几个月前,SK Hynix成为第二家发布基于HBM2E标准的存储的公司,就此加入存储市场竞争行列。现在,公司宣布它们改进的高速高密度存储已投入量产,能提供高达3.6Gbps/pin的传输速率及高达16GB/stack的容量。
HBM2E对HBM2标准型进行了一些更新来提升性能,作为中代产品,能提供更高的时钟速度,更高的密度(12层,最高可达24GB)。三星是第一个将16GB/satck Flashbolt内存搭载在HBM2E上的内存供应商,能达到3.2Gbps的速度(超标能达到4.2Gbps)。这反而使得三星成为英伟达最近推出的A100加速器的主要合作伙伴,该加速器主要用的是三星的Flashbolt内存。
SK Hynix近日的声明意味着HBM2E生态系统的其他部分正在成型,芯片制造商很快就能拥有第二个快速存储器供应商。根据SK Hynix去年的首次声明,他们新的HBM2E内存是8-Hi,16GB堆栈,容量是他们早期HBM2E内存的两倍。同时,该内存的时钟频率能够达到3.6Gbps/pin,这实际上比官方HBM2E规范的最高“仅仅”3.2Gbps/pin快。因此,就像三星的Flashbolt内存一样,对于拥有HBM2E内存控制器的芯片制造商来说,3.6Gbps的数据速率基本上是一种超出规格的可选模式。
在这样的最高速度下,单个1024pin的堆栈总共有460GB/s的内存带宽这可以和现在大多数显卡相媲美(甚至超过)。对于使用多个堆栈的更高级的设备(例如服务器GPU),这意味着一个6栈的结构能达到2.76TB/s的内存带宽。
虽然SK Hynix现在没有公布任何客户,但公司期望这新内存能用于包括深度学习加速器和高性能计算的下一代AI(人工智能)。即使英伟达并不是唯一使用HBM2的供应商,英伟达A100最终也会在新内存直接使用。SK Hynix和AMD的产品线有些接近,后者将在明年推出一些新的服务器GPU,用于超级计算机和其他HPC系统。所以,无论如何,HBM2E的时代正在迅速崛起,因为越来越多的高端处理器需要引进并使用更快的内存。
原文链接:https://www.anandtech.com/show/15892/sk-hynix-hbm2e-memory-now-in-mass-production
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