在元器件价格动荡不定的年代，内存条成了硬通货-电子发烧友网

敲黑板划重点，以下为考点：

目前主流的存储类型包括 DRAM、NAND Flash、NOR Flash、EEPROM 等。

制程工艺方面，DRMA 已经进入 20nm、18nm，NAND Flash 主流工艺为 15/16mn，NOR Flash 以 55nm、65nm 为主；EEPROM 产品的主流工艺制程已经发展到了 130nm。

应用领域方面，概括来记忆，DRAM 内存条，NAND 固态硬盘，Nor 小容量电子设备，EEPROM 摄像头模组。

国内存储厂商，兆易创新、聚辰股份、普冉股份、华虹、长鑫存储、长江存储、福建晋华……

存储是一个相对偏冷门的行业，但并不代表市场空间少，恰恰相反，存储占整个半导体产业的三分之一，属于半导体领域最大的细分市场。但由于整个行业基本处于巨头垄断局面，上市公司数量也有限，因此引起的关注度较少。

科创板的半导体概念中，有两家公司，一家已经上市，另一家正在排队，聚辰股份（股票代码：688123）和普冉股份，都是属于存储概念。聚辰股份主打 EEPROM，普冉股份则主打 NOR Flash 和 EEPROM。

NOR Flash 和 EEPROM 属于众多存储器芯片中的两种不同类型，但并非存储的主力军。除此之外，还有 DRAM、NAND Flash 等。而我们普通消费者能接触到的存储器，基本属于这样的：

不管是磁盘阵列，还是内存条，或者是固态硬盘，里面真正发挥存储功能的，还是那一颗颗封装好了的黑乎乎的内存颗粒。至于 DRAM、NAND Flash 的区别，则是内存颗粒中的芯片的不同结构之区别。

存储器之所以能够存储数据，靠的还是芯片中的各种晶体管。与逻辑器件不同的是，逻辑器件中数量庞大的晶体管，目的是为了进行与非或的逻辑运算，而存储器中的每个晶体管通过呈现 0 或 1 的不同状态，来存储数量庞大的、构成计算机语言的 01 字符串。

从半导体制程工艺角度，业界孜孜以求的高精度 nm 制程，并没有那么显著地在存储领域应用，DRAM 已经进入 20nm、18nm，NAND Flash 主流工艺为 15/16mn，NOR Flash 以 55nm、65nm 为主；EEPROM 产品的主流工艺制程已经发展到了 130nm。

特别是 NAND Flash 的 3D 堆叠技术，大大缓解了存储领域对摩尔定律的渴求。

DRAM、NAND Flash、NOR Flash、EEPROM 只是集中较为主流的存储器类型，在整个产业中，有很多让人眼花缭乱的类型：

头大不？

不用计较这些，图中的蓝色百分数代表着他们的市场占比，所以也就以上四种主流的存储器（DRAM、NAND Flash、NOR Flash、EEPROM）市场规模还比较大一些。

DRAM 可以说是我们俗称的内存的代名词，主要应用于 PC 内存、服务器、手机、图像处理（GDDR）……DRAM 领域的主流厂商包括三星电子、SK 海力士、美光、南亚科、华邦科技等。

NAND Flash 一般用于大容量存储，主要应用于 SSD 硬盘、智能手机、存储卡、U 盘……行业巨头包括三星、 KIOXIA 铠侠（原东芝半导体存储器部门）、西部数据、美光、英特尔、海力士等。

NOR Flash 常用于电子设备启动时的代码储存，主要应用于功能机、机顶盒、USB Key、AMOLED、TDDI、汽车电子等领域，行业巨头相对来说分散一些，兆易创新能够排进全球前三。

EEPROM 的应用包括汽车、工业、消费电子、仪器仪表等领域。凭借其通用性、高可靠性、稳定的数据存储、百万擦写次数，满足了摄像头模组对参数存储的各种需求，再加上更小的功耗和较低的擦写电流，成为智能手机摄像头模组中首选的存储技术。主要厂商包括 ST 意法、微芯（Microchip）、聚辰股份、安森美（ON Semiconductor）、艾普凌科（ABLIC）等。