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干货:晶体三极管常见技术参数定义

姚小熊27 来源:个人图书馆 作者:个人图书馆 2020-06-17 17:35 次阅读

ICBO三极管发射极开路,集电极C和基极B之间的反向漏电流。

ICEO三极管基极开路,集电极C和发射极E之间的反向漏电流。

IEBO三极管集电极开路,发射极E和基极B之间的反向漏电流。

IC集电极电流

ICM集电极最大允许电流。

PC集电极耗散功率。

PCM集电极最大耗散功率。

PT总功耗。

Ptot总耗散功率。

VCEO基极对地开路,发射极接地,集电极C与发射极E之间的最高耐压。

VCBO基极接地,发射极对地开路,集电极C与基极B之间的最高耐压。

VEBO基极接地,集电极对地开路,发射极E与基极B之间的最高耐压。

BVCEO三极管基极开路,集电极C和发射极E之间的反向击穿电压。

BVCES基极与发射极短路,集电极C和发射极E之间的反向击穿电压。

BVCBO三极管发射极开路,集电极C和基极B之间的反向击穿电压。

BVEBO三极管集电极开路,发射极E和基极B之间的反向击穿电压。

VCE(sat)集电极与发射极之间饱和压降。

VBE(sat)基极与发射极之间饱和压降。

β共发射极交流电流放大系数

hFE共发射极直流电流放大系数

fT特征频率,共发射极电流放大系数下降到1时的频率

Nf噪声系数

TJ结温

TJM最高允许结温

TSTG贮藏温度

Ta环境温度

Tc管壳温度

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