英飞凌是哪个国家的
英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。
总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑战领域——高能效、移动性和安全性提供半导体和系统解决方案。
英飞凌发展历史
西门子半导体事业部作为英飞凌科技(中国)有限公司的前身于1995年正式进入中国市场。自1995年在无锡建立第一家企业以来, 英飞凌的业务取得非常迅速的增长,在中国拥有约2000名员工,已经成为英飞凌全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的产业链,并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内企业、高等院校开展了深入的合作。
2018年3月,英飞凌与上汽集团宣布成立合资企业,为中国充满活力的电动汽车市场制造功率模块。合资公司命名为“上汽英飞凌汽车功率半导体(上海)有限公司”,总部设在上海,生产基地位于英飞凌无锡工厂扩建项目内。
进入中国以来,英飞凌不断顺应客户与市场的需求,研发及生产一系列能够应用于本地市场的产品。英飞凌先进的半导体解决方案已广泛应用于各个领域,同时我们凭借雄厚的技术实力和全球领先的经验,与包括中兴、华为、方正、握奇等国内领先厂商展开深入合作,为中国电子行业的腾飞做出应有的贡献。
英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链。在研发方面,英飞凌在上海、西安建立了研发中心,利用国内的人才资源,参与全球的重点项目研究;在无锡的后道生产工厂,为中国及全球其他市场生产先进的芯片产品;2011年,英飞凌集成电路(北京)有限公司正式开业,并在亦庄开发区建立了专注于面向风电高铁等行业的IGBT模块的制造。英飞凌中国以北京、上海、深圳和香港为中心在国内建立了全面的销售网络。同时,我们在销售、产品代工、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。
2020年4月16日英飞凌宣布:已经完成总价值90亿欧元(合人民币693亿元)对Cypress赛普拉斯半导体公司的收购案,英飞凌成为全球十大半导体制造商之一。
英飞凌IGBT模块选用指南
对于一个具体的应用来说,在选择英飞凌IGBT模块时需考虑其在任何静态、动态、过载(如短路)的运行情况下:
(i):器件耐压;
(ii):在实际的冷却条件下,电流的承受力;
(iii):最适合的开关频率;
(iv):安全工作区(SOA)限制;
(v):最高运行温度限制。
一、器件耐压的选择
因为大多数IGBT模块工作在交流电网通过单相或三相整流后的直流母线电压下,所以通常IGBT模块的工作电压(600V、1200V、1700V)均对应于常用电网的电压等级。考虑到过载,电网波动,开关过程引起的电压尖峰等因素,通常电力电子设备选择IGBT器件耐压都是直流母线电压的一倍。如果结构、布线、吸收等设计比较好,就可以使用较低耐压的IGBT模块承受较高的直流母线电压。下面列出根据交流电网电压或直流母线电压来选择IGBT耐压的参考表。
二、电流的选择
半导体器件具有温度敏感性,因此IGBT模块标称电流与温度的关系比较大。随着壳温的上升IGBT模块可利用的电流就会下降,英飞凌IGBT模块是按壳温TC=80℃来标称其最大允许通过的集电流极电流(IC)。对于西门子/英飞凌NPT-IGBT芯片来说,当TC≤25℃时,这个电流值通常是一个恒定值,但随着TC的增加,这个可利用的电流值下降较快,有些公司是按TC=25℃的电流值来标称型号,这需用户特别注意。
需指出的是:IGBT参数表中标出的IC是集电极最大直流电流,但这个直流电流是有条件的,首先最大结温不能超过150℃,其次还受安全工作区(SOA)的限制,不同的工作电压、脉冲宽度,允许通过的最大电流不同。同时,各大厂商也给出了2倍于额定值的脉冲电流,这个脉冲电流通常是指脉冲宽度为1ms的单脉冲能通过的最大通态电流值,即使可重复也需足够长的时间。如果脉冲宽度限制在10μs以内,英飞凌NPT-IGBT短路电流承受能力可高达10倍的额定电流值。这种短路也不允许经常发生,器件寿命周期内总次数不能大于1000次,两次短路时间间隔需大于1s。但对于PT型IGBT,这种短路总次数不能大于100次,这是由于NPT-IGBT过载能力、可靠性比PT型高的原因。
在电力电子设备中,选择IGBT模块时,通常是先计算通过IGBT模块的电流值,然后根据电力电子设备的特点,考虑到过载、电网波动、开关尖峰等因素考虑一倍的安全余量来选择相应的IGBT模块。但严格的选择,应根据不同的应用情况,计算耗散功率,通过热阻核算具最高结温不超过规定值来选择器件。通过最高结温核标可选择较小的IGBT模块通过更大的电流,更加有效地利用IGBT模块。
三、根据开关频率选择不同的IGBT系列
IGBT的损耗主要由通态损态和开关损耗组成,不同的开关频率,开关损耗和通态损耗所占的比例不同。而决定IGBT通态损耗的饱和压降VCE(sat)和决定IGBT开关损耗的开关时间(ton,toff)又是一对矛盾,因此应根据不同的开关频率来选择不同特征的IGBT。
在低频如fk《10KHz时,通态损耗是主要的,这就需要选择低饱和压降型IGBT系列。对于英飞凌产品需选用后缀为“KE3”或“DLC”系列IGBT;但英飞凌后缀为“KT3”系列饱和压降与“KE3”系列饱和压降相近,“KT3”比“KE3”开关损耗降低20%左右,因而
“KT3”将更有优势。“KT3”由于开关速度更快,对吸收与布线要求更高。
若开关频率在10KHz-15KHz之间,请使用英飞凌后缀为“DN2”和“KT3”的IGBT模块,今后对于fk≤15KHz的应用场合,建议客户逐步用“KT3”取代“KE3”,“DLC”或“DN2”。
当开关频率fk≥15KHz时,开关损耗是主要的,通态损耗占的比例比较小。最好选择英飞凌短拖尾电流“KS4”高频系列。当然对于fk在15KHz-20KHz之间时,“DN2”系列
也是比较好的选择。英飞凌“KS4”高频系列,硬开关工作频率可达40KHz;若是软开关,可工作在150KHz左右。
IGBT在高频下工作时,其总损耗与开关频率的关系比较大,因此若希望IGBT工作在更高的频率,可选择更大电流的IGBT模块;另一方面,软开关主要是降低了开关损耗,可使IGBT模块工作频率大大提高。随着IGBT模块耐压的提高,IGBT的开关频率相应下降,下面列出英飞凌IGBT模块不同耐压,不同系列工作频率fk的参考值。
600V“DLC”开关频率可达到30KHz
600V“KE3”开关频率可达到30KHz
1200V“DN2”开关频率可达到20KHz
1200V“KS4”开关频率可达到40KHz
1200V“KE3”开关频率可达到10KHz
1200V“KT3”开关频率可达到15KHz
1700V“DN2”开关频率可达到10KHz
1700V“DLC”开关频率可达到5KHz
1700V“KE3”开关频率可达到5KHz
3300V“KF2C”开关频率可达到3KHz
6500V“KF1”开关频率可达到1KHz
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