力晶转型为晶圆代工厂,迎向重生之路

在存储大好的年代，力晶跟银行借了很多钱，风光盖厂，为了维持技术的领先，花大钱买机台，跟着投入先进制程的研发，可惜无法维持太久。

2008 年一场金融海啸，一度让多家记忆体厂陷入危机，力晶也是其中之一。当时，力晶曾向银行申请纾困 466 亿元，总负债一度高达 755 亿元，负债比率达到八成。

2012 年 12 月，力晶在股市上的净值转为负数，负债高达 1，100 亿元，被迫下柜。当日，力晶的收盘价只剩下 0.29 元，可以说是股东们最痛苦的一天。

下柜后的力晶全力转型，毅然决然从老本行 DRAM 转型为晶圆代工厂，力晶自 2013 年营运转亏为盈以来，到 2017 年的这 5 年当中，顺利缴出亮眼的成绩单。这几年来，力晶每年获利都超过百亿元，迅速还清千亿元的债务，去年每股净值也重返新台币 10 元大关，甚至有能力开始对股东配发股利，迎向重生之路。

回顾力晶“前生”

力晶是记忆体业大起大落最戏剧性的案例之一。梳理一下力晶这一段戏剧性之路。

力晶于 1994 年十二月创立于新竹科学园区，早期专注于动态随机存取存储之生产，逐步扩及及晶圆代工及 Flash 生产，并以大陆终端客户为主要营收来源。

公司在生产动态随机存取存储制程技术以三菱电机既有的技术为基础，与日本的 DRAM 大厂 Elpida 缔结策略联盟，共同研发尖端 DRAM 技术。公司也和 Renesas 等国际大厂合作，开发生产高容量快闪存储（Data Flash），以期成为国内最大之全方位存储公司。

在逻辑代工制程技术方面，自日本三菱公司引进 0.25 微米／0.18 微米／0.15 微米逻辑代工制程技术，并建立相关制程的设计资料库及 IP，以及开发 Mixed-mode 、CIS 等产品，以协助客户顺利量产新世代产品。

代工业务主要为转投资的 8 寸厂巨晶电子。公司成立初始即锁定日本三菱为策略合作伙伴，不断引进日方技术提升制程能力，已成为国内最大动态随机存取存储厂商。

力晶 2008 年第二季将产能全数转换为 70nm 制程，65nm 制程于第三季进入量产。

2009 年主流制程为 65 纳米制程，虽持续进行制程微缩，但在 2010 年，仍无法负担制程转换的成本，因此生产成本与竞争对手差距仍大。

2010 年 4 月，力晶宣布减资 38%，以弥补累积亏损。2010 年 H2 全部转进 63 纳米，每片产出增加 25%；2010 年 Q4 导入 45 纳米，2011 年 H1 量产出货，资金投入约 120-150 亿元。

因尔必达与瑞晶 45 纳米制程顺利，提前采购 45 纳米机台，而调升 2010 年资本支出，资本支出从原先的 127 亿元提升至 174.88 亿元，增幅达 37％，其中 45 纳米设备占 100 亿元以上，2011 年到位的浸润式机台也从 2 台提升到 4-5 台。

2011 年 1 月，2Gb DDR3 DRAM 40 纳米制程投片量产，预计年中全数转进 40 纳米，于下半年 100%转进，并计划于第四季投入 30 纳米技术。公司自力研发的 40 纳米快闪存储也开始出货，以手机用低电压 NAND Flash 领域为主。公司接获任天堂的 3DS 利基型存储代工订单。

同年 4 月，力晶与 Elpida 达成的 DRAM 产销新协议，使公司的专利授权、技转费用降低，并无偿取得 Mobile DRAM 技术及销售权，结合自行开发的 NAND 快闪存储技术，将针对高速成长的行动应用（Mobile Applications）新市场，提供完整的存储产品组合。

力晶积极转型为晶圆代工厂，以及加重行动型存储、快闪存储及代工业务营收，降低标准 DRAM。截至 2011 年，产品比重方面，晶圆代工占 60%、DRAM 占 30%、Nand Flash 占 10%。晶圆代工领域包括 LCD 驱动 IC、CMOS Sensor、类比 IC、电源管理 IC。

自 2012 年起，NAND Flash 的投片量将正式超越 DRAM，且 DRAM 投片产能将永远性的降低至 20%以下。

DRAM 制程方面，2012 年将全部由 40 纳米转换至 30 纳米，且均生产 4G 产品。

产能配置方面，至 2012 年 1 月晶圆代工每月投片量拉升至 6 万片，标准型 DRAM 投片约 2 万片，Nand Flash 约 6000 千片。

2012 年遭逢 DRAM 价格崩跌冲击，力晶也在 2012 年 12 月 11 日下柜，当日股价只剩 0.29 元，净值变成负数投资人手上持股化为“壁纸”，遥想 2000 年一度高达八十元的股价，力晶投资人此次几乎是干洗出场。

为替力晶留存一条生路，力晶集团执行长黄崇仁除与债权银行协商展延偿债，也毅然将公司转型为代工驱动 IC、电源管理 IC 与利基型记忆体等产品。

2013 年 4 月，力晶 P3 厂月产能约 2 万片 12 寸厂设备及生产线由金士顿标下，并由力晶代工。

2014 年 6 月，转投资 LCD 驱动 IC 厂瑞力被 Synaptics 并购，力晶出售所有持股后，预期获利约 36 亿元，且与 Synaptics 达成协议维持合作关系，Synaptics 在整合 LCD 驱动 IC 及触控 IC 的单芯片，将交由力晶生产。

2015 年，力晶申请通过与安徽合肥市政府合资成立合肥晶合集成电路公司（简称晶合集成），以总投资额约人民币 135.3 亿元兴建 12 寸晶圆厂，计划切入 LCD 驱动 IC 生产代工。一期厂房正式动土不到两年就完工进行试产，今年第二季进入量产，月产能规模约为 1 万片，并按计划逐步增加，目标 2019 年达每月 4 万片产能规模。

力晶方面表示，在先进国家建厂一般需耗时两年半到三年，晶合从动土兴建到完工生产只花了一年半，实属不易，也是力晶与合肥市政府双方努力合作的成果。而晶合厂一旦投片完成也不会有所耽搁，因为马上就有力晶台湾厂转移来的面板驱动 IC 订单可做。

藉由转型，力晶从 2013 年起连续几年获利百亿元，已偿还上千亿元债务，摆脱纾困窘境，到 2015 年底每股净值提高到 10.12 元，回到十元以上的票面值。这主要是因为当时他看到中国半导体崛起的商机，瞄准合肥为中国面板大厂京东方生产制造重镇，有助取得 LCD 驱动 IC 订单。

展望力晶“来世”

过去虽然有很多 DRAM 大厂倒闭，但也因这些厂退出，每个月少了 10 几万片的产能，近五年多来，未见有新 DRAM 厂投资，即使最近三星宣布新的资本支出，也未提及在 DRAM 的扩充。力晶目前也是少数能为客户提供设计能力的专业记忆体代工厂。

对于力晶的未来，黄崇仁强调，DRAM 先进制程目前遭遇摩尔定律的极限，且新厂投资极为昂贵，但需求端已全靠个人电脑支撑，市场快速分散至智慧型手机、伺服器、网通和各项消费型电子。近期全球兴起全面布建 5G，以及 AI 人工智慧和扩增实境（AR）和虚拟实境（VR）和物联网的应用，让 DRAM 和 NAND Flash 应用更多元化，都将推升 DRAM 产业进入另一新的里程碑。

黄崇仁强调，虽然中国大陆想积极切入 DRAM 制程，但只要三大厂包括三星、SK 海力士和美光不移转技术，中国大陆自行开发成功，路途难困。这也给台湾 DRAM 厂包括力晶等很大的机会。力晶在还清积欠银行团贷款后，已积极规划重新上市。目前准备先买回原本被银行拍卖给金士顿的力晶 P3 厂 2 万片生产 DRAM 设备，交易金额暂不便透露。

在合肥建厂后，力晶又宣布扩大在台投资，要砸 2780 亿元在竹科铜锣基地兴建 2 座 12 寸晶圆厂，2020 年动工，预计第一期 2022 年投产 1.5 万片，四期完成预计是 2030 年，届时铜锣厂总产能将达 10 万片，至此力晶也跃居台湾晶圆代工厂第三雄。

力晶集团旗下两岸晶圆厂分工蓝图浮现，规划斥资近 3，000 亿元兴建的 12 英寸新厂，将集中生产高压制程金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）、图像传感器（CIS）和基因定序检测芯片；现有竹科的产能则集中火力发展 AI、物联网和网通所需利基型内存；LCD 驱动 IC 则逐步转往大陆合肥。

在力晶分工蓝图浮现的背后，戏剧性的故事看似走上了正轨，但面临晶圆代工行业巨头割据的现状，力晶的未来又被蒙上了一层雾纱，历史的车轮滚滚向前，见证着力晶的辉煌、衰败、转型、成长以及未来的明朗和扑朔迷离 ……
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