PC 创新潮流。20 世纪 90 年代，电脑界开启了换代潮流，从大型机向个人 PC 转变，这一换代也导致了 DRAM 需求的变化，DRAM 的主力需求从大型机生产商向 PC 生厂商切换。伴随着这一转变，日本 DRAM 市占率不断萎缩，韩国开始后来居上，在 1992 年超过日本成为霸主。主要是大型机和 PC需要的 DRAM 规格是完全不同的，PC 需要的 DRAM 的制造要求就是低成本而不是 25 年的质量保证，而韩国厂商生产的 DRAM 切合了低成本的要求最终打败了日本。

但是，处于潮流转变中的日本厂商肯定也感受到了 PC 的兴起，但日本厂商的追求极致的文化告诉他们可以将大型机高质保要求的理念用于生产 PC 用 DRAM 当中，于是日本厂商坚持生产 25 年质保的 PC 用 DRAM，而这种 DRAM 对于 PC 来说质量明显过剩。结果，大量生产低成本 PC 用 DRAM 的韩国厂商崛起，而日本失去了霸主地位。

日本半导体行业的文化过于追求极限。半导体制造需要精密的技术，而这些技术并不是一朝一夕能形成的。当时 DRAM 多用于大型电脑和电话交换机设备，其立下的技术标准是要求大型电脑用的 DRAM 有 25 年的质保，日本半导体制造商的工匠精神生产出了这种可靠性要求极其严格的DRAM，由此日本DRAM开始横扫全球。

此时，在技术上追求极限，生产高品质的 DRAM 这一技术文化开始扎根于日本半导体企业的方方面面，而这种技术文化正是日本半导体行业竞争力的源泉。

强强联合的尔必达也未能挽救日本的 DRAM 行业。1999 年底，日立和 NEC 合资成立专门生产 DRAM 的公司尔必达，当时普遍认为尔必达是“强大技术研发实力的日立”和“强大生产技术的 NEC”合二为一，由此将诞生世界上最强大的 DRAM制造商。甚至后来还有三菱电机的加入，但是尔必达的命运却以破产倒闭而告终。

尔必达最根本的问题在于公司固守生产大型机 DRAM 思维而缺乏用低成本来生产低价格 PC DRAM 的意识。金融危机之后 DRAM 曾经跌破了 1 美元，当时尔必达高管在公开场合认为 1 美元的 DRAM 是无稽之谈，尔必达还是坚持了早年日本DRAM 行业走高端高价格的路线，必然遭到时代的淘汰。

日元升值并不是日本 DRAM 丧失地位的主因。部分研究认为主要是贸易摩擦导致的日元汇率升值使得日本成本优势降低，于是韩国的 DRAM 后来居上，我们认为不应高估汇率变动对日本 DRAM 产品竞争力的影响，85 年之后的韩国在 DRAM 市场可谓一骑绝尘，但 97 年韩元在短暂贬值后开启了 10 年的升值周期，升值幅度接近一倍，但这期间韩国 DRAM 的全球市占率却从 35%上升到接近 50%，而且在 08年金融危机后韩元同样持续升值，但 DRAM 市占率一路冲到最高接近 70%。并且以美元计价的日本和韩国两国制造业平均工资水平韩国曾一度与日本相当，但日本却再也没能重拾当年的雄风，在 DRAM 市场一路溃败。

4、 鹬蚌相争，渔翁得利：日美半导体贸易摩擦最大的赢家是韩国

1984 年才成立知识产权委员会限制对日技术输出的意义不大。1983 年美国认定，对美国科技的挑战主要来自日本。以后，美国就开始在高技术方面对日本采取防范措施，并加大对知识产权的保护力度于 1984 年成立知识产权委员会，限制本国技术外流。而此时的日本半导体技术虽然无法完全与美国抗衡，但关键技术都已经获得突破。1980 年，日本宣布为期四年的“VLSI”项目顺利完成，期间申请实用新型专利 1210 件，商业专利 347 件。更重要的是，到了 64K DRAM 大规模集成电路时代，富士通公司的研发进度开始与 IBM、德州仪器等美国企业并驾齐驱，而到了 256KDRAM 时代，美国才刚研制出来，日本富士通和日立的产品已经量产上市。可以说此时的日本 DRAM 产业已经不需要依靠美国技术。

对日本 DRAM 反倾销牺牲了日本却成全了韩国。到了 1985 年眼看限制对日技术输出也无法阻止日本 DRAM 一统天下，美国开始对其进行更直接的反倾销调查直至后续逼迫日本签订《日美半导体协议》。尽管我们认为日本 DRAM 衰败更多原因来自于日本企业自身，不可否认美国的反倾销调查加速了日本 DRAM 的下滑，但美国没有想到的是韩国的 DRAM 厂商却趁势崛起，以三星为代表的厂商获得了全球 70%左右份额。

韩国DRAM厂商崛起而美国无力阻止。1985年之后韩国DRAM份额逐渐上升，此时 DRAM 的消费主力逐渐从大型机转向个人 PC，而个人 PC 的生产主力地区在中国台湾，因此韩国DRAM主要销往台湾等地，美国无法阻止台湾厂商进口韩国DRAM。当然美国进口的 PC 当中也有使用韩国 DRAM 的，但是这些进口 PC 中大部分都是美国自己的品牌，并且，在 1980 年之后由于受日本 DRAM 冲击太大，美国本土企业已经逐渐撤出 DRAM 生产，此时美国对韩国 DRAM 进行贸易摩擦已经没有意义。

贸易摩擦后日本电子制造业的演进对中国的启示

既没有富士康，更没有苹果与高通。日本电子制造业在二战后因为美国的扶持以及本国举国体制发展半导体，曾经取得了辉煌的成就，但近年来日本电子制造业却持续萎靡，只在半导体材料和设备领域维持着领先的市场份额，日本电子制造业60 多年的发展史既没有产生富士康这种代工领导者，更没有产生苹果与高通这类核心设计品牌，偏居上游的日本电子制造业有逐渐空心化的趋势。

日本电子制造业衰落主要原因没有把握住科技产业创新的趋势。贸易摩擦并不是日本电子制造业的这一空心化趋势的核心因素，究其原因，主要是日本没有把握住科技产业创新的潮流，在 1985 年之前大型机时代，日本电子制造业逐渐崛起，但是从 2000 年互联网 1.0 时代开始日本逐渐与行业最新潮流脱钩，以至于持续错过了互联网 1.0 以及 2.0 时代，当前处于互联网 2.0 向 AI、5G 以及智能驾驶变革的关键时期，能否抓住这一潮流对日本以及当前的中国都至关重要。

中国当前虽有贸易摩擦，但基本卡位了科技创新的每一波潮流。当前中国虽然处于贸易摩擦的阴霾笼罩下，但是我们紧扣科技产业创新的节奏，中国科技公司紧跟互联网 2.0 以及移动互联网的步伐，并且在新能源车领域整体水平不输国外公司，在这过程中涌现出一大批领导者企业如 5G 领域的华为、AI 领域的海康威视、商汤科技以及智能驾驶领域的百度。我们持续看好中国科技企业今后的创新，在这之前日本公司的一些经验教训值得我们学习。

1、 加大核心零部件与设备的自制，降低对产品组装的依赖

贸易摩擦不可否认对日本电子制造业的出口额造成了巨大影响，尤其是对于部分电子产品如电视机以及家庭录像设备（VTR）而言几乎是毁灭性的打击，但日本电子制造业当中零部件的出口却一直处于上升态势，相对于终端产品需要大量的组装工序，零部件尤其是核心零部件的出口占比提升可以有效拉动日本电子制造业的毛利率水平。类似案例在电视机行业尤为显著，日本彩电行业在 1985 年之后出口锐减，但是日本液晶显示屏的出口却日益增加，一直到 2003 年日本液晶面板占据了全球市场的 40%以上。

2008 年之前我国半导体设备基本全靠进口，因此国家设立了 02 专项研发国产化设备。但是，由于设备制造对技术和资金需求要求比较高，只有北方华创、中微半导体、上海微电子等少数重点企业能够承担 02 专项研发工作，整个行业集中度相对较高。虽然在 02 专项的支持下，我国半导体设备实现了从无到有，但相比国内庞大的市场规模而言，自给率不足 15%。

即使在发展水平相对较高的 IC 封装测试领域，我国与先进国际水平相比仍然存在较大差距。尤其是单晶炉、氧化炉、 CVD 设备、磁控溅射镀膜设备、 CMP 设备、光刻机、涂布/显影设备、 ICP 等离子体刻蚀系统、探针台等设备市场几乎被国外企业所占据。

2、 注重水平分工，降低生产成本

水平分工分为两个层次：一个是产业内的从 IDM 模式到 Fabless 模式，另外是地域性的从国内到国外的水平分工。

忽视产业内的水平分工是日本半导体企业失败的重要原因之一。贸易摩擦对日本电子制造业低端产品影响较大，而相对高端的日本半导体企业之所以衰退的第一个重要原因就是坚持垂直一体化的生产模式（IDM）。早期日本半导体企业都是和Fabless 的模式背道而驰，与此同时日本半导体企业也在节节败退，从 2000 年开始，日本半导体企业已经无法继续坚持IDM 的模式开始向 Fabless 模式转变。

收入增长时设备投入也增加。日本半导体企业在销售额增加的时候，当年的设备投资额也会相应增加，销售额减少的时候设备投资额也会减少，结果是当销售额减少的时候，由于前期投资持续增加，带来设备的折旧也是在增加的，导致企业的盈利忽高忽低。而采用 Fabless 模式的高通公司营收与折旧增长基本同步，就连需要重资产投入的代工厂台积电的营收与折旧增长相关性也远高于日本的情况。

1985-1986 年，由于刚受到贸易摩擦的影响，日本半导体企业的出口受到一定影响，销售额开始下滑，但是折旧却大幅度上升，折旧金额和销售下降叠加，企业利润压力增大。

忽视地理上的水平分工是日本半导体企业失败的另一重要原因。日本企业主张“设计部门和生产部门必须属于同一个地区同一个企业”，这是因为设计部门和生产部门需要密切交流，共享信息，否则就无法做出优秀的产品。这样的企业文化导致日本很少考虑地理上的水平分工。

我们用一国对外 FDI 总额与本国当年 GDP 的比重来衡量地理上水平分工的程度。1980 年代美国 FDI 与 GDP 的比重略超 5%，到近两年一路提升到 30%左右，而日本的数据却一直在 5%以下徘徊。同为后起之秀的韩国的 FDI 比重在 1992 年首次超过日本之后一直到 2014 年才重新被日本超越，一方面说明过去 20 年日本对 FDI 确实过于保守，也说明了近年来日本对 FDI 开始更加重视。

地理上的水平分工有利于企业降低生产成本，1985 年之后日元持续升值，日本DRAM 厂商完全可以对外进行 FDI，将生产基地转移至国外，由于日元升值，厂商的海外购买力其实不断增强，一方面利用国外廉价劳动力，一方面购买国外廉价零部件，但 90 年代前几乎没有日本半导体厂商这么做。

贸易摩擦背景下中国电子制造业的突围

贸易摩擦后的日本电子制造业出现了两层分化，日美贸易摩擦对日本电子制造业的第一层分化只是催化剂的作用，而对于第二层分化，其主要原因是日本自身没有把握住科技创新的趋势。对当前中美贸易摩擦背景下中国电子行业会如何发展这个问题，我们首先从中日电子行业比较开始入手。

1、 美国对中国限制措施持续升级

本轮中美贸易摩擦开始于特朗普于 2018 年 3 月 22 日签署备忘录，宣布依据 1974年贸易法第 301 条指示美国贸易代表对从中国进口的商品征收关税，以“惩罚中国偷窃美国知识产权和商业秘密”，涉及商品总计达 600 亿美元。中国商务部其后作出反制措施向 128 种美国进口商品征税，其中包括美国向中国出口最多的货品大豆。中美双方曾一度于 2018 年 5 月达成暂停贸易摩擦的共识，并发表联合声明寻求和解。但美国贸易代表办公室仍于 6 月 16 日公布对华加征关税清单，中国国务院关税税则委员会其后作出对等报复，中国商务部亦重启对美输华多项产品的反倾销调查。

2018 年 7 月 6 日，特朗普政府正式对来自中国价值 340 亿美元的商品加征 25%关税，标志着特朗普对华关税政策正式实施。中国商务部其后在声明中指出，“美国违反世贸规则，发动了迄今为止经济史上规模最大的贸易摩擦”。中国海关总署指，中方的报复措施已在美方加征关税措施生效后即行实施。

2、 遭受贸易摩擦前中日两国电子制造业实力对比

日本电子制造业对外贸易依存度远高于中国。我们用电子制造业的出口金额与行业总产值的比来衡量对外贸易依存度。日本电子行业对外贸易依存度自 1950 年来一直呈上升态势，而中国的情况恰恰相反。1985 年贸易摩擦前日本电子制造业对外贸易依存度达到 56%，而当前中国电子制造业对外贸易依存度仅为 39.32%，贸易摩擦开始后日本为了减少对对外贸易的依赖加大内需的开发，日本电子行业从 1985 年到 2000 年期间对外贸易依存度呈现持平状态，到 2000 年该数字为 55%，由于日本电子制造业本身发展迅速，并且在全球市场竞争力较强，我们认为这 15 年间日本电子制造业的对外贸易依存度能保持持平说明开发内需确实效果显著。

然而中国近年来的情况与日本当时的情况完全相反，08 年金融危机之后中国电子制造业的出口比重一路下滑，造成中国这一情况的原因是出口总额多年来没有上升。生产总额从 08 年来增幅接近 300%，而出口总额增幅只有 40%，说明中国内需增长旺盛，内需消化的产值远高于出口。1985 年之前日本之所以出现贸易依存度不断提高主要是因为出口增幅远高于总产值增幅，1985 年的出口金额和总产值分别是1955 年的 1980 和 885 倍。1985 年之后日本出口基本维持零增长态势，但是生产总值在 2000 年达到顶峰后一路下滑，导致贸易依存度被动性提高。

总结来看，中国当前电子制造业主要是内需拉动，与日本高贸易依存度的需求结构相比有着更强的抵御贸易摩擦的能力。

中国电子制造业在全球是“参与者”而不仅仅是“供给者”角色。我们以集成电路行业为例，中国 2016 年集成电路进口 2270 亿美元，本土产值 652 亿美元，出口 614 亿美元，本土总产值与出口额相近，说明本土产品或服务基本都是用于出口，中国集成电路行业封装环节产值占比达到 36%，封装占比高说明中国集成电路出口基本都是给国际厂商提供封装服务，同时中国每年进口 2270 亿美元，出口额与进口额相差较大与中国集成电路行业本身产业结构有关，中国一方面提供封装服务，同时从国际市场进口大量集成电路成品，说明中国集成电路在全球市场是“参与者”的角色。日本集成电路行业在 1985 年时总产值达到 80 亿美元，而出口和进口分别只有不到 30 亿美元和 6 亿美元，极少的进口额和极高的总产值说明日本半导体产品基本不需要参与国际分工，其 IDM 的模式可以实现自给自足，同时日本当年的出口额是进口额的接近 5 倍，如此大的差额比中国当前的结构更容易遭受贸易摩擦，而事实上日本集成电路行业当年就遭到了美国的多次反倾销调查。

当前中国集成电路的产值与贸易结构相比日本当年在抵御反倾销调查上具有优势，同时因为我们是国际分工“参与者”，在“禁运”（美国对中国出口）方面对方又不得不考虑对其本土企业生产的影响。

3、 与日美电子贸易摩擦相比，美国对中国打击力度加大

当前中美贸易摩擦针对电子制造业美国已出台措施的打击力度不亚于当年日美贸易摩擦。80 年代日美贸易摩擦从 1984 年开始一直延续到 1991 年，期间出台多项限制日本电子制造业的合约，1986 年签署的《日美半导体保证协定》决定对日本出口的半导体产品价格进行监督，一般认为 1986 年《日美半导体保证协定》是左右日后日本半导体产业命运的重要因素。当时日本最擅长的存储行业，因为对美协定的制约，被中国台湾、韩国赶超上来，风光不再。

当前中美贸易摩擦美方已经出台的措施主要有禁运和加征关税两种。我们统计了美方三次加征关税的清单当中涉及电子制造业的部分，从加征关税的名单来看主要是对 160 亿美元加征关税的清单二涉及较多集成电路板块出口，但对上市公司涉及金额较小，受影响程度较小。此外，中美贸易摩擦美方已出台的措施最为严厉的当属去年 4 月份的中兴通讯和福建晋华禁运事件。

中兴事件虽然和解，但却为中国电子制造业敲响警钟。中兴通讯全线产品过多依赖于美国芯片和光模块厂商，美国实施完全禁运的情况下，中兴通讯及关联公司不能直接或者间接购买美国零部件、商品、软件和技术，从上述分析看，基站侧FPGA、高速 AD/DA、功率放大器、高速光模块等都会受到美国制裁影响，而且没有办法从其他国家获得替代性产品，这些核心元器件无法供应的情况下，公司产品的交付能力会面临比较大的挑战。

华为、晋华事件凸显核心设备和材料国产化迫在眉睫。2020 年 5 月 15 日，美国商务部宣布一项新计划，将通过修改出口管理条例（EAR），要求全世界所有公司，只要利用到美国的设备和技术帮华为生产产品，都必须经过美国政府批准。此次升级继续针对华为。自 2019 年 5 月 17 日美国 BIS 将华为及附属公司超过 70 家纳入实体名单以来，华为芯片核心产业链去 A 化进展已取得显著成效，在 IC 设计端的移动处理器、存储、模拟、传感器、射频前端、功率半导体等部件都已经具备绕开美国供应商的可行性路径。但国内半导体核心环节依然受制于人，本次美国对华为的限制升级新规主要集中芯片设计所需的 EDA 软件和半导体设备。

日本怕反倾销，中国怕出口禁运。我们认为中日两国的贸易结构决定了两国在贸易摩擦方面的软肋，日本的电子制造业主要是出口导向型，对外贸易依存度不断提升，近年来更是达到了最高的 80%，日本的产业结构注定了其容易遭受反倾销的调查，而历史上日美贸易摩擦时美方使用的手段也基本都是围绕反倾销和最低价格协定等诸如此类的限制日本出口的措施。而中国电子行业对贸易依存度较低，最新数据不到 40%，尤其在集成电路行业进口额达到出口额的 4 倍左右，中国的产业结构注定了高端材料和设备以及芯片是软肋，从华为、中兴事件和晋华事件来看，中国对禁运几乎毫无还手之力。

4、 中美贸易摩擦对中国电子制造业的长期影响

中美贸易摩擦的解决不会一蹴而就，反复摩擦将是常态。日美贸易摩擦从 1960年开始一直延续到 1990 年，其中电子制造业战争集中发生在 1985 年到 1991 年，美国用 6 年时间改变了日本电子制造业的生产和出口结构，我们认为中美之间贸易摩擦将是主流，尤其对于电子制造业而言，近年来中美贸易顺差总额为 2500 亿美元左右，电子信息行业贡献占比 45%，因此电子行业必将成为中美贸易双方最为瞩目的行业，有可能会招来美方更多的限制措施。

终端产品生产下降，零部件占比提升。参考当时日本的案例，日本电子制造业当中零部件的出口却一直处于上升态势，相对于终端产品需要大量的组装工序，零部件尤其是核心零部件的出口占比提升可以有效拉动日本电子制造业的毛利率水平。类似案例在电视机行业尤为显著，日本彩电行业在 1985 年之后出口锐减，但是日本液晶显示屏的出口却日益增加，一直到 2003 年日本液晶面板占据了全球市场的 40%以上。日本消费电子终端产品产值与行业总产值占比从 2000 年以来基本处于下降通道，2019 年的比例已经不足 4%。

当前中国智能机、计算机等整机产品在全球市占率第一，而关键零部件以及高端设备基本都是依赖进口，日美贸易摩擦的案例告诉我们在当前中美贸易摩擦的背景下我们的终端产品在全球的成本优势会下降，提高核心零部件以及设备的研发与自制是保证中国电子制造业拥有下一个增长点的关键。

加大对外直接投资力度。1985 年之前日本制造业对外直接投资金额维持在 4000亿日元上下，总体增速较为平稳，制造业对外直接投资与制造业国内总产值的比例保持在 1%左右。在 1985 年之后的对外直接投资金额开始迅速增长，1988 年开始达到 17679 亿日元，与总产值的占比攀升到 2%，此后日本制造业对外直接投资波动上升，在 2013 年达到最高点，与总产值的占比为 7%。预计中美贸易摩擦会加速中国偏终端产品生产的海外直接投资力度。当前中美贸易摩擦当中的加税措施预计会提升中国电子制造业在国内生产的出口成本，如果后续 2000 亿美元加征关税措施出台，以及加税力度提升，预计偏终端产品的海外转移会加大。尽管终端产品生产的海外转移是一国产业升级必然会出现的现象，但加税等措施会对这一转移过程起到加速的作用。

加大举国体制力度，实现核心设备与材料的自制。相对于加税等措施，出口禁运是当前中国电子制造业面临的最严重的问题。我们认为举国体制是后发国家突破核心设备自制最好的方式，日本以及韩国都在举国体制下实现了核心设备的突破。我国半导体行业在 02 专项以及大基金项目的帮助下核心设备自给率尚不足 20%，预计后期政府会持续加大对半导体设备与材料企业的投入，并且晶圆厂会加大与设备厂的合作力度，改变以往双方合作水平较低的状态。

结语：新型“举国体制”有望助力国产半导体突围

贸易战后日本电子产业的演进规律是从终端产品向上游核心零部件和设备的进化，其本质上是从低端低毛利产品到高端高毛利产品进化的过程。我们认为贸易战作为催化剂加速了这一分化进程，同时日本电子制造业分化过程中部分高端产品（如DRAM）的衰退是日本电子制造业本身特点所致，贸易战不是衰退主因。

日本电子制造业大多采用IDM模式，并且日本企业不注重地理位置上的水平分工，没有利用最低劳动力成本生产最具价格优势产品。此外，日本半导体企业坚持生产大型机使用的高价高性能DRAM，当个人PC时代来临时日本厂商没有重视高性价比DRAM的生产，最终难逃倒闭命运。

当前中美两国在电子制造业领域差距已经在不断缩小，目前在半导体领域，我们所需的设备与材料基本都依赖进口，而当年日本1976 年开始半导体的举国体制之前与中国当前情况类似，但是经过多年的发展，1985 年贸易摩擦前的日本半导体企业已经基本实现了核心设备的自制，甚至在部分核心产品上领先于美国同行量产上市。可以看出，同样在面对美国开打贸易摩擦时日美电子制造业的差距是小于中美之间的差距，值得欣慰的是，中国目前已经出现一批优质半导体公司，如中微公司、澜起科技、汇顶科技等。此外，日本半导体的举国体制之路给我们发展半导体制造提供了可复制的案例，我们应该加大举国体制的力度，力争用最短的时间实现核心设备与材料的突破。

相比日本，我们有着庞大的内需市场，但目前国内半导体设备与材料仍然受制于海外，近期美国对华为的新一轮管制又一次为我们敲响警钟，中美之间摩擦必将是未来一段时间的主旋律，我们要做好长期应战准备。半导体自主可控是国家意志体现，政策持续加码，科创板的开通为优质半导体公司上市提供快速通道，同时撬动资金达6000亿元的大基金二期已经开始投资，我们预计将率先在存储领域取得突破，新型“举国体制”有望助力国产半导体突围。
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