SiC前景火爆，国产功率器件厂商能否抢占市场先机？

碳化硅功率器件以其优异的高耐压、低损耗、高导热率等优异性能，被普遍认为是替代硅基功率器件最理想的新型半导体器件。在即将于2020 年 7 月 3- 5 日在国家会展中心（上海）召开的2020慕尼黑上海电子展上，富士通就为现场观众带来多款SiC产品及解决方案。

由于材料限制，传统硅基功率器件在许多方面已逼近甚至达到了其材料的本征极限，如电压阻断能力、正向导通压降、器件开关速度等，尤其在高频和高功率领域更显示出其局限性。而相比硅，碳化硅在用电效率上能提升两到三个百分点，可靠性更高，而且器件的体积重量更小，在无线通信、汽车电子、电网、高铁、卫星通信、军工雷达、航空航天等领域应用中具备硅基无法比拟的优势。

泰科天润半导体科技(北京)有限公司（简称：GPT）是中国碳化硅(SIC) 功率器件产业化的倡导者之一，国内首家第三代半导体材料碳化硅器件制造与应用解决方案提供商，生产碳化硅裸芯片（常规和双面银），碳化硅二极管，碳化硅MOS管，碳化硅桥堆等。

Ta=215℃的7000V1A和9000V1A SiC方案的线圈体积重量更小二极管模组

用于机车牵引混合模块的3300V50A芯片

其生产的碳化硅肖特基二极管目前主要分为650V/1200V/1700V/3300V四个电压等级，其中有针对普通应用场合的650V/1200V电压等级产品，以及针对于高压应用领域的1700V/3300V电压等级产品。

泰科天润产品封装表

目前泰科天润650V/1200V电压等级的产品已经广泛应用于光伏、通信、电动汽车等应用领域，此外公司的高电压的1700V/3300V电压等级产品也同样成熟，1700V碳化硅肖特基二极管产品型号齐全，也是同行中极少数可以批量供货3300V碳化硅产品的功率半导体器件厂商。